mosfet器件回顾与展望(下)

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1、“半导体技术”2007年第32卷第1期技术论文“摘要”8趋势与展望P1-MOSFET器件回顾与展望（下）P6-AlGaN/GaNHEMT欧姆接触的研究进展P12-用于光刻的EUV光源现代管理P17-300mm半导体代工厂的化学供应系统探讨器件制造与应用P21-CMOSLCVCO中交叉耦合MOS管的结构和特点P26-改进型抗单粒子效应D触发器P29-一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵P33-LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究工艺技术与材料P37-pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响P40-ICP刻蚀

2、损伤对n-GaN-Ni/Au肖特基接触特性的影响P43-ICP刻蚀机反应腔室气流仿真研究P47-不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究集成电路设计与开发P52-一种基于DDS的改进信号合成电路设计P55-车载定位导航终端的设计P58-FPGA中通用互连结构的设计与优化P62-2.45GHz全集成CMOS功率放大器设计P65-高性能双模前置分频器设计封装、测试与设备P68-TSOP封装脱模中硅片碎裂失效的有限元分析P74-基于线阵CCD的光刻机调焦调平系统的研究P77-ESD电热模拟分析88趋势与展望MOSFET器件

3、回顾与展望（下）肖德元１，夏青２，陈国庆１（１．中芯国际集成电路（上海）有限公司存储器技术发展中心，上海２０１２０３；２．上海第二工业大学，上海２０１２０９）摘要：介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展，比较了几种主要新颖半导体器件的特性，指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法，展望了器件未来发展趋势。AlGaN/GaNHEMT欧姆接触的研究进展裴风丽１，２，冯震２，陈炳若１（１．武汉大学物理科学与技术学院，武汉４３００７２；２．中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄０５００５１）摘

4、要：从欧姆接触形成的机理出发，介绍了在AlGaN/GaNHEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法，如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。用于光刻的EUV光源赵环昱１，２，赵红卫１（１．中国科学院近代物理研究所，兰州７３００００；２．中国科学院研究生院，北京１０００４９）摘要：对国际上普遍采用的两种EUV光源：放电等离子体源（DPP）和激光等离子体源（LPP）进行了多方面比较。给出了两种等离子体源各自优点及难以克服的困难。基于目前的测量结果，指出了ECR等离子体有潜力成为一种新型的

5、极紫外辐射源。紫外光刻使摩尔定律得以延续的信心。现代管理300mm半导体代工厂的化学供应系统探讨张云秀，黄其煜（上海交通大学微电子学院，上海２０００３０）8摘要：随着中国半导体业的发展，300mm半导体代工厂(foundry)在中国纷纷出现，本讨论介绍了300mm代工厂厂务化学系统的定义和分类、基本构成、安全设计和品质监控的要点，力图使读者对厂务化学系统有一个整体的了解，针对一些化学供应系统的常见问题和可改进之处，提出了改进建议。器件制造与应用CMOSLCVCO中交叉耦合MOS管的结构和特点宁彦卿，王志华，陈弘毅（

6、清华大学微电子学研究所，北京１０００８４）摘要：在近年来的文献报道中，CMOSLCVCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中，MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构，就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年来在理论认识，低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力。改进型抗单粒子效应D触发器赵金薇，沈鸣杰，程君侠（复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海２００４３３）摘要：在对抗单粒子效应技术研究的基础上，构造了一种改进型的抗单粒

7、子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器。该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应，并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度提高的问题。一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵王少军，程珍娟，叶星宁（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都６１００５４）摘要：为了得到稳定的输出电压，电荷泵电路需要通过负反馈系统进行控制。在传统的“Skip”模式电荷泵中，采用工作在线性区的MOS管做开关，通过控制振荡器来调节输出电压，但这种方式会产生较大的输出电压纹波。设计了一种采用饱

8、和区MOS8管作调节开关的电荷泵，通过控制饱和区MOS管的导通电阻来调节电荷泵的输出电压。它工作在占空比为50%的方波信号下，具有很低的输出电压纹波（37mV）。LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究冯永生，刘元安（北京邮电大学电信工程学院，北京１０００８８）摘要：以横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）场效应管射频功率放大器为例，介绍了LDMOSFET电