产城会-半导体存储器产业链研究报告.docx

产城会-半导体存储器产业链研究报告.docx

ID:62023766

大小:288.67 KB

页数:21页

时间:2021-04-14

产城会-半导体存储器产业链研究报告.docx_第1页
产城会-半导体存储器产业链研究报告.docx_第2页
产城会-半导体存储器产业链研究报告.docx_第3页
产城会-半导体存储器产业链研究报告.docx_第4页
产城会-半导体存储器产业链研究报告.docx_第5页
资源描述:

《产城会-半导体存储器产业链研究报告.docx》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、高考半导体存储器产业链研究报告珞珈投资发展(某某)某某一、节点简介存储器是计算机系统中用来存储程序和各种数据的记忆设备。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。存储器目前主要采用半导体和磁性材料作为存储介质。按不同的分类方式,存储器可以分出多种类别:按照存储介质分类,可以粗略分为半导体存储、磁性存储和光学存储;按照读写功能,分为只读存储器ROM和随机存储器RAM;按存储器在计算机系统中所起的作用,可分为主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。 我们最常用的存储器主要有SRAM、DRAM和FLASHMEMORY

2、。SRAM的一个存储单元需要较多的晶体管,价格昂贵,容量不大,多用于制造CPU内部的Cache;DRAM即我们通常所说的内存大小,用于我们通常的数据存取。FLASHMEMORY寿命长、体积小、功耗低、抗振性强,并具有在线非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)等优点,为嵌入式系统中典型的存储设备,多用于数码相机、手机、平板电脑、MP3等。FLASHMEMORY又分为NORFLASH和NANDFLASH。NORFLASH的传输效率高,容量小,程序可以在芯片内部执行,价格较昂贵,因此适合频繁随机读写的场合。NANDFLASH生产过程简单,容量大,价格较低,因此主要用来存储

3、资料。高考按易失性区分存储器主要分为两类:易失性和非易失性。易失性:断电以后,存储器内的信息就流失了,例如DRAM,主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR),两者各占三成。非易失性:断电以后,存储器内的信息仍然存在,主要是闪存(NandFLASH和NORFLASH),NOR主要应用于代码存储介质中,而NAND则用于数据存储。近年来,存储器行业在下游需求的推动下快速发展,一方面表现为工艺制程的不断突破,已经到达20nm左右的极限水平;另一方面则表现为新兴技术的迅猛发展,如3DNAND技术和3DTSV封装技术。横向比较目前市场上主流的存储器NANDFLASH、N

4、ORFLASH和DRAM,NANDFLASH发展势头最好,不断挤压NORFLASH的市场空间,但现有的工艺制程已达极限,3DNANDFLASH是未来发展方向;NORFLASH逐渐被国际巨头放弃,而中国市场需求量庞大,将是中国NORFLASH厂商的发展机遇;DRAM市场随着PC需求的萎缩而迅速下降,在移动终端引领的新时代,MobileDRAM有望挑起DRAM市场的大梁。从需求端看,移动设备的普及、网络的全面融入以及大数据云计算的概念让人们对数据量的需求呈爆发式增长,各行各业的进一步发展已经离不开大数据的支持。受益于此,存储器行业机遇凸显。DRAM内存商用已历经50年,NANDF

5、lash闪存面世也已经有30年,从最初的群雄并举演化到当前的寡头格局,地域上也可分出韩国、美日、和中国某某这3个梯队;以长江存储、长鑫、晋华和紫光DRAM项目为主的中国新晋力量受到广泛关注。高考存储器主要包括DRAM、NANDFlash和NORFlash。其中DRAM约占存储器市场53%,NANDFlash约占存储器市场42%,而NORFlash仅占3%左右。DRAM即通常所说的运行内存,根据下游需求不同主要分为:标准型(PC)、服务器(Server)、移动式(mobile)、绘图用(Graphic)和消费电子类(Consumer)。NANDFlash即通常所说的闪存,根据下

6、游需求不同主要分为:存储卡/UFD、SSD、嵌入式存储和其他。根据世界半导体贸易统计协会数据,2017年存储器电路(Memory)产品市场销售额为1229.18亿美元,同比增长60.1%,占到全球半导体市场总值的30.1%。其主要原因是因DRAM和NANDFlash从2016年下半年起缺货,并引发DRAM和NANDFlash涨价。内存是计算机中占时存储数据的地方,用于给CPU展示存储运算数据。通常我们使用的内存采用DRAM芯片。目前,内存已经升级到DDR4时代,其内存单条容量已经可以达到64GB,甚至128GB,更低的电压使耗电量减少,传输速度有望达到4266MHz。随着传统

7、PC的低迷,移动互联设备的兴起,MoblieDRAM出货量提升,未来有望成为主流。2009年,行动DRAM出货量仅占整体DRAM的5.1%,到2014年,行动DRAM已经占整体DRAM产出的36%,2015年有机会突破40%大关,可见其增长之迅速。2013年8月,三星宣布量产35nm3DV-NAND,而除三星外,其他芯片厂商均会在2015年迈入量产阶段。由于3DNAND技术下高容量、低功耗、寿命长等巨大优势,为寻求进一步发展,各巨头厂商都已经开始布局3DNAND技术。从2DNAND技术转变为3DNAND

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。