SD8525H内置100V国产同步整流控制芯片-士兰微电源ic_骊微电子

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士兰微电子SD8525H说明书快速关断同步整流控制器描述SD8525H是一款内置MOS的高性能，快速关断的同步整流控制芯片。在高性能隔离型电源拓扑应用中替代肖特基二极管，以提高系统效率。可配合原边芯片工作在CCM、DCM、QR多种工作模式。SD8525H采用内置VCC供电技术，集成高压供电和输出供电两种供电方式。内置斜率检测功能，防止在谐振阶段的误导通。同时兼容高侧端应用和低侧端应用。SD8525H采用SOP8贴片封装。SOP-8-225-1.27主要特点内置100V，10mΩ高性能MOS兼容高侧端和低侧端同步整流应用兼容DCM，CCM，QR多种应用模式斜率检测功能，防止在谐振阶段的误导通应用内置高压端VCC供电和输出端VCC供电技术250μA低待机电流适配器SOP8封装充电器产品规格分类产品名称封装类型打印名称环保等级包装方式SD8525HSOP-8-225-1.27SD8525H无卤料管SD8525HTRSOP-8-225-1.27SD8525H无卤编带杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共8页第1页

1士兰微电子SD8525H说明书典型应用图低侧端应用：OUT54Control63IC728118高侧端应用：27OUTControl36IC45注：以上线路及参数仅供参考，实际的应用电路请在充分的实测基础上设定参数。杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共8页第2页

2士兰微电子SD8525H说明书内部框图43678VOVCCDRAINDRAINDRAINVCC欠压&输出供电高压供电基准VD斜率检测导通比较器VD屏蔽时间&5驱动驱动逻辑快速关断比较器VSSVSS12极限参数（除非特殊说明，Tamb=25C）参数符号参数范围单位VCC端电压VVCC-0.3～6.5VVO端电压VVO-0.3～25VVD端电压VVD-1～100V漏源（地）电压VDS-1～100V栅源（地）电压VGS±20V漏极电流ID14A工作结温TJ150C工作温度范围TAMB-25~85C贮存温度范围TSTG-55~150C杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共8页第3页

3士兰微电子SD8525H说明书电气参数（内置功率MOSFET部分，除非特殊说明，Tamb=25C）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压BVDSSVGS=0V，ID=250μA100----V漏源漏电流IDSSVDS=100V，VGS=0V----1.0μA导通电阻RDS(ON)----10--mΩ电气参数（除非特殊说明，VCC=6V，Tamb=25C）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位VCC供电高压充电电流IHVCVVCC=0V，VVD=40V--80--mA输出供电电流IVOVVCC=5V，VVO=12V--15--mA输出供电最小输出电压VVOCHARGEMIN----7--VVCC供电电压VCCMAXVDRAIN=12V5.45.86.2V开启关断VCC开启电压VCC_ST--4.44.75.0VVCC关断电压VCC_UVL--4.24.54.8VVCC静态电流IVCC0VVCC=6V，VVD=6V--250--μAVCC工作电流IVCCVVCC=6V，fVD=50KHz--1.3--mA控制部分导通阈值VDTH_ON---160-120-80mV斜率检测窗口时间TSLEW----22--ns关断阈值VDTH_OFF----0--mV关断延时TOFF_DELAY----25--ns导通屏蔽时间TONBLANKING--0.81.21.6μs关断屏蔽阈值VOFFBLANKING----1.5--V驱动部分GATE上拉电流IPU_DRV----1--AGATE下拉电流IPD_DRV----3.0--A管脚排列图VSS18DRAINSDVSS287DRAIN52VCC35H6DRAINVO45VD杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共8页第4页

4士兰微电子SD8525H说明书管脚说明管脚号管脚名称I/O功能描述1，2VSSG芯片地和功率MOS管源端3VCCP芯片电源4VOI输出供电端5VDI漏端电压检测端6，7，8DRAINI功率MOS管漏端功能描述VCC供电SD8525H具有高压供电功能和输出供电功能。控制芯片通过检测VCC管脚和VO管脚的电压来切换供电方式。在VCC电压未达到开启电压前，采用高压供电。在VCC电压达到开启电压后，控制芯片检测VO端口电压是否满足最小供电电压，如果满足切换为输出供电，如果不满足则保持高压供电。VCC欠压和启动SD8525H具有VCC欠压保护功能，在VCC上升到4.7V后退出VCC欠压状态，在VCC降至4.5V以下进入VCC欠压状态，锁定同步整流MOS关断。开通和关断SD8525H具有斜率检测功能。如图1所示，控制器内部检测VD电压从VWH降至VWL的时间TW是否小于设定的检测窗口时间（22ns）。若小于设置的窗口时间且VD电压低于导通阈值，经过导通延时后，同步整流MOS导通。当TW大于设置的窗口时间时，这个周期不导通。同步整流MOS导通后，随着副边电流的下降，VD电压上升至关断阈值，经过关断延时后，功率MOS栅极电压VGS被拉至低电平，同步整流MOS关断。VVDVWHVWL关断阈值导通阈值小于斜率检测的窗口时间关断延时V导通延时GS图1.开通和关断意图杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共8页第5页

5士兰微电子SD8525H说明书导通屏蔽时间VVD导通阈值导通延时VGS导通屏蔽时间图2.导通屏蔽时间示意图如图2所示，同步整流MOS导通后，控制系统会产生一个导通屏蔽时间，在这个屏蔽时间内，将会维持同步整流MOS处于导通状态。关断屏蔽时间VVD1.5V关断阈值关断延时关断屏蔽时间VGS图3.关断屏蔽时间示意图如图3所示。在同步整流MOS关断后，系统会产生一段关断屏蔽时间，这个屏蔽时间在VD上升到1.5V后解除。在屏蔽时间内控制器会维持同步整流MOS处于关断状态。杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共8页第6页

6士兰微电子SD8525H说明书封装外形图SOP-8-225-1.27单位：毫米DA2A0.25MILLIMETERcSYMBOLMINNOMMAXA1LA1.351.551.75A10.050.150.25__A21.251.65b0.320.420.52c0.150.200.26D4.704.905.30E1EE5.606.006.40E13.603.904.20e1.27BSC__L0.301.27be注意！静电敏感器件操作ESDS产品应采取防护措施MOS电路操作注意事项：静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的损坏：操作人员要通过防静电腕带接地。设备外壳必须接地。装配过程中使用的工具必须接地。必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共8页第7页

7士兰微电子SD8525H说明书重要注意事项：1.士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。2.客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。3.我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。4.在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。5.购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。6.产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！7.我司网站http://www.silan.com.cn产品名称：SD8525H文档类型：说明书版权：杭州士兰微电子股份有限公司公司主页：http://www.silan.com.cn版本：1.1修改记录：1.工作节温从120C改为150C。版本：1.0修改记录：1.正式版本发布杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共8页第8页