最新模拟电子电路基础11教学讲义ppt.ppt

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1、模拟电子电路基础111.1半导体材料及导电特性返回1.1.1本征半导体返回1.1.2杂质半导体(donorandacceptorimpurities)3.3X1012分之一返回(一)N型半导体(NTypesemiconductor)室温T=300k+++++5返回(二)P型半导体(Ptypesemiconductor)----返回(三)杂质半导体中的载流子浓度本征半导体中载流子由本征激发产生:ni=pi掺杂半导体中(NorP)→掺杂越多→多子浓度↑→少子浓度↓杂质半导体载流子由两个过程产生:杂质电离→多子本征激发→少子由半导体理论可以证

2、明,两种载流子的浓度满足以下关系:1热平衡条件:温度一定时,两种载流子浓度积之,等于本征浓度的平方。N型半导体:若以nn表示电子(多子),pn表示空穴(少子)则有nn.pn=ni2P型半导体:pp表示空穴(多子),np表示电子浓度(少子)Pp.np=ni22电中性条件:整块半导体的正电荷量与负电荷量恒等。N型:No表示施主杂质浓度,则:nn=No+pnP型:NA表示受主杂质浓度,Pp=NA+np由于一般总有No>>pnNA>>np所以有N型:nn≈No且:pn≈ni2/NDP型:pp≈NAnp≈ni2/NA多子浓度等于掺杂浓度少子浓度与

3、本征浓度ni2有关,与温度无关随温度升高而增加,是半导体元件温度漂移的主要原因多子浓度少子浓度返回1.1.3漂移电流与扩散电流半导体中有两种载流子:电子和空穴,这两种载流子的定向运动会引起导电电流。引起载流子定向运动的原因有两种:由于电场而引起的定向运动――漂移运动。(漂移电流)由于载流子的浓度梯度而引起的定向运动――扩散运动(扩散电流)(一)漂移电流(driftcurrent)在电子浓度为n,空穴浓度为p的半导体两端外加电压V,在电场E的作用下,空穴将沿电场方向运动,电子将沿与电场相反方向运动:EV●●●●●○○○○○○○○○○○○○

4、○○○○○○○○○○○●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●返回(二)扩散电流(diffusioncurrent)光照N型半导体x●●●●●●●○○○○○●●●n(x)p(x)载流子浓度热平衡值热平衡值x●●●●●●●○○○○○●●●●●●●●●●○○○○○●●●●●●●●●●○○○○○●●●返回§1.2PN结原理1.2.2空间电荷区特点:1.2.1PN结的形成及特点返回NP++++++++++++++++----------------§1.2PN结原理ENP++++++++++++++++----------------返回1.2

5、.1PN结的形成及特点一PN结的动态平衡过程和接触电位消弱内建电场ENP++++++++++++++++----------------ENP++++++++++++++++----------------热平衡(动态平衡)返回1.2.2空间电荷区特点:NP++++++++++++++++----------------Eρ电荷密度E电场强度φ电位qUФ内建电位势垒(电子势能)qUФPN返回1.3晶体二极管及应用1.3.2二极管的电阻1.3.3二极管的交流小信号等效模型1.3.4二极管应用电路1.3.1晶体二极管的伏安特性引言返回1.3

6、.5稳压管1.3.6PN结电容1.3.7PN结的温度特性1.3.8二极管主要参数1.3晶体二极管及应用NP++++++++++++++++----------------E1.3.1晶体二极管的伏安特性返回1.正向偏置,正向电流RUNP++++++++++++++++----------------UiDUφUφ-U扩散iDiDiDiD++__返回NP++++++++++++++++----------------2.反向偏置,反向电流RUUiRNP++++++++++++++++----------------UФUФ+UiRiRiR

7、iR++__返回Si(二)伏安特性Ge1.0iDuD●UON●UON返回Si(二)伏安特性iR=-IsGeSiGeU(BR)U(BR)1.0iDuD返回Si(二)伏安特性iR=-IsSiGeGeU(BR)U(BR)1.0iDuD二极管击穿后端电压几乎不变,具有稳压特性。返回IDQ●UDiDuDuD(忽略R上的电压)1.3.2二极管的电阻返回rdCJSi1.0iDuD●●在低频工作时,CJ可忽略。电路仿真1.3.3二极管的交流小信号等效模型返回uiui1.3.4二极管应用电路1整流电路ui<0,二级管截止,iD=0,uo=0+uo-iDu

8、i>0,二级管导通,,uo=ui电路仿真2二极管限幅电路右图为双向的限幅电路如果设:二极管的开启电压UON=0.7V则有:

9、ui

10、

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