第七章-半导体存储器.doc

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1、第七章半导体存储器【题7.1】存储器和寄存器在电路结构和工作原理上有何不同？【解】参见第7.1节。【题7.2】动态存储器和静态存储器在电路结构和读/写操作上有何不同？【解】参见第7.3.1及和第7.3.2节【题7.3】某台计算机的内存储器设置有32位的地址线，16位并行数据输入/输出端，试计算它的最大存储量是多少？【解】最大存储量为G（位）【题7.4】试用4片2114（10244位的RAM）和3线—8线译码器74LS138（见图3.3.8）组成40964位的RAM。【解】见图A7.4。图A7.4【题7.5】试用16片2114（10244位的RAM）和

2、3线—8线译码器74LS138（见图3.3.8）接成一个8K8位的RAM。【解】见图A7.5。【题7.6】已知ROM的数据表如表P7.6所示，若将地址输入A3、A2、A1、A0作为4个输入逻辑变量，将数据输出D3、D2、D1、D0作为函数输出，试写出输出与输入间的逻辑函数式，并化为最简与—或形式。表P7.6地址输入数据输入00000001000100100010001000110100010000100101010001100100011110001000001010010100101001001011100011000100110110001110

3、100011110001【解】【题7.7】图P7.7是一个164位的ROM，A3A2A1A0作为地址输入，D3D2D1D0作为数据输出。若将D3、D2、D1、D0视为A3、A2、A1、A0的逻辑函数，试写出D3、D2、D1、D0的逻辑函数式。【解】图P7.7【题7.8】用164位的ROM设计一个将两个2位二进制数相乘的乘法器电路，列出ROM的数据表，画出存储矩阵的点阵图。【解】设两个相乘的数为C1C0和B1B0，乘积用P3P2P1P0表示，则得到如下给出的真值表。将C1C0B1B0加到ROM的地址输入端A3A2A1A0，按图A7.8的点阵编程，则D3

4、、D2、D1、D0即乘积的四位输出端P3、P2、P1、P0。题7.8的真值表乘数乘积00000000000100000010000000110000010000000101000101100010011100111000000010010010101001001011011011000000110100111110011011111001图A7.8【题7.9】用ROM设计一个组合逻辑电路，用来产生下列一组逻辑函数列出ROM应有的数据表，画出存储矩阵的点阵图。【解】将函数化为最小项之和的形式后得到地址数据000010010001000000100111

5、0011000001000000010110110110000001110111地址数据1000010110010000101010111011000011000000110101011110000011111001图A7.9【题7.10】用一片2568位的RAM产生如下一组组合逻辑函数列出RAM的数据表，画出电路的连接图，标明各输入变量与输出函数的接线端。【解】将函数化为最小项之和形式后得到将ROM地址的高四位接0，将A、B、C、D接至低四位地址输入端，取D5~D0、作为Y1~Y6输出。电路连接如图A7.10所示。图A7.10题7.10ROM的数据

6、表低四位地址数据输出端00000101010001010100001001010000111100000100010100010100000001101100000111101000低四位地址数据输出端10000101001001110000101000000010111010001100110000110110100011101010001111101010【题7.11】用两片10248位的EPROM接成一个数码转换器，将10位二进制转换成等值的4位二—十进制。（1）试画出电路连接图，标明输入和输出。（2）当地址输入A9A8A7A6A5A4A3A2

7、A1A0分别为、、时，两片EPROM中对应地址中的数据各为何值？【解】（1）电路接法如图A7.11。图A7.11（2）EPROM中对应的数据如下表。地址（二进制输入）000000000010000000001111111111数据（二－十进制输出）ROM(2)D7D6D5D4D3D2D1D0000000000000010100010000ROM(1)D7D6D5D4D3D2D1D0000000000001001000100011【题7.12】图P7.12是用164位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路，ROM的数据表如表P7

8、.12所示。试画出在CP信号连续作用下D3、D2、D1和D0输出的电压波形，并说明它们和CP信号频率之比。【