2022年士兰微业务布局及核心优势分析

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2022年土兰微业务布局及核心优势分析ー、士兰微:功率半导体国产替代的先行者,12寸晶圆厂投产助推产品升级1、12英寸晶圆厂在2021年开始批量出货,8英寸持续扩产2017年12月公司与厦门半导体投资集团正式签订合作协议,双方共同投资在厦门市海沧区建设第一条12吋产线,总投资达到70亿元,其中一期总投资50亿元,项目二期总投资20亿元。该产线在2018年开始建设,2020年12月正式投产,产线运营主体为士兰集科。在2021年底完成了一期产能建设目标,去年底产能超过3.6万片/月,全年产出超过20万片,实现了沟槽栅低压MOS,沟槽屏蔽栅SGT-MOS,超级结MOS和IGBT等多个产品的量产。同时二期2万片/月建设项目也已经于去年启动,预计在2022年第四季度形成月产6万片12寸晶圆的生产能力,贡献2022年主要产能增量。士兰集昕微电子有限公司成立于2015年,为土兰微电子8英寸集成电路芯片生产线的实施主体,设计月产能10万片。作为公司首条8英寸晶圆产线士兰集昕在2016年开始规划建设,2017年6月正式投入生产,2017年12月底实现1.5万片月产能,2018年底实现接近4万片目标。随后公司开始着手8英寸产线二期扩产,通过对芯片生产线进行技术改造,计划形成新增年产43.2万片8英寸芯片制

1造能力。二期产线逐步贡献新产能,2020年底公司8英寸晶圆产能进ー步达到6万片/月,2021年实现65.7万片晶圆产出,产量增长15%。2、12寸晶圆贡献2022年主要增量,预计推动晶圆产量增长41%随着2020年功率半导体行业触底回升,同时受益于8寸晶圆产能的快速释放,公司2020年营收规模达到42.8亿元,增长38%,大幅超过公司在2019年报中规划的35.78亿营收目标。2021年国内新能源汽车销量激增150%,居家办公新趋势带动PC需求回暖,在2020-2021年连续两年分别实现29%和19%的增长,功率半导体行业整体处于涨价缺货的景气周期。2021年公司12寸晶圆产线开始批量生产,推动公司营收在2021年进一步增长至71.9亿元,大幅增长68%,又一次超过公司年初预计的62亿收入目标。随着过去三年新增8英寸和12英寸产能不断释放,公司营收的复合增速CAGR达到33%〇图表3:公司各个尺寸等效8寸晶圆产•K与増速％yoy%

23、归母净利润创历史最好水平,回购士兰集昕少数股东权益增厚公司利润2021年公司归母净利润达到15.18亿元,同比成长超过20倍,剔除投资安路科技等投资收益,公司扣非归母净利润达到8.95亿元,创造了公司历史上最好的盈利水平。子公司士兰集昕作为8英寸产线的运营主体,从2017年6月正式投产以来,不断提升工艺水平和生产能力,终于在2021年实现全年盈利,综合毛利率达到20.7%。为了更好的提升上市公司的盈利能力,公司在2020年底发布公告计划向大基金发行股份回购其直接和间接的士兰集昕股权,通过发行股份购买大基金持有的集华投资19.51%的股权以及士兰集昕20.38%的股权,交易完成后公司对于士兰集昕的持股比例将从交易前的34%提升至64%,进ー步增厚公司的盈利能力。4、分立器件与集成电路共同发カ,从家电扩展至汽车和ェ业作为国产化功率半导体平台公司,公司建有1条5英寸产线,2条6英寸产线,1条8英寸产线以及1条12英寸产线,2021年底合计产能超过25万片/月（等效8英寸）。从产品类别来看,公司主要产品分为三类:集成电路,功率分立器件和发光二极管产品,其中集成电路中占比较高的是广泛应用于家电和エ业变频领域的IPM模块,功率IC中的电源管理与LED驱动芯片,MEMS芯片以及MCU产品。功率分立器件包括MOSFETs,IGBTs

3和整流桥二极管产品三大类为主,超结MOSFET、IGBT、FRD、高性能低压分离栅MOSFET等分立器件的技术平台研发持续获得较快进展。另外从应用领域来看,大功率模块除了加快在白电、工业控制等市场拓展外,已开始加快进入新能源汽车、光伏等市场,预期今后公司的分立器件产品营收将继续快速成长。图表4：2016-202I年营收与同比増速8,0007囘80%201620172018201920202021营业收入yoy%鴻元@營是二、从平面型MOS升级至SGTMOS和超级结MOS1、电动车需求增长,MOSFET国产替代空间广阔根据Omdia统计,全球2019年功率半导体行业市场规模约为464亿美元,其中MOSFET销售规模为84.2亿美元,占比约为18.1%。如果以功率分立器件210亿美元市场规模进行测算,MOSFET占比为40%〇!Cinsights预计全球分立器件市场2021年同比增长26.7%,因此我们预估全球功率半导体分立器件在经历了2020年疫情低谷后,市场规模在2021年大幅增长至265

4亿美元。进入2022年,全球功率半导体分立器件市场规模有望超过300亿美元。全球MOSFET市场在2020年开始逐步复苏,以PC为代表的消费电子是MOSFET需求的主力,2020-2021年分别实现了29%和19%的增长,叠加全球电动车销量在2021年大增108%达到650万辆,我们预计带动MOSFET市场在2021年大幅增长27.5%达到114亿美元。全球MOSFET市场中,英飞凌,安森美和意法半导体分别位列前三位,根据Omdia的统计数据,2019年这三大厂商市占率分别为24.6%,12.8%和9.5%,华润微作为国内最大的MOSFET厂商市占率在全球范围内约为3.0%o2020年以后疫情导致全球晶圆产能紧张,我国MOSFET厂商实现了快速国产替代,不仅在产能端实现了扩增,而且产品结构也在从低阶产品向更高价值量产品升级。根据我们统计的国内上市公司中前五大MOSFETs厂商2021年营收合计达到78亿元,整体增长约69%,大幅超过全球MOSFET市场的增长,如果按照国内市场占全球40%的市场规模测算,2021年我国MOSFET市场规模预计为45.6亿美元,折合人民币292亿元,这五大厂商的市场占有率达到26.7%〇2、MOSFET产品结构优化,SGTMOS和超级结MOS达到业内先进水平2021年,士兰集昕公司在保持了较高水平产出的同时,加快产品结构调整步伐,附加值较高的高压超结MOS管、高密

5度低压沟槽栅MOS管实现大批量生产,预计公司2021年MOSFETs营收超过20亿元。图表5:2016-2021年归母净利润与同比増速扣非リヨ母净利涧•yoy%工定@管是2.!从沟槽栅低压MOS到沟槽分离栅SGTMOS损耗显著降低屏蔽栅功率MOSFET是ー种新的沟槽MOSFETエ艺,它可以做到减小导通阻抗Rds(on)»却不影响栅极电荷Qgo导通阻抗Rds(on)和栅极电荷Qg中,一般总是ー个减小则另ー个增大,故功率MOSFET设计人员必须考虑到二者之间的权衡。此外,屏蔽栅功率MOSFET能够减小中压MOSFET中导通阻抗的关键分量——与漏源击穿电压(BVdss)有关的外延怔抗(epiresistance)。

6这种技术特别适用于大于100V的应用领域,如电子雾化器、充电桩、电动工具、智能机器人、无人机、移动电源、数码类锂电池保护板、多口USB充电器、电动车控制、逆变器、适配器、手机快充、PC电源、TV电源板、UPS电源等。2.2服务器和电动车、充电桩出货量增长带动超级结MOSFET需求大增全球超级结MOS市场空间估计在20亿美金左右,而国内占30%（对应6亿美金,4〇〜50亿人民币）,中国台湾地区约!0%o在通信、服务器电源领域,中国台湾公司如台达、光宝供应链封闭,以使用海外MOS为主。国内超级结MOS市场空间在40〜50亿元,主要下游是服务器电源、白色家电、汽车OBC、充电桩等。服务器电源和汽车OBC现在国产化率估计在25〜30%。按下游应用市场划分,服务器电源是超级结MOSFETS最大的细分市场,估计国内市场20亿元,在下游应用中占比达到40-50%。新能源汽车的车载充电机（OBC）属于高频应用,单个OBC需要用到10个左右超级结MOSFETs,对应BOM成本是达到200元。2021年国内预计新能源车销量达到500万辆,对应约10亿元的超级结MOS市场规模。此外充电桩市场对于超级结MOSFETs需求也逐步增长,目前国内超级结MOS市场规模约为4-5亿。国内超级结MOS公司分为IC设计公司,如东微、尚阳通、新洁能等,和IDM公司,如华润微、士兰微等。国内

7IDM公司的超结技术路线是多次外延。国内超级结MOS晶圆代工公司以华虹为主（其他fab的超级结产能比较小）,其技术路线是深沟槽外延。深沟槽外延工艺生产的超结MOS的开关速度快,适合于对效率要求高的场合,如服务器电源、汽车OBC等。多次外延工艺适合应用在充电器等要求不高的场合。图表7：2021年营收结构按产品分拆12,000集成电路分立器件・发光二极管•其他业务工美@管是3、晶圆涨价上涨拉动功率半导体行业公司毛利率平均上涨15个百分点

8全球对于功率半导体的需求在2020年疫情后开始出现大幅增长,由于MOSFET生产主要集中在8英寸晶圆厂,因此受限于供给端的制约,功率半导体行业出现了价格的大幅上涨,根据新洁能招股书与东微半导披露的晶圆价格数据,在100V-200V电压等级需求的SGTMOS与超级结MOS均出现价格大幅上涨,21年上半年价格分别上涨32%和35%,因此驱动了国内MOSFET市场的高景气。我们判断进入2022年随着新增产能的释放,国内MOSFET市场涨价趋势较难持续,全年增长更多还是依赖产品销量的增长。从2020年开始,土兰微与行业内其他公司毛利率出现了明显回升,2021年随着行业供需紧张出现功率半导体器件价格上涨,毛利率的上升开始加速,到2021年Q3行业内平均毛利率涨幅接近15个百分点,土兰微毛利率提升幅度与行业基本接近,从2019年的20%增长至2021年三季度的35%。随着下游消费电子需求在去年Q3开始放缓,尤其是手机、PC以及家电的拉货需求减弱导致新洁能和土兰微毛利率在21年Q4开始出现小幅回落。4、12寸晶圆产线具备明显成本优势,国产替代份额有望持续上升国内功率半导体厂商正在从8寸转向12寸,以华虹半导体和土兰微为代表的晶圆代工厂和IDM厂商已经开始在12寸晶圆产线上生产MOSFET和IGBT等功率器件,虽然相比8英寸产线,12英寸产线设备更贵,硅片价格更高,但是在相同折旧期内,由于晶

9圆面积更大,并且12英寸晶圆生产产线自动化程度高于8英寸产线,使得人力成本低于8英寸产线,使得单位面积的综合成本相比8英寸反而低20%-30%,因此一般情况下12英寸MOSFET相比8英寸更具成本优势（实际情况中,大部分8英寸由于产线折旧结束导致代工成本相对更低）。从8到英寸升级到12英寸提升功率器件一致性,降低损耗。随着晶圆尺寸增大,特色工艺的制程一般也伴随升级,线宽降低,从8英寸晶圆到12英寸晶圆,平均线宽从91.5纳米下降到了83.9纳米。在器件结构尺寸精确度大幅提升前提下,器件静态及动态参数的一致性与性能指标也更有优势,由于制程微缩,能够加工的晶胞越多,晶胞单位密度越大,能量密度越大。结合12英寸晶圆减薄技术,MOSFET的导通电阻能减小接近40%,使热能损耗减小。

10图表8:公司集成电路与分立器件营收结构分拆功率IC44%代工）6%三、家电IPM模块国产替代加速,光伏、车规IGBT模块放量1、2022年全球IGBT规模持续高增23%,公司进入IGBT单管与IPM市场前十大按照IGBT产品形态不同大致可以分为IGBT单管,低功率IPM模块,以及包含PIM在内的功率更高的IGBT模块。IGBT模块在电动车电驱主控制器常用于逆变器的核心部件,随着电动车在全球范围内渗透率快速提升整个市场份额占比预计从2020年的55%提升至2022年的62%,IGBT单管在电动车、光伏等领域均有应用,预计份额保持不变,而IPM模块在家电和エ控领域应用更多,但是由于家电和エ控市场增长趋缓,预计在整个IGBT市场中的份额逐渐下降。全球IGBT市场在2021年迎来大幅反弹,由于IGBT作

11为电动车价值增量最大的零组件,在电动车功率半导体价值量占比达到75%,2021年全球电动车销量增长108%,带动全球IGBT市场规模大增32%达至U88亿美元,2022年全球电动车和光伏风电等清洁能源需求仍有50%以上的增长,我们预计2022年全球IGBT市场规模继续增长23%达到108亿美元。根据Omdia公布的2020年!GBT各个细分市场竞争格局,在IGBT单管市场,公司的市占率从2019年的2.2%提升至2.6%,在IPM市场,公司市占率从2019年的1.1%提升至1.6%〇2020年公司IGBT营收规模突破2.6亿元,2021年同比增长110%以上,预计2021年公司IGBT营收突破5亿元,IGBT单管市占率提升至3.7%。2021年公司IPM营收突破8.6亿元,同比增长100%以上,预计2021年公司在IPM模块市占率将提升至9%左右。公司的IGBT分立器件和大功率模块除了加快在白电、工业控制等市场拓展外,已开始加快进入新能源汽车、光伏等市场,预期今后公司的分立器件产品营收将继续快速成长。2、电动车与新能源发电领域驱动国内IGBT市场规模在2025年接近500亿国内市场而言,电动车销量的激增也带动了IGBT市场高速增长,预计2021年国内IGBT市场增长37%,达到246亿人民币,约占全球IGBT市场规模的44%左右。由于2022年国内电动车与新能源发电等市场的高速增长,叠加工控、

12家电领域的国产替代趋势持续进行,预计2022年国内IGBT市场规模仍有超过30%的增长,而后在市场规模基数不断增长的基础上行业增速也逐步放缓。图表9:全球功率半导体分立器件营收规模及増速全球功率半导体分立器件营收规模与增速US$bn,%y°y%-(ーイ「-ヨェ?雪是其中按照IGBT下游应用结构进行划分,根据集邦咨询统计的2018年IGBT在各个细分市场的规模,市场规模最大的是电动车,占比达到31%,而消费电子市场排在第二位,市场占比达到27%,エ控领域IGBT需求排在第三位,占比达到20%。未来五年内,我们预计车规IGBT领域是国内IGBT市场最重要的驱动カ,预计在2025年国内车规IGBT市场规模将达到144亿美元,成为国内IGBT需求应用最大的市场。3、2022年实现从家电和エ控领域向电动车与新能源发电领域的快速扩张从公司IGBT的下游应用市场来看,公司的IPM模块和

13单管主要以家电和エ控市场为主,2022年公司IPM营收突破8.6亿元,同比增长100%,主要用于空调、冰箱、洗衣机白电产品以及电动工具、エ业变频器的エ控市场。IGBT单管预计在2021年营收突破5亿元,除了在家电和エ控领域持续拓展以外,今年开始进入新能源汽车与光伏市场。由于海外功率大厂如英飞凌和安森美由于产能限制在2022年对于国内车规IGBT和光伏iGBT供应减少,我们预计公司在今年快速导入比亚迪、零跑、吉利等国内电动车主机厂,在光伏领域开始供应阳光电源等国内光伏逆变器龙头厂商,有望实现从白电、工控向车规和新能源发电领域的渗透与产品结构的升级。4、率先采用12寸晶圆生产IGBT芯片,エ艺与产生均处于领先地位我们对于国内IGBT晶圆厂的产能供应进行了详细的梳理,国内目前能够实现IGBT代工的主要包括华虹半导体,积塔半导体和中芯绍芯,预计在2021年这三大代工厂的IGBT产能（等效8寸）分别为2.5万片,1.5万片,1.5万片,但是从实际出货量来看,由于华虹半导体和积塔半导体在功率半导体领域工艺积累时间较长,产能利用率保持满载,中芯绍兴产能利用率逐步提升,预计这三大代工厂产能占比为41%〇目前国内IGBT厂商目前还是以8英寸为主,全球范围内能够在12晶圆大规模生产IGBT芯片的只有英飞凌,国内

14华虹半导体开始将IGBT芯片的生产从8寸切换至12寸。由于IGBT芯片背面需要减薄工艺和离子注入,所以晶圆尺寸越大,减薄后对于晶圆应カ的控制要求越高。士兰微世国内IDM厂商中率先在12寸晶圆上生产IGBT的厂商,体现了公司在IGBT晶圆生产制造エ艺优势。公司作为功率半导体IDM国产龙头厂商,预计2021年IGBT产能为2万片,2022年预计IGBT产能达到5万片,2023预计进ー步增长23%。

15图表10:全球MOSFET营收规模及増速全球MOSFET营收规模与增速US$bn,%MOSFETyoy%四、碳化硅量产线即将通线,从硅基升级至碳化硅基功率器件1、2021年碳化硅器件市场强劲增长57%,预计2027年市场规模超60亿美元继特斯拉釆用SiC后,2020年和2021年又有多款新发布的EV和公告。此外,特斯拉创纪录的出货量帮助SiC器件在2021年达到10亿美元的规模。他们指出,为了满足长续航的需求,800VEV是实现快速直流充电的解决方案。这就是1200Vsic器件发挥重要作用的地方。截至2022年,比亚迪的Han-EV和现代的Ioniq5通过提供快速充电功能获得了不错的销量。Nio、Xpeng等更多OEM计划在2022年将SiCEV推向市场。除汽车外,工业和能源应用在我们的预测期内代表着增长率超过20%的市场。例如,采用SiC模块的

16大功率充电基础设施的部署,以及日益增长的光伏安装。在这种情况下,根据Yole的最新预测中,预计到2027年,SiC器件市场将从2021年的10亿美元业务增长到60亿美元以上。在顶级SiC器件厂商中,意法半导体和Wolfspeed的SiC收入在2021年同比增长超过50%,与全球SiC器件市场57%的增长保持一致。英飞凌以工业应用为基础进入主逆变器业务,实现了126%的增长。onsemi也在2021年以强劲的增长加入了这个战局。随着这些公司正在将其SiC发展到十亿美元的业务,未来几年的竞争也可以在供应链整合中确定。2、目前国内碳化硅二极管需求率先爆发,碳化硅MOS需求迎来爆发从碳化硅器件来看,可以分为碳化硅二极管,碳化硅MOSFET单管与碳化硅MOSFET模块三大类,电流越大的单颗碳化硅芯片面积越大,目前在6英寸为主的衬底制备エ艺下,导致良率较低,因此目前在充电桩领域和车载OBC领域开始大量采用碳化硅二极管与碳化硅MOSFET单管。ー个特斯拉的超级充电桩会用到SiCMOSFET,如果不考虑DC-DC的用量,预计需要14个SiCMOS。目前在新能源汽车OBC领域主流功率等级为6.6KW,预计至U2022年11KW的OBC成为

17主流,每个11KW的OBC用到10颗碳化硅MOS,价值量达到?0美元。图表11:全球MOSFETs竞争格局DiscretePowerMOSFETs2019totalmarket:$8.10bnInfineon24.6%ONSemiSTMicroToshibaRenesas*VishayAlphaandOmegaNexperiaChinaResourcesMagnaChip12.8%9.5%7.3%■Mi5.6%5.0%4.5%4.1%・3.0%■1-8%当条@管是碳化硅器件价值量更大的在于电动车主驱逆变器的应用,以小鹏G9采用的SiCMOSFET模块为例,单个主驱逆变器需要用到包含48颗碳化硅MOSFET的模块,价值量达到800美元,如果考虑到11KW的车载OBC价值量为70美金和DC-DC用到的4颗MOSFET价值量为28美元,整台汽车的碳化硅价值量为900美元。2022年,采用800V电压平台的电动车会相继上市,蔚来ET7,小鹏G9,广汽埃安和广汽智己等车型,目前国内碳化硅MOSFET芯片供应商主要还是wolfspeed,安森美,英飞凌和意法半导体。

183、公司碳化硅量产线即将投产,碳化硅MOSFET产品送样2021年,公司SiC功率器件的中试线已在上半年实现通线。目前公司已完成车规级SiC-MOSFET器件的研发,正在做全面的可靠性评估,将要送客户评价并开始量产。公司已着手在厦门士兰明钱公司建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线,预计在2022年三季度实现通线。目前行业内已经有碳化硅量产线的厂商是三安光电和积塔半导体,2021年6月三安光电6英寸碳化硅产线正式投产,产能为3K/月,预计2022年扩产至4K7月,产品主要为高功率密度碳化硅二极管、MOSFET及硅基氮化钱产品。碳化硅二极管在2021年新开拓送样客户超过500家,出货客户超过200家,超过60种产品已进入量产阶段。碳化硅MOSFETエ业级产品已送样客户验证,车规级产品正配合多家车企做流片设计及测试;碳化硅MOSFET车规级与新能源汽车重点客户的合作已经取得重大突破。积塔半导体目前有一条6英寸碳化硅产线,设计产能为2K7月,但是目前受制于下游客户推广较慢,产能利用率处于较低水平。近期时代电气也发布了碳化硅产线扩产计划,计划投入4.6亿元将现有4英寸平面栅SiCMOSFET芯片提升至6英寸的沟槽栅碳化硅产线,产能从1万片4英寸年产能扩产至2.5万片6英寸年产能,整个项目建设周期为2年。时代电气将这条产线产品定位为车规级SiCMOSFET,按照目前2.5万片年产能的规划,如果假设每片6

19英寸晶圆可以配套5辆车左右,预计全年可以配套车辆为12.5万辆,如果单个SiC模块按照5000元价值量测算,对应产值为6.25亿元。斯达半导在去年9月份发布定增公告,计划投入5亿元开展SiC芯片的研发和产业化,项目建设期为3年,预计将形成年产6万片6英寸SiC芯片生产能力。

20图表14:降低器件在开关电源应用中的开关损耗五、从分立器件走向模拟电路,布局电源管理IC与MEMS1、功率IC:快充芯片上量,DC-DC开始导入公司作为功率半导体国产化龙头厂商,不仅在功率分立器件如MOSFET,IGBT,二极管和整流桥等领域具有产能和エ艺领先优势,而且开始从分立器件向功率IC领域拓展,目前公司最先突破的是电源管理芯片。1)2018年开始公司就积极布局快充芯片的研发,推出针对智能手机的快充芯片组,以及针对旅充、移动电源和车充的多协议快充解决方案的系列产品,2019年开始积极导入国内手机品牌厂商,2020年公司快充芯片出货量显著提高。

212）2021年,公司推出了多款PoE（以太网供电）芯片,包括多款DC-DC电源芯片,可以满足安防等领域多种功率和整机应用需求,整体解决方案国内领先。2021年公司在8英寸产线完成了0.35um,0.18um,0.13umBCDエ艺的开发,为公司进入模拟电路芯片提供了エ艺基础。根据芯谋研究的统计,在国内本土功率IC厂商排名中,士兰微排名第三位。从功率半导体整个市场来看,功率分立器件和功率IC是最重要的两个部分,其中,功率分立器件属于非集成电路,主要包括MOSFET、IGBT、功率二极管、功率晶体管及晶闸管等;而功率IC属于集成电路IC中的模拟IC,主要包括AC/DC转换芯片、BMIC（电池管理芯片）、DC/DC转换芯片、GateDrive（栅极驱动芯片）、HotSwap（热插拔芯片）、LDO（低压差电压调节芯片）、PFC（功率因素校正芯片）、PMU（电源管理单元）、PoE（以太网供电芯片）、SwitchControl（开关控制芯片）、PowerStage（功率级芯片）、VoltageReference（基准电压）、VoltageSupervisor（电压监测芯片）等13个细分类型。图表16：SGTMOS晶圆价格变动趋势

22SGT晶圆价格yoy%豆み@營是芯谋研究预估2021年全球功率IC规模达300亿美元,而去年则是240亿美元,同比增长高达25%,略髙于半导体市场平均增长水平。电源管理IC是功率IC的最大分类,甚至不少人将功率IC直接称为“电源芯片’‘由于电源管理IC是保障设备电压在可承受范围,电压变化过大可能对电子设备有害,只要用到电源的地方基本上都要用到电源管理IC。因此电源管理IC在整个模拟IC市场的占比份额较大,目前,电源管理IC占据通用模拟市场的59%,根据ICinsights统计,预计2022年全球电源管理芯片市场规模为212亿美元。依据输入电源属性、工作原理、耐压高低、输出功率、输出电源属性、电源转换方式、开关频率等主要参数或技术指标,电源芯片可以分成AC-DC（交流一直流）电源芯片、线性降压电源（LDO）芯片和DC-DC（直流一直流）电源芯片三大类,衡

23量电源管理芯片的核心性能指标包括效率、功耗、耐压、启动时间、集成度等。电源管理IC的下游应用十分广泛,是因为在电子设备系统中其担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理职责的芯片。电源管理芯片的下游应用主要有:消费电子、通讯、数据处理、エ业/医疗/其他、军事/航天和汽车领域,其中通讯领域的应用最多达到25%。功率ic芯片种类多样,相关制造エ艺技术类型也很多,主要包括BCDエ艺（BipolarCMOSDMOS,BCD）ヽBiCMOSエ艺（BipolarCMOS）、CDMOSエ艺（CMOSDMOS）、MixedSignalエ艺（模拟混合信号エ艺）、Analog工艺（模拟）ヽCMOSエ艺等等。BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技术是ー种单片集成工艺技术,能够在同一芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件,1985年由意法半导体率先研制成功。随着集成电路工艺的进ー步发展,BCDエ艺已经成为PMIC的主流制造技术。经过35年的发展,意法半导体开发了一系列对全球功率IC影响深远的BCDエ艺,意法半导体目前提供三种主要的BCD技术,包括BCD6（0.35微米）/BCD6s（0.32微米）、BCD8（0.18微米）/BCD8s（0.16微米和BCD9（0.13微米）/BCD9s（0.11微米）,其第十代BCDエ艺将采用90纳米。华虹半导体能够实现90nm的BCDエ艺,华润微能够实现最先进的工艺微0.18um,士兰微是0.13um,中芯国际有超过10

24年的模拟芯片/电源管理芯片大规模生产经验,技术涵盖了0.35微米到0.15微米。其中华虹半导体基于成熟的CMOSエ艺平台,目前提供的BCDエ艺平台电压涵盖1.8V到700V,エ艺节点涵盖90纳米/0.13微米/0.18微米/0.35微米/0.5微米/0.8微米八.。微米,在0.5微米、0.35微米、0.18微米节点上积累了丰富的量产经验。未来,华虹半导体将继续发挥在超级结MOSyoy%豆ポ@管是2、MEMS：加速度传感器（G-Sensor）实现国产替代除了功率IC领域,公司在2018年成功开发出高精度硅

25麦克风,加速度计,以及压カ传感器、光传感器、心率传感器等MEMS产品,2021年公司MEMS传感器产品营业收入达到2.67亿元,较上年增加80%以上,实现销售毛利7,700.31万元,实现净利润3,879.44万元,毛利率和净利润率分别为28.8%和14.5%,加速度传感器等产品已在8吋线上实现了批量产出,单月出货量已接近3,000万只,多数国内手机品牌厂商已大批量使用公司的加速度传感器。公司规划MEMS传感器年产能为8.9亿只,项目预计达产后正常生产年年销售收入10.6亿元,正常生产年所得税后利润1.46亿元。公司的红外光感传感器、心率传感器、硅麦克风、六轴惯性传感器等MEMS产品的市场推广和研发都取得了较大的进展。公司MEMS传感器产品除在智能手机、可穿戴设备等消费领域继续加大供应外,还将加快向白电、エ业、汽车等领域拓展,预计今后公司MEMS传感器产品的出货量还将进ー步增长。根据ICinsights统计,由于电动车市场的快速增长,全球MEMS传感芯片市场预计在2021年增长16%达到159亿美元,未来五年,MEMS传感芯片的销售额复合增长为11.8%,预计2025年市场规模增至241亿美元,销售量的增速将达到13.4%,预计2025年MEMS传感器出货量将达到321亿颗。目前大约44%的MEMS传感器与执行器的销售来自于车用领域,压カ传感器、加速计、陀螺仪与流量传感器四类器

26件合计占汽车MEMS系统的99%〇以意法半导体产品线为例,意法半导体目前在汽车MEMS传感器上的布局涵盖了充电、连接、ADAS和共享移动。比如其中的AIS3624DQ是个3轴加速计,用于做震动检测;AIS25BA则作为宽频带加速计,可感知车轮震动,也可做电机的震动分析;MP23DB01HP是一款可去路噪的麦克风传感器;AIS2DW12是用于电池供电设备的低功耗3轴加速计（如车钥匙）；还有SK95这样用于监测胎压的重力加速计等等。

27图表18:2017-2021MOSFET厂商毛利率变化•扬・科技华涧微新洁能士兰微,l3七^為富・起我们认为随着先进制程工艺走到10nm以下,芯片成本将逐步上升,带来无论是建厂成本、エ艺研发还是产品研制费用的急剧增加,集成电路工艺技术逐渐从单ー追求尺寸依赖的先进エ艺,向先进エ艺(MoreMoore)、非尺寸依赖的特色エ艺(MorethanMoore)和先进封装三个维度并举发展。特色工艺成为国内IDM产商发展的ー个重要方向,我们把嵌入式非易失性存储エ艺eNVM、BiCMOSエ艺、RFCMOST艺、BCDエ艺、MEMSエ艺,乃至GaAs、GaN、SiCエ艺等不完全靠尺寸缩小来提升性能的工艺统称为非尺寸依赖的特色エ艺。

28从需求端来看,无论是物联网的快速发展,还是电动车和エ业互联网等领域的渗透率提升,对于MEMS传感器的需求量都在不断增长,但是目前国内MEMS渗透率非常低,士兰微等IDM在国内率先实现了消费电子领域加速度传感器的替代,未来随着逐步导入汽车领域,将有望实现对于汽车领域MEMS产品的替代。