第七章半导体存储器.ppt

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1、第七章半导体存储器第七章半导体存储器7.1概述能存储大量二值信息的器件一、一般结构形式输入/出电路I/O输入/出控制!单元数庞大!输入/输出引脚数目有限二、分类1、从存/取功能分:①只读存储器(Read-Only-Memory)②随机读/写(Random-Access-Memory)2、从工艺分:①双极型②MOS型7.2ROM7.2.1掩模ROM一、结构二、举例地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0~An-1W0W(2n-1)D0Dm两个概念:存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元

2、中有器件存入“1”,无器件存入“0”存储器的容量:“字数x位数”掩模ROM的特点:出厂时已经固定,不能更改,适合大量生产简单,便宜,非易失性7.2.2可编程ROM(PROM)总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同7.2.2可编程ROM(PROM)总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同写入时,要使用编程器7.2.3可擦除的可编程ROM(EPROM)总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同一、用紫外线擦除的PROM(UVEPROM)二、电可擦除的可编程ROM(E2PROM)总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同三、快闪存储器(Flas

3、hMemory)为提高集成度,省去T2(选通管)改用叠栅MOS管(类似SIMOS管)7.3随机存储器RAM7.3.1静态随机存储器(SRAM)一、结构与工作原理二、SRAM的存储单元六管N沟道增强型MOS管7.3.2*动态随机存储器(DRAM)动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理7.4存储器容量的扩展7.4.1位扩展方式适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时接法:将各片的地址线、读写线、片选线并联即可例:用八片1024x1位→1024x8位的RAM7.4.2字扩展方式适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时10

4、24x8RAM例:用四片256x8位→1024x8位RAM0001110110111011011111100001110110111011011111107.5用存储器实现组合逻辑函数一、基本原理从ROM的数据表可见:若以地址线为输入变量,则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0~An-1W0W(2n-1)7.5用存储器实现组合逻辑函数一、基本原理从ROM的数据表可见:若以地址线为输入变量,则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数地址数据A1A0D3D2D1

5、D0000101011011100100111110地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110二、举例

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