0.35微米bicmos光刻工艺参数的优化

《0.35微米bicmos光刻工艺参数的优化》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、天津大学硕士学位论文0.35微米BiCMOS光刻工艺参数的优化姓名：白兰萍申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程指导教师：张为;程高龙20081101天津大学硕士学位论文摘要本文研究了一种典型的互补金属氧化物半导体光刻工艺参数的优化问题，主要针对此产品光刻工艺中遇到的三个大问题进行了研究和优化，找到了解决方法并成功地实现了此产品的量产。具体内容如下：1．光刻工艺中的透镜发热(Lensheating)问题该产品前段有几个层的光罩都有很高的穿透率，加之曝光能量又大，所以在I线(Line)机台上极易发生曝光镜头受热变形，从而引起偏焦问题。本

2、文具体研究了该问题并找到解决方法。2．光刻胶粉尘污染引起的球状缺陷问题在这一产品的制程中，有些层需要用到很薄的光阻膜厚，为了得到符合要求的膜厚，在光刻胶涂布中就需要很高的旋转速度。而部分光刻胶在高速旋转的过程中会被雾化，漂浮在涂胶装置(coaterunit)中，coaterunit中的排气装置又把悬浮的光刻胶粉尘吹下去落在后续进来的晶圆上，形成球状缺陷。本文将找出控制高转速的方法来解决这种缺陷。3．利用表面抗反射剂去除光刻工艺过程中的显影缺陷在光刻工艺过程中，显影缺陷是造成产品成品率损失的主要因素。比如多种产生机理，不同特征的光刻胶残

3、留缺陷是困扰晶圆制造厂光刻部门的一大问题。其中有一类残留来自于显影反应过程的生成物残渣，没有或不易被冲洗步骤冲洗掉，残留在晶圆表面造成将来的图形失效(patternfail)。比较有代表性的是DUV机台经常容易产生的Slash缺陷。本文以Slash缺陷为例，研究其产生机理及解决方法。关键词：互补金属氧化物半导体，光罩，偏焦，球状缺陷，Slash缺陷Ⅱ天津大学硕士学位论文ABSTRACTTheimprovementandoptimizationofthephotolithographyprocessforatypicalCMOSprod

4、uctwasdiscussed．Forthisproduct，threemainproblemswereanalyzedindetailandgotthesolutionfmally．Thisproductalsohasbeenimplementmassproductionsuccessfully．Thefollowingwilllistthethreeproblems：1．LensheatingissueonphotoprocessThisproducthasseverallayersinfrontendwithhi}ghmaskt

5、ransmissionrateandhighexposuredose，thuscaneasilycauselens—heatingissueonILinescannert001．Thiswillleadtolensdistortionandfocusdrift．Thisproblemwillbediscussedandsolvedinthispaper．2．TheballtypedefectissuecausedbyphotoresistpowderIntheprocessofthisproduct，somelayersneedcoa

6、tthinnerthickness．Togetthethinnerthickness，weneedadjustcoatmainRPMveryhigh．However，high-speedrotationmakestheresistmistandfloatingoncoaterunit，thentheexhaustblowthepowderoutandfallintothenextwafer．Therefore，thewaferonarmswillsufferballtypedefect．ThemethodofcontrolhighRP

7、Mwillbefoundoutandhandlethisdefectinthispaper．3．UseTARCtoremovetheresiduedefectwhichisproducedindevelopmentprocessThedefectduringthedevelopmentprocessisthemainfactorwhichleadstoyieldloss．Suchasavarietyofgenerationmechanismanddifferentcharacteristicsofphotoresistresidued

8、efectisamajorproblemwhichplagueslithographysector．Thishasaclassofresiduesfromtheenhancementoftheproductreactio