317无锡尚德太阳能汪义川

《317无锡尚德太阳能汪义川》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、高效单晶硅太阳电池商业化进程汪义川杨健童彩霞施正荣无锡尚德太阳能电力有限公司214028摘要：高效单晶硅太阳电池商业化生产，除了BP公司刻槽埋栅太阳电池工艺外，传统丝网印刷工艺也有了很大的提高。除了传统的由TiO2作为成反射膜的工艺外，由等离子体化学气相沉积法（PECVD）制作的SiN是很有效的减反射膜，又是有效的表面钝化膜。尚德太阳能电力有限公司50兆瓦三条太阳电池生产线均能生产高效单晶硅太阳电池，平均转换效率在16.5%左右，最高转换效率大于17%。关键词：单晶硅太阳电池、共烧。Abstract:Incommercialproductionofhigh

2、-efficiencymonocrystallinesiliconsolarcells,apartfromthetechniquesadoptedbyBP-lasergroovingburiedcontact,Theconventionalscreenprintingtechnologyisalsoimprovedgreatly.Intheconventionaltechnology,TiO2filmisusuallyusedasananti-reflection(AR)coating.TheSiNlayerwhichisproducedbyPECVD,i

3、salsowidelyusednotonlyasagoodARcoating,butalsoasaneffectivesurfacepassivationlayer.AllthethreeproductionlinesatSuntechPowerCo.,Ltdcanproducehigh-efficiencymonocrystallinesolarcells,liftaverageefficienciesaround16.5%andhighoneswellabove17%.Keywords:monocrystallinesiliconsolarcell,c

4、o-firing第3页前言：虽然上世纪末多晶硅太阳电池首次超过单晶硅太阳电池。但是单晶硅太阳电池产量并非止步不前一路下滑。而是仍然继续发展，形成与多晶硅太阳电池并驾齐驱各领风骚的态势。第3页99年2000年2001年2002年2003年全球总产量(MW)201287.6404560762多晶硅太阳电池产量（MW）86138.6202289429单晶硅太阳电池产量(MW)82107.5139203.8253第3页2004年6月在法国巴黎19届欧洲光伏器件展览会上，日本SHARP和德国Q-CELL展出了用150×150或156×156单晶硅太阳电池做出的组件。

5、有专家立即断言，在156×156这个层面上，是否还会出现“多盛单弱”局面，下言尚早，还须有待时日观察。这是因为IC行业全面升级12吋生产线，原来8吋IC生产线陆续退役。8吋单晶炉转向太阳能级单晶棒是必然的。中国光伏晶体硅的格局，是一个“多弱单盛”的局面，多晶硅片充其量能提供9MW太阳电池的能力。而全国各地目前方兴未艾，大上单晶炉的阵势，令我们无法准确统计。今年7月江苏镇江环太硅科技有限公司已有150×150单晶硅片问世。尚德太阳能电力有限公司根据市场需求和自我发展的需要，审时度势新建了另一条年产25MW晶片硅太阳生产电池线。该线具备生产156×156高效单

6、晶硅太阳电池片能力。当前国际上一般都是用5吋准方片，即外形尺寸是125mm×125mm，直径150mm,面积为148.58cm2,光电转换效率η≥15.8%。尚德太阳能有限公司STP125（即TDR125×125）单晶硅太阳电池大规模生产的平均转换效率在16.5%左右，一部分电池的转换效率已远远大于17%。1、工艺介绍第3页高效单晶硅太阳电池工艺流程如下：去除损伤层、表面绒面化、发射区扩散、边缘结刻蚀，PECDV沉积SiN，丝网印刷正背面电极浆料、共烧形成金属接触，电池片测试。1.1绒面制备硅片采用0.5~2Ω.cm,P型晶向为（100）的单晶硅片。利用氢

7、氧化钠溶液对单晶硅片进行各向异性腐蚀的特点来制备绒面。当各向异性因子=10时（所谓各向异性因子就是（100）面与（111）面单晶硅腐蚀速率之比），可以得到整齐均匀的金字塔形的角锥体组成的绒面。绒面具有受光面积大，反射率低的特点。可提高单晶硅太阳电池的短路电流，从而提高太阳电池的光电转换效率。(见图1)图(1)单晶硅片绒面形状``金字塔形角锥体的表面积S0等于四个边长为a正三角形S之和S0=4S=4×a×a=a2由此可见有绒面的受光面积比光面提高了倍即1.732倍。（见图2）当一束强度为E0的光投射到图中的A点，产生反射光Φ1和进入硅中的折射光Φ2。反射光Φ

8、1可以继续投射到另一方锥的B点，产生二次反射光Φ3和进入半导体的折