第七章半导体存储器1.ppt

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1、第七章7.1概述7.3只读存储器（ROM）7.2随机存取存储器（RAM）下一页前一页退出7.1概述下一页前一页退出半导体存储器RAMROM双极型MOS型动态静态掩膜ROMPROMEPROMEEPROMFLASH一．半导体存储器的分类二．半导体存储器的主要技术指标1、存储容量2、存取时间7.2随机存取存储器（RAM）一．静态RAM1．静态RAM的内部结构2．静态RAM的外部特性（引脚图）A0AN－1D0DnCEOEWR…………RAM引脚分为3个部分，AB、DB、CB（1）AB总线AB总线的宽度决定了存储

2、单元数的多少W=2N存储单元数A0AN－1D0DnCEOEWR…………（2）DB总线DB总线的宽度决定了每个存储单元位数的多少。（3）CB总线每片RAM通常有下列几条控制线CE：片选线，当其有效，该芯片被选中。OE：读线，当其有效，读操作。WR：写线，当其有效，写操作。8条数据线，每字长度为8位13条地址线，存储字数为：213＝8Ｋ3、RAM集成芯片6264简介6264外引线排列图⌒WRNCGND15141613171218111910209218227236245254263272281A12A7A

3、6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2VDDCS2A8A9A11OEA10CS1I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3HM62646264工作状态高阻高阻高阻输入数据输出数据I/O1110输出禁止××0×维持（未选中）×××1维持（未选中）0×10写（选中）1010读（选中）WROECS2CS1工作状态4、其他常见静态RAM集成芯片D0D7A0A13CSOEWR…………62128D0D7A0A14CSOEWR…………62256D0D7A0A10CSOEWR…………6116三、静态RAM与

4、CPU的连接1、CPU与存储器连接有关的引脚①地址总线：AB②数据总线：DB③控制总线：CB主要有：RD、WE、READY8086/8088为20条地址线，A0～A198086/8088为8条数据线，D0～D72、地址编码8086/8088的20条地址线A0～A19，可以有220不同编码，用于选择不同的存储单元。3、连接实例用62128组成32K的存储器，首地址为00000HD0D7A0A13OEWRCE1#D0D7A0A13OEWRCE2#CPUD7D0A13A0A14A15A19RDWE…………译

5、码器…用62128组成32K的存储器，首地址为00000H①线译码部分地址译码D0D7A0A13OEWRCE1#D0D7A0A13OEWRCE2#A14特点：译码电路简单；同一存储单元，地址不唯一。用62128组成32K的存储器，首地址为00000H②全译码全部地址线参与译码译码D0D7A0A13OEWRCE1#D0D7A0A13OEWRCE2#特点：译码电路复杂；同一存储单元，地址唯一。A14A1774LS138Y0Y1Y7ABCS2S0SA15A16A18A19A18A17A16A15A14A13

6、A0片内00000000A19••••••位扩展D15D9D8···D7D1D0···11WRCS1A0A12···适用于字数够用，但每字的位数（字长）不够的情况。如：8K×8→8K×16I/O7I/O1I/O0···OEWRA12A0CS1CS2···I/O7I/O1I/O0···OEWRA12A0CS1CS2···6264Ⅰ6264Ⅱ7.3只读存取存储器（ROM）一．EPROM的结构1、EPROM的内部结构2、EPROM的引脚功能EPROM引脚分为3个部分，AB、DB、CB每片EPROM通常有下列

7、几条控制线CE：片选线，当其有效，该芯片被选中。OE：读线，当其有效，读操作。写入所需高电压，当EPROM写入时，此脚一般接25V电源。VP：PGM:编程脉冲A0AN－1D0DnCEOEVP…………PGM二．EPROM芯片举例A7A6A5A4A3A2A1A0O1O2O3GNDUCCA8A9UPPOEA10CE/PGMO7O6O5O4O31234567891011122423222120191817161514131、27161）11条地址线2）8位数据线3）3条控制线UPP、CE/PGM、OECE/P

8、GMOEUPPD0~D7读005V数据输出读禁止×15V高阻维持（备用）1×5V高阻编程（写入）50ms脉冲125V数据输入编程校验0025V数据输出编程禁止0125V高阻2、27641）12条地址线2）8位数据线3）4条控制线UPP、CE、PGM、OECEPGMOEUPPD0~D7读0105V数据输出读禁止××15V高阻维持（备用）1××5V高阻三．利用ROM实现组合逻辑函数实现方法：列出函数的真值表，将函数结果存入存储单元，地址线作为输入变量，从数据