最新唐氏综合症的产前筛查教学讲义ppt.ppt

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6、的产前筛查3.1能级与能带有何不同？固体的能带怎么形成的？单个原子的能级是分立的，N个相距无限远的原子能级也是分立的，当固体中N个原子紧密排列时，由于原子间的相互作用，原来同一大小的能级这时彼此数值上就有小的差异。同一能级就分裂成为一系列和原来能级很接近的仍包含N个能量的新能级。这些新能级基本上连成一片形成能带。3.2从能带结构来看导体、绝缘体、半导体有什么差异？导体一般都有未被价电子填满的导带。还有满带与空带重叠或导带与空带重叠的情形。绝缘体和半导体在满带和空带之间都有一个无能级存在的禁带。绝缘体的禁带宽度一般很宽

7、，Eg约为3~6eV，半导体的禁带宽度较窄，Eg约为0.1~2eV。3.3掺杂与加热均能使半导体的电导率增加，但二者有何不同?以n型半导体为例,掺杂形成的杂质能级靠近导带底部。比禁带宽度小得多。在常温下这种杂质能级上的电子很容易被激发到导带中去，使导带中自由电子浓度增大，大大提高了半导体的导电性。加热使满带中相当数量的电子被激发到空带中去，这些空带中的电子和相应满带中的空穴可参加导电，使半导体的电导率增加。加热需使电子跃过禁带。Eg约为01～2eV掺杂杂质能级与导带底部之间的能量差约为10-2eV显然掺杂对半导

8、体导电率的影响较大。3.4本征半导体与杂质半导体导电机构有何不同？本征半导体中导带中的电子与满带中的空穴数相等。本征半导体的导电机构是电子与空穴并存，所以它有电子导电性同时具有空穴导电性。掺施主杂质的半导体主要靠电子导电，称为电子型半导体或n型半导体,n型半导体中导带中的电子数远大干满带中的空穴数。掺受主杂质的半导你读者可自行讨论。3.5本征半