半导体器件智慧树知到课后章节答案2023年下西安邮电大学.docx

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半导体器件智慧树知到课后章节答案2023年下西安邮电大学西安邮电大学第一章测试1.不属于化合物半导体的有（）。A:锗B:磷化镓C:磷化铝D:砷化铝答案:锗2.硅单晶晶体结构为（）。A:立方体结构B:面心结构C:正四面体结构D:体心结构答案:体心结构3.属于化合物半导体有（）。A:砷化镓B:氧化镓C:硅D:氮化镓答案:砷化镓;氧化镓;氮化镓4.Si是一种IV族元素半导体（四主族）。（）A:对B:错答案:对5.半导体材料一般分为三种类型：无定型、多晶和单晶。（） A:对B:错答案:对第二章测试1.以下关于半导体中电子有效质量的描述，不对的选项是（）。A:有效质量具有质量的量纲B:通过回旋共振实验可以测出电子有效质量C:有效质量是一个常数D:有效质量反映了晶格周期性势场对电子的作用答案:有效质量是一个常数2.杂质半导体中电子占据施主能级的几率可以直接套用费米分布函数来进行计算。（）A:错B:对答案:错3.在单晶硅中掺入少量（）杂质元素会形成N型半导体？A:锗B:磷C:硼D:镓答案:磷4.单晶硅表面态密度的实验值要比理论值高几个数量级。（）A:对B:错答案:错 1.关于半导体表面态的描述，下列（）是错误的？A:空态时呈中性而电子占据后带负电的为施主型表面态B:慢态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层C:空态时带正电而电子占据后呈中性的为施主型表面态D:快态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层答案:空态时呈中性而电子占据后带负电的为施主型表面态;快态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层第三章测试2.以下关于PN结的描述，正确的的选项是（）。A:PN结加反向偏压时，势垒区内载流子产生率大于复合率B:PN结加正向偏压时，外加电场的方向与自建电场方向相同C:平衡PN结，P区一侧的费米能级高于N区一侧的费米能级D:PN结具有单向导电性答案:PN结加反向偏压时，势垒区内载流子产生率大于复合率;PN结具有单向导电性3.对于金属和N型半导体紧密接触，当Wm>Ws时，在界面处形成阻挡层（）A:错B:对答案:对4.对于单边突变结，正确的的选项是（）A:P区和N区两边的掺杂浓度有数量级的差别B:耗尽层宽度主要在重掺杂一侧C:耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧D:内建电势主要降落在轻掺杂一侧 答案:P区和N区两边的掺杂浓度有数量级的差别;耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧;内建电势主要降落在轻掺杂一侧1.正偏PN结耗尽层边界处少子浓度随正偏电压增加而线性增加（）A:对B:错答案:错2.对于单边突变结，提高雪崩击穿的方法有（）A:选用禁带宽度更大的半导体材料B:降低轻掺杂一侧掺杂浓度C:增加轻掺杂一侧掺杂浓度D:选用禁带宽度较窄的半导体材料答案:选用禁带宽度更大的半导体材料;降低轻掺杂一侧掺杂浓度3.以PN+结为例，下列哪项可以提高PN结开关速度（）A:减小P区少子的寿命B:降低正向电流C:增大P区少子的扩散长度D:提高串联电阻R答案:减小P区少子的寿命;降低正向电流第四章测试4.双极晶体管的基区特点（）。A:窄且掺杂重B:宽且掺杂轻C:宽且掺杂重D:窄且掺杂轻答案:窄且掺杂轻 1.基区中的复合电流IVB受以下哪些因素影响（）。A:基区的掺杂B:基区宽度C:基区中的电荷数D:基区的少子寿命答案:基区的掺杂;基区宽度;基区中的电荷数;基区的少子寿命2.双极晶体管中的结构参数会影响哪些器件性能（）。A:基区的输运系数B:共基接法的电流放大系数C:共射接法的电流放大系数D:发射区的发射效率答案:基区的输运系数;共基接法的电流放大系数;共射接法的电流放大系数;发射区的发射效率3.双极晶体管的发射区掺杂要低。（）A:错B:对答案:错4.NPN双极晶体管中发射区的多子是电子（）A:错B:对答案:对第五章测试5.NMOSFET的沟道导电载流子为（）。A:电子和空穴B:固定负电荷C:电子D:空穴答案:电子 1.MOSFET中阈值电压（）。A:基区的掺杂B:基区宽度C:基区的少子寿命D:基区中的电荷数答案:基区的掺杂;基区宽度;基区的少子寿命;基区中的电荷数2.MOS电容的CV曲线中反型后归一化电容C/Cox保持水平时的频率（）。A:超高频B:中频C:高频D:低频答案:高频3.当MOSFET中漏压VD较小时，器件处于（）。A:截止区B:饱和区C:放大区D:线性区答案:线性区4.MOSFET根据导电类型分为增强型和耗尽型器件。（）A:对B:错答案:错第六章测试5.JFET的J是指哪一个（）。A:PN结B:漏区C:源区D:电极答案:PN结 1.半导体激光器利用了哪一个原理（）。A:光生伏特效应B:基区扩展效应C:电子空穴复合效应D:自建电场效应答案:电子空穴复合效应2.IGBT器件的特点（）。A:相比于VDMOSFET导通电阻低B:相比于VDMOSFET导通电阻低C:平面结构D:不能工作于大电流下答案:相比于VDMOSFET导通电阻低3.功率肖特基整流器的优点（）。A:具备低的导通压降B:耐受高压C:可以进行整流D:快速的开关性能答案:具备低的导通压降;耐受高压;可以进行整流;快速的开关性能4.理想的功率器件必须具有在零功率消耗下控制功率流向负载的能力。（）A:对B:错答案:对