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时间:2021-04-14
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1、MOS集成电路工艺入门资料IC工艺常用术语净化级别:Class1,Class10,Class10,000每立方米空气中含灰尘的个数去离子水氧化扩散注入光刻…………….集成电路(IntegratedCircuit,IC):半导体IC,膜IC,混合IC半导体IC:指用半导体工艺把电路中的有源器件、无源元件及互联布线等以相互不可分离的状态制作在半导体上,最后封装在一个管壳内,构成一个完整的、具有特定功能的电路。半导体IC双极ICMOSICBiCMOSPMOSICCMOSICNMOSICCMOSCMOS:ComplementarySymmetryMetal
2、OxideSemiconductor互补对称金属氧化物半导体-特点:低功耗VSSVDDVoViCMOS倒相器PMOSNMOSI/OI/OVDDVSSCCCMOS传输门N-SiP+P+n+n+P-阱DDVoVGVSSSSVDDCMOS倒相器截面图CMOS倒相器版图pwellactivepolyN+implantP+implantomicontactmetalANMOSExamplepwellPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetalN-typeSiSiO2光刻胶光MASKPwellN-typeSi
3、SiO2光刻胶光刻胶MASKPwellN-typeSiSiO2光刻胶光刻胶SiO2N-typeSiSiO2SiO2PwellpwellactivePwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetalN-typeSiSiO2PwellSiO2光刻胶MASKactiveMASKActiveSi3N4N-typeSiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶MASKactiveMASKActiveSi3N4N-typeSiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶Si3N4N-typeSiSiO2PwellSiO2场氧
4、场氧场氧PwellSi3N4N-typeSiSiO2Pwell场氧场氧场氧PwellN-typeSiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧PwellpolyactivepwellpolyPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetalN-typeSiSiO2PwellSiO2MASKpoly场氧场氧场氧Pwellpoly光刻胶N-typeSiSiO2PwellSiO2MASKpoly场氧场氧场氧Pwell光刻胶polyN-typeSiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧PwellpolyN-type
5、SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧PwellpolyactivepwellpolyN+implantPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetalN-typeSiSiO2PwellSiO2MASKN+场氧场氧场氧Pwellpoly光刻胶N-typeSiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧Pwell光刻胶polyN+implantS/DactivepwellpolyP+implantPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetalN-typeS
6、iSiO2PwellSiO2MASKN+场氧场氧场氧Pwellpoly光刻胶光S/D第二节疼痛运城护理职业学院内科教研组陈春菊头痛胸痛腹痛第一部分头痛病因临床表现1.颅内病变:感染、占位性病变、血管性病变、颅脑外伤、其他如偏头痛。2.颅外病变:颅骨病变、颈部疾病、神经痛、面部五官疾病。3.全身性疾病:感染、心血管疾病、中毒等等。临床表现1.发病情况:急性头痛伴有发热——感染性疾病;急剧头痛持续不减,并用不同程度的意识障碍而无发热——提示颅内血管性疾病;长期的反复头痛或搏动性头痛——多为血管性头痛或神经官能症;慢性头痛伴颅内压增高——颅内占位性疾病;
7、2.头痛的部位:偏头痛或丛集性头痛——多在一侧;颅内病变——深在且弥散;高血压——多在额部或整个头部;全身性或颅内感染——全头部痛;蛛网膜下腔出血或脑脊髓膜炎——头痛还有颈痛。临床表现3.头痛的程度和性质:程度分为:轻、中、重;但是与病情的轻重并无平行关系。三叉神经痛、偏头痛、脑膜刺激——剧痛;脑肿瘤——轻到中度痛;高血压、血管性及发热性疾病——搏动性;神经痛——电击样痛或刺痛;肌肉收缩性头痛——重压感、紧箍感或钳夹样痛。临床表现4.头痛出现的时间与持续时间颅内占位性病变——清晨加剧;鼻窦炎——清晨或上午;丛集性头痛——常发生于晚间;女性偏头痛——
8、与月经期有关。脑肿瘤——头痛呈持续性。临床表现5.头痛加重或缓解的因素咳嗽、打喷嚏、摇头、附身——颅内高压性头痛、血管性头
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