VIPer12A功率开关电源IC

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1、LKVIPer12AAC/DCPWM功率开关v1.6LKVIPer12A概述特点LKVIPer12A是采用电流模式PWM控制方式的功率开关芯片，集成高压宽电压85~265Vac输入启动电路和高压功率管，为低成本开关电源系统提供高性价比的解决待机功耗小于120mW@220Vac方案。集成高压启动电路芯片VDD的工作电压范围宽，很方便的应用于充电器领域。芯片集成高压功率开关提供了过温、过流、过压、欠压等保护功能，保证了系统的可靠性。9V~38V宽VDD工作电压电流模式PWM控制方式管脚图内置过温、过流、过压、欠压锁定等保护功能LKVIPer12A兼容VIPer12管脚（不需要修

2、改电路走线及变压器）DIP8SOP8封装形式：DIP8、SOP8输出功率表输入电压85Vac～265Vac180Vac～265Vac输出功率8W13W注：输出功率10W以上，建议根据实际方案增加散热措施：增加独立散热片；应用领域其他散热措施。典型电磁炉BUCK电路应用方案典型示意电路图小功率充电器小功率适配器待机电源DVD、DVB以及其他便携式设备电源LKVIPer12A-1-LKVIPer12AAC/DCPWM功率开关v1.6内部方框图DRAINVDD内部电源产生电路振荡电路LVDD基准电路VREFS驱动欠压保护电路--QR18V/14.5V+R2R3过温保护电路前沿消隐

3、电路过压保护电路S1R1+S2Q--0.23VVDD钳位电路230ohm1KohmFBGND管脚示意图LKVIPer12ADIP8/SOP8管脚说明名称管脚序号管脚说明GND1,2芯片地，同时也是内置高压MOS管SOURCE端口FB3反馈输入端口VDD4芯片电源端，工作电压范围可达9V——38VDRAIN5,6,7,8内置高压MOS管的DRAIN，同时芯片启动时，也做芯片的启动-2-LKVIPer12AAC/DCPWM功率开关v1.6极限参数极限参数(TA=25℃)符号说明范围单位VDS(max)芯片DRAIN脚最高耐压-0.3～730VVDS(ST)芯片启动时，DRAIN脚最高耐压-0.

4、3～400VVDD芯片电源电压-0.3～38VIvdd嵌位电流10mAIFB最大反馈电流3mAVESDESD电压>4000VTJ结温-40～150℃TSTG存储温度-55～150℃热阻参数符号说明LKVIPer12A单位RthJA热阻(1)45℃/W注（1）：芯片要焊接在有200mm2铜箔散热的PCB板，铜箔厚度35um，铜箔连接到所有的GND脚。电气工作参数(除非特殊说明，下列条件均为TA=25℃，VDD=18V)范围符号说明条件单位最小典型最大BVDS漏源击穿电压VFB=2V;ID=1mA730V--VIDSSDRAIN端关断态漏电流VFB=2V;VDS=500V--0.1mARDS(

5、on)源漏端导通电阻ID=0.2A-19-OhmVDDONVDD开启电压1314.516VVDDOFFVDD关闭电压789VVDDHYSVDD迟滞阈值电压-6.5-VVDDOVPVDD过压保护阈值-39-VIDD1VDD工作电流IFB=2.0mA-0.4-mAIDD2VDD工作电流IFB=0.5mA;ID=50mA-1.0-mAIDDCH芯片充电电流VDS=100V;VDD=5V--220-uAFOSC芯片振荡频率-60-KHzGIDIFB/IDRAIN增益-320-ILIMIT峰值电流阈值VFB=0V-400-mAIFBSDFB关断电流-0.9-mARFBFB输入电阻ID=0mA-1.2

6、3-KohmtLEB前置消隐时间-300-nstON(min)最小导通时间-700-nstOVT过温保护温度-150-℃tHYS过温迟滞阈值温度-30-℃-3-LKVIPer12AAC/DCPWM功率开关v1.6功能表述DINDAVRDLKVIPer12ADNBFG电路图说明上图中D1-D4、C2组成全波整流，D6、R1、C3组成RCD吸收回路，消除变压器T2漏感产生的尖峰电压，避免击穿LKVIPer12A内部的高压MOS管。输出部分U3、U2、R5、R6、R3、R4、C8组成采样反馈电路，R5、R6决定系统的输出电压，输出电压VOUT等于：R5R6V2.5VOUTR6R3、R4限

7、制U2光耦PC817B的电流，避免影响反馈回路。C8的加入使得系统反馈更加稳定，避免振荡。VDD电压部分LKVIPer12A芯片工作电压范围宽，达到9V——38V，此特性可以很方便的应用在某些特殊的领域，比如电池充电器等。当开关电源启动后，C2电容上的电压会通过T2原边线圈、芯片内部的高压启动MOS管向芯片VDD电容C4充电。当C4电容电压达到16V，内部高压启动MOS管关闭，同时PWM开启，系统开始工作。当C4电容电