电磁场与电磁波6.7__6

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1、6．7平面上的垂直入射EEEeH22zz,m2e6.1956.7.1两种导电媒质分界面上的垂直入射xm22y221．入射波、反射波和透射波以上各量的方向如图6.26所示。2．反射系数和透射系数设均匀平面波沿z轴入射在两种导电媒质的分界面上，如图介质1中总场为6.26所示。设入射波电场强度的正方向沿x轴，则入射波的电场EEEEeEe11zz6.196和磁场分别为xxxm1111m1EEEEEeH11zz,m1e6.193HHHmm11e11z

2、ze6.197xm11y1yyy111111反射波的电场和磁场分别为由（z＝0）边界条件EEHH,界面上无面电流1212ttttEEEeH11zz,m1e6.194EEEmmm1126.198xm11y11EEE透射波的电场和磁场分别为说明H中mmm1126.199的负号图6.26两导电媒质界面上的垂直入射112分界面处（z＝0）透射的功率密度，由由此可以解出1*EE216.200SavReEHmm112212利用（6.1

3、95）、（6.198）和（6.199）式可得EE26.201*mm211E21SREm2注：复共轭符号应加在反射系数：ave2m2Em2/2的括号外2Em12162026.202通用公式，适用于*E1EEm121导电介质、理想介mm11透射系数：REEem11m质或导体构成的界211E2m226.203面上无面电流时的E22m121情况，也适用于和11EEmm11RΓ与τ之间满

4、足如下关系e理想导体构成的界221116.204面。上式第一项是入射波的功率密度，第二项是反射波的功率密度。注：*1E注：倒数第三个等号中注：SREm2中间两项取实部后相等。avem222****ABAB可在直角坐标系下验证1EEREEmm11**em11mAA211可在极坐标系下验证***BB1EEREEmm11em11m2**11RAB

5、RABee可在极坐标系下验证****1EEEEREmmm111EEEm1em111mmm121111222211EEEERRmm11mm11ee**22111116.7.2理想导体表面的反射，驻波理想介质中磁场的合场强为设均匀平面波由理想介质垂直入射到理想导体表面，对于EEEEHHHxxm111ej11zjm1ez理想介质1＝j1。yy

6、y1111．入射端的合场强1111E理想导体内E20，在分界面上（z＝0），由（6.198）式2m1cosz6.2071可得1EE0,EE,1mm11m1m1其瞬时形式为理想导体表面发生全反射，入射波和反射波分别为Em1Hzty11,2coszcost6.208EEeEEejz11，jz1xm11x1m1（6.205）～（6.208）式中，场强的振幅理想介质中电场的合场强为是随z做周期性变化的：EEEEeejz11jz2jEsin

7、z6.205xxxm1111m11⑴，即zn1zn2121j024上式中，设电场的初相位=0，即EEe。理想介质中mm11合场强的瞬时形式为时，n＝1，2，3……，电场的振幅最大，EztE,2sinztsin6.206磁场的振幅为0。图6.27驻波电场、xm111磁场的时空关系⑵1z=-n，即z=-n/2时，电场的振幅为0，磁场的振幅最大。这种波称为驻波，如图6.27所示。相对于驻波，理想介质中的均匀平面波jzEEexxm6.209称为等幅行波；2．导体表面