半导体前三单元答案

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1、P32半导体习题1.析：（1）由题意可得：同理（2）由于（即导带底电子有效质量）（3）同理有（即价带顶电子有效质量）（4）处于价带顶时k＝0，则准动量P1＝hk＝0处于导带底时，则准动量准动量变化1.析：有题意可得两边积分得其中a为晶格常数（a＝0.25nm）分别把E＝102V/mE＝107V/m代入得t1=8.310-8st2=8.310-13sP812.析：由题意可得（1）（2）（3）其中h＝6.62510－23JS为普朗克常数k0＝1.38010－23J/k为玻尔兹曼常数T＝300K,1ev=1.610-19J分别把数据代入（1）（2）（3）式得1）对Si而言

2、2）对Ge而言Eg＝0.67eV3）对GaAs而言Eg＝1.428eV7．析：由题意可得（1）同理代入数据得当T＝77K时当T＝300K时（2）由题意得n0＝n0＋＋P0而P0＝0n0＝n0＋9.析由题意可知在室温下Si的ni＝7.8109cm-3，Nc＝2.81019cm-3当时，则有当时，则有当时，则有而当时当时当时综上可得假设对成立。但对，不成立。杂质全部电离的浓度上限为当浓度大于时，则不满足上述假设。小于时则成立。P8213.解（1）由题意可得：当=0.044ev时而因为有(2)当T=300K时(3)当T=500K时代数据得（4）当T=800K时代数据得16

3、解：由题意可得，当掺砷原子时形成的n型半导体，当掺In原子时形成的p型半导体,因为砷原子的浓度大于铟原子的浓度，所以为n型半导体，则有（1）当T=300K时，（2）当T=600K时17解：由题意可得，当T=400K时20解：（1）由题意可得在强电离区：（2）靠近饱和电离区(3)当时更靠近饱和电离区（4）当时靠近本征激发区