sd8512c开关电源同步整流控制ic内置N型功率MOS_骊微电子

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士兰微电子SD8512C说明书内置N型功率MOSFET的同步整流控制IC描述SD8512C是内置N型功率MOSFET的同步整流控制IC（SR），配合原边控制电路，能在开关模式下提高系统效率。SD8512C高度集成，节省外部元件，简化系统设计。可应用在断续导通模式和临界导通模式下，由于多功能性，广泛应用在各种拓扑结构中。SD8512C适用5V输出系统，可采用输出端直接供电。主要特点SOP-8-225-1.27内置N型功率MOSFETDR管脚耐压40V最小关断时间保护最大工作频率100KHz应用充电器适配器待机电源产品规格分类产品名称封装类型打印名称环保等级包装方式SD8512CSOP-8-225-1.27SD8512C无卤料管SD8512CTRSOP-8-225-1.27SD8512C无卤编带杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.3http://www.silan.com.cn共7页第1页

1士兰微电子SD8512C说明书内部框图DRDRDR876DRVDD5最小导RQ-180mV通时间逻辑驱动S最小关-5mV断时间欠压锁定基准电压偏置电流4123VDDGNDGNDGND管脚排列图GND18DRSDGND287DR512GND3C6DRVDD45DR管脚说明管脚号管脚名称I/O功能描述1、2、3GNDG内置功率管源端和芯片地4VDDP电源5、6、7、8DRI/O内置功率管漏端和状态监测管脚杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.3http://www.silan.com.cn共7页第2页

2士兰微电子SD8512C说明书极限参数（除非特殊说明，Tamb=25C）参数符号参数范围单位供电电压VDD-0.3~6VDR电压VDR-0.7~40V输入电流IIN-10~10mA工作结温TJ+150°C工作温度范围Tamb-20~+85°C贮存温度范围TSTG-40~+150°CESD（人体模式）ESD2500V电气参数（除非特殊说明，VDD=4V，Tamb=25C）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位供电电源部分启动电流ISTVDD=2.9V；--50--µA静态工作电流IDDVDD=5V，输出管脚无开关波形；--300--µA正常工作电流IWORKDR为50KHz的方波，VDD=5V；--2--mA启动电压VST2.83.03.2V关断电压VSP2.62.83.0V反馈部分使能开启电压VON---180--mV使能关断电压VOFF---5--mV驱动导通延时TONDELAY----200ns驱动关断延时TOFFDELAY----200ns最小导通时间TONMIN--2.4--uS合封MOS管参数源漏耐压值VDS40----V导通电阻RDSON--15--mΩ杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.3http://www.silan.com.cn共7页第3页

3士兰微电子SD8512C说明书参数温度特性曲线静态工作电流和温度关系启动电压和温度关系4003.2）A350）3.1uV（（流300压3电电动250动2.9启启2002.8-40-20020406080100120-40-20020406080100120温度（°C）温度（°C）同步管开启电压和温度关系-200）V-190m（-180压电启-170开-160-40-20020406080100120温度（°C）功能描述SD8512C是内置N型功率MOSFET的同步整流控制IC（SR），应用在断续或者临界导通模式下。配合原边控制电路，能在开关模式下提高系统的效率。电路启动整机上电后，原边的功率管先导通，此时VDD管脚电压较低，不足以支持SD8512C正常工作。SD8512C内部合封MOS管的衬底和漏端等效为二极管，给输出端电容充电。当VDD管脚电压大于VST，SD8512C开始正常工作。SD8512C监控DR管脚电压，当DR管脚电压小于VON时，内置的MOS管导通，作为低阻抗通路替换之前的寄生二极管，对输出电容充电。随着副边电感电流逐渐减小，DR管脚电压缓慢升高，当DR管脚电压大于设定值VOFF时，MOS管关断，最后小电流通过寄生二极管给输出电容充电。DRGATE内置MOS的驱动模块最小导通时间设定在应用中，变压器寄生电感和分布电容之间产生的震荡波形叠加在输出通路，SD8512C的内置MOS管导通瞬间，其振荡的电压很可能会升高到截止阈值VOFF，MOS管会异常关断。为消除此类误动作，SD8512C在产生MOS管驱动杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.3http://www.silan.com.cn共7页第4页

4士兰微电子SD8512C说明书信号同时会输出一个最小导通时间TONMIN信号。在驱动电路将MOS开启后，保证MOS管在TONMIN内持续导通，不受DR管脚电压控制。应用电路图VINBD1T1VauxVacInputDCOUTVDDDRGNDVaux1VDDDrain8SD8512C2GNDDrain73FBDrain64CSDrain5原边芯片注：以上线路及参数仅供参考，实际的应用电路请在充分的实测基础上设定参数。杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.3http://www.silan.com.cn共7页第5页

5士兰微电子SD8512C说明书封装外形图SOP-8-225-1.27UNIT：mmMILLIMETERDSYMBOLMINNOMMAXA2Ac0.25A1.351.551.75A10.050.150.25A1LA21.25--1.65b0.320.420.52c0.150.20.26D4.704.905.30E5.606.006.40E13.603.904.20E1Ee1.27BSCL0.30__1.27be注意！静电敏感器件操作ESDS产品应采取防护措施MOS电路操作注意事项：静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的损坏：操作人员要通过防静电腕带接地。设备外壳必须接地。装配过程中使用的工具必须接地。必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。重要注意事项：士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。我司产品属于消费类和/或民用类电子产品。在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！我司网站http://www.silan.com.cn杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.3http://www.silan.com.cn共7页第6页

6士兰微电子SD8512C说明书产品名称：SD8512C文档类型：说明书版权：杭州士兰微电子股份有限公司公司主页：http://www.silan.com.cn版本：1.3修改记录：1.调整VDD耐压2.修改合封功率管导通电阻3.修改产品规格分类4.修改重要注意事项版本：1.2修改记录：1.更新内部框图2.优化功能描述版本：1.1修改记录：1.删除VDD电压版本：1.0修改记录：1.正式版本发布杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.3http://www.silan.com.cn共7页第7页