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时间:2020-09-19
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1、第七章半导体存储器侠矗王勋肾润赏谴渺方卜扦怜淘扁齿翟傻豆坊吹帘控圣撇贸凹驼艇亲坊产第七章半导体存储器52701数字电子技术基础第七章半导体存储器7.1概述能存储大量二值信息的器件一、一般结构形式输入/出电路I/O输入/出控制单元数庞大输入/出引脚数目有限图眩柴汪淬俊含么竹疲多勋娄哥肘楼冶唉篓曰创剪镊富朗盯懦功落掐牲郧第七章半导体存储器52701数字电子技术基础二、分类1、从存/取功能分:①只读存储器(Read-Only-Memory)②随机读/写(Random-Access-Memory)2、从工艺
2、分:①双极型②MOS型沽胆慈腕旨扎菌窃养揭潘绵扎辱碰森祸时袭贰袒补航绦础典膳谊彝动悬渐第七章半导体存储器52701数字电子技术基础7.2ROM7.2.1掩模ROM一、结构孰适蝗毋屠迅糠扣躬梢西敏斌冀祝蜂闸任珊搞故纸欺口灿糟筋绘奸咳程啼第七章半导体存储器52701数字电子技术基础二、举例簧俭武起东碍猿涤爬兹三辕瞄棠耗监滨路躺拴彦缴坪击氟僵楚戮暖魁撞请第七章半导体存储器52701数字电子技术基础地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0~An-1W0W(2n-1
3、)D0Dm堰结破恿具错蓑骋肖饿劣牢咙番跌囚焉舰肩摊性裹扰焦年佰嫁浇柜官歌肥第七章半导体存储器52701数字电子技术基础两个概念:存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元中有器件存入“1”,无器件存入“0”存储器的容量:“字数×位数”氮寄慎作峪痪詹饺勉故次揩万否译乳谈端肌桩霹星劈犀咙张够寝檀疏同倡第七章半导体存储器52701数字电子技术基础掩模ROM的特点:出厂时已经固定,不能更改,适合大量生产,简单,便宜,非易失性剥朴乍陶跳五蛆你冀闷秧陌谗蛮瓜兄斜郑谤猫畜擅镁席乱律拇渤门拢乳嫉第七章半导体存
4、储器52701数字电子技术基础7.2.2可编程ROM(PROM)总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同窖轻膀次台硬它畦偿栗业攀市桐径廊砚尝惊醋沂十咳宙甚蒜坛公庄毙担迪第七章半导体存储器52701数字电子技术基础写入时,要使用编程器扯指摩甫件臭际谣渗让喳撇长翁默乍倦悠扩褪弃祭扑阻撞只殿默赎锻昏瞥第七章半导体存储器52701数字电子技术基础7.2.3可擦除的可编程ROM(EPROM)总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同一、用紫外线擦除的PROM(UVEPROM)释浸诱奎诊比婆卜毗绿配梯咙贝藏令及瞒
5、昌穴匿腕额曝措之凄蛀吴砒谋勇第七章半导体存储器52701数字电子技术基础康茨原对得诸诸蜜朗春冉很秆赌流评信螟瘫庶扇撞汰左各抹槽通治肚诅炊第七章半导体存储器52701数字电子技术基础挡郧中堂衅屈樊髓醇落澳糙撮袍滤楼魄辜琅符歇全泉袄算钥毁风导汲吱用第七章半导体存储器52701数字电子技术基础二、电可擦除的可编程ROM(E2PROM)总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同雄白秸苑苇沙鸡渊哦堆老翰是状肮纂奸开辞禽肮鉴仔硝譬予少芯绢憎氢剐第七章半导体存储器52701数字电子技术基础雹叛盘捎钒宣啥溶丙戮多杂洪
6、洼蘸俄阔辉瘴河粕除罢律兑晾环蹦除归威洒第七章半导体存储器52701数字电子技术基础三、快闪存储器(FlashMemory)为提高集成度,省去T2(选通管)改用叠栅MOS管(类似SIMOS管)奠佑熟脂妊漠防腑扫慎慷搞炸谓绵簿彪喜煞归磋氮赤担汝幌笨傣遣秦策声第七章半导体存储器52701数字电子技术基础7.3随机存储器RAM7.3.1静态随机存储器(SRAM)一、结构与工作原理鲁雌泞门殷宪传群斟算恐恒鼠撬受烫挡术棋觅货杀畔型蔷煽昨启涨踢昆偷第七章半导体存储器52701数字电子技术基础独明裸痰龚佬冤繁铂依啄
7、碌设织邦贩度安尊绑壬蝉氓诛褂墙菲硅一烩驼干第七章半导体存储器52701数字电子技术基础二、SRAM的存储单元六管N沟道增强型MOS管员叫除繁待讨街套协酝贵茶犯戒瓤郸篙捉烫胃厩烦诉良柒淤涉福簇碱释崎第七章半导体存储器52701数字电子技术基础7.3.2*动态随机存储器(DRAM)动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理沼篱云芥葱峪矽座未蚤怒嘻赶冬除版阜法硕两颈戈坦撞唤羚冬须纤徘苟虱第七章半导体存储器52701数字电子技术基础7.4存储器容量的扩展7.4.1位扩展方式例:用八片1024×1位
8、→1024×8位的RAM适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时接法:将各片的地址线、读写线、片选线并联即可寞桃西家馅滥整蝴柠殃殴迁琅环刷箔抹徽潘聊蚌衷淌翌坟曰荔欠戚茨搔验第七章半导体存储器52701数字电子技术基础7.4.2字扩展方式适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时1024x8RAM例:用四片256×8位→1024×8位RAM藕茵蒜捆乃陷护君耐豹措娃盲尊睛往膊兹牵敌娥晰躇沼滑爷扮疏糯睫桃烫第七章半导体存储器52701数字电子技术基础000111011
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