最新MOS管教程..教学讲义PPT.ppt

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1、MOS管教程..第四章　场效应管放大路主要内容：4.1结型场效应管4.2MOS场效应管4.3场效应管的主要参数4.4场效应管放大电路小结引言场效应管FET(FieldEffectTransistor)类型：结型JFET(JunctionFieldEffectTransistor)绝缘栅型IGFET(InsulatedGateFET)3.转移特性和输出特性UGS(off)当UGS(off)uGS0时,uGSiDIDSSuDSiDuGS=–3V–2V–1V0V–3VOO一、增强型N沟道MOSFET(MentalOx

2、ideSemi—FET)4.2MOS场效应管1.结构与符号P型衬底(掺杂浓度低)N+N+用扩散的方法制作两个N区在硅片表面生一层薄SiO2绝缘层SD用金属铝引出源极S和漏极DG在绝缘层上喷金属铝引出栅极GB耗尽层S—源极SourceG—栅极GateD—漏极DrainSGDB2.工作原理1)uGS对导电沟道的影响(uDS=0)反型层(沟道)1)uGS对导电沟道的影响(uDS=0)a.当UGS=0，DS间为两个背对背的PN结；b.当0

3、层)；c.当uGSUGS(th)时，衬底中电子被吸引到表面，形成导电沟道。uGS越大沟道越厚。2)uDS对iD的影响(uGS>UGS(th))DS间的电位差使沟道呈楔形，uDS，靠近漏极端的沟道厚度变薄。预夹断(UGD=UGS(th))：漏极附近反型层消失。预夹断发生之前：uDSiD。预夹断发生之后：uDSiD不变。3.转移特性曲线2464321uGS/ViD/mAUDS=10VUGS(th)当uGS>UGS(th)时：uGS=2UGS(th)时的iD值开启电压O4.输出特性曲线可变电阻区uDS

4、UGS(th)uDSiD，直到预夹断饱和(放大区)uDS，iD不变uDS加在耗尽层上，沟道电阻不变截止区uGSUGS(th)全夹断iD=0iD/mAuDS/VuGS=2V4V6V8V截止区饱和区可变电阻区放大区恒流区O二、耗尽型N沟道MOSFETSGDBSio2绝缘层中掺入正离子在uGS=0时已形成沟道；在DS间加正电压时形成iD，uGSUGS(off)时，全夹断。二、耗尽型N沟道MOSFET输出特性uGS/ViD/mA转移特性IDSSUGS(off)夹断电压饱和漏极电流当uGSUGS(off)时，

5、uDS/ViD/mAuGS=4V2V0V2VOO三、P沟道MOSFET增强型耗尽型SGDBSGDBN沟道增强型SGDBiDP沟道增强型SGDBiD2–2OuGS/ViD/mAUGS(th)SGDBiDN沟道耗尽型iDSGDBP沟道耗尽型UGS(off)IDSSuGS/ViD/mA–5O5FET符号、特性的比较OuDS/ViD/mA5V2V0V–2VuGS=2V0V–2V–5VN沟道结型SGDiDSGDiDP沟道结型uGS/ViD/mA5–5OIDSSUGS(off)OuDS/ViD/mA5V2V0VuGS=0V

6、–2V–5V4.3场效应管的主要参数开启电压UGS(th)(增强型)夹断电压UGS(off)(耗尽型)指uDS=某值，使漏极电流iD为某一小电流时的uGS值。UGS(th)UGS(off)2.饱和漏极电流IDSS耗尽型场效应管，当uGS=0时所对应的漏极电流。IDSSuGS/ViD/mAOUGS(th)UGS(off)3.直流输入电阻RGS指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流电阻。JFET：RGS>107MOSFET：RGS=1091015IDSSuGS/ViD/mAO4.低频跨导gm反映了uGS对

7、iD的控制能力，单位S(西门子)。一般为几毫西(mS)uGS/ViD/mAQOPDM=uDSiD，受温度限制。5.漏源动态电阻rds6.最大漏极功耗PDM4.4场效应管放大电路4.4.2场效应管电路小信号等效电路分析法4.4.1场效应管放大电路的组态4.4.1场效应管放大电路的组态三种组态：共源、共漏、共栅特点：输入电阻极高，噪声低，热稳定性好一、直流偏置电路1.自给偏压电路+VDDRDC2CS+++uoC1+uiRGRSGSD栅极电阻RG的作用：(1)为栅偏压提供通路(2)泻放栅极积累电荷源极电阻RS的作用：

8、提供负栅偏压漏极电阻RD的作用：把iD的变化变为uDS的变化UGSQ=UGQ–USQ=–IDQRS2.分压式自偏压电路调整电阻的大小，可获得：UGSQ>0UGSQ=0UGSQ<0RL+VDDRDC2CS+++uoC1+uiRG2RSGSDRG1RG3例1耗尽型N沟道MOS管，RG=1M，RS=2k，RD=12k，VDD=20V。IDSS=4mA，U