欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:59344211
大小:1.03 MB
页数:32页
时间:2020-09-20
《半导体存储器 ppt课件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、第七章半导体存储器半导体存储器分类RAM特点:工作中,可随机对存储器的任意单元进行读、写。按功能分:RAM可分为静态、动态两类;按所用器件分:可分为双极型和MOS型两种。7.1随机读写存储器(RAM)按读写方式分:可分为单口形和双口型两种。静态:数据写入后,不掉电数据不会丢;动态:指数据写入后,要定时刷新,否则不掉电数据也会丢失。单口形:不能同时读、写;双口型:能同时读、写。随机存取存储器简称RAM,也叫做读/写存储器,既能方便地读出所存数据,又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据的易失性,即一旦掉电,所存的数据全部丢失。
2、QQ7.1.1静态基本存储单元T1~T4构成基本R-S触发器六管存储单元T5、T6为门控管T7、T8为数据线控制管1、静态RAM存储单元(1)写操作Xi=1有效,T5,T6开通;Yj有效T7,T8开通。数据(D=1)被写入存储单元。(2)读操作Xi有效,T5,T6开通;Yj有效T7,T8开通。数据(Q=1)从存储单元读出。1010010111QQ原存储Q=0T存储单元写操作:X=1=0T导通,电容器C与位线B连通输入缓冲器被选通,数据DI经缓冲器和位线写入存储单元如果DI为1,则向电容器充电,C存1;反之电容器放电,C存0。
3、-刷新R行选线X读/写输出缓冲器/灵敏放大器刷新缓冲器输入缓冲器位线B2动态随机存取存储器(DRAM)读操作:X=1=1T导通,电容器C与位线B连通输出缓冲器/灵敏放大器被选通,C中存储的数据通过位线和缓冲器输出T刷新R行选线X刷新缓冲器输入缓冲器位线B每次读出后,必须及时对读出单元刷新,即此时刷新控制R也为高电平,则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器C进行刷新。输出缓冲器/灵敏放大器3、RAM结构示意图D0D1D2D3A0A1A2A3A4A5A6A7R/256×4RAM存储器容量:32行×32列矩阵256×4(字数)×
4、(位数)256个字,宽度4位的阵需:32根行线、8根列线。(1)存储矩阵随机存取存储器RAM当Xi和Yj有效时,一个字的四个存储单元被选中。A7~A0=00011111时,选中哪个单元?256个字需要8根地址线A7~A0即可全部寻址。(2)地址译码25=32译码器A5A6A723=811111000字线位线[31,0]••••••2)=0时,芯片被选中。R/W=1时,G5输出“1”,G3导通;G4输出“0”,G1、G2高阻态截止,读操作;(3)片选与读写控制电路1)=1时,G4,G5输出为“0”,三态门G1,G2,G3均为高
5、阻态,芯片未选中,不能进行读或写操作。3)=0时,R/W=0,G4输出“1”,G1、G2导通;G5输出“0”,G3高阻态,写操作。7.1.2RAM的扩展——位扩展和字扩展1.位扩展例试用1024×1位的RAM扩展成1024×8的存储器。分析:(1)需要1024×1的RAM多少片。寻址范围:0000000000~1111111111(000H~3FFH)2.字扩展例试用256×4RAM扩展成1024×4存储器。解:需用的256×4RAM芯片数为:N=总存储容量/单片存储容量==4(片)用256×4RAM组成1024×4存储器3
6、、全扩展:字数加倍,位数也加倍的扩展方式。例:将4K×4的RAM扩展为16K×8的存储系统。片选地址线数=14–12=2数据线数=位线数=88个芯片构成4组,每组2片。数据线D0~D7、片内地址线A0~A11,片选地址线A12,A13需2/4线译码器来译码。7.2只读存储器(ROM)7.2.1ROM的基本结构及工作原理ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出电路三部分组成。(1)二极管构成的ROM电路如下:只读存储器因工作时其内容只能读出而得名,常用于存储数字系统及计算机中不需改写的数据,例如数据转换表及计算机操作系统程序等。
7、ROM(Read-OnlyMemory)存储的数据不会因断电而消失,即具有非易失性。输出存储矩阵字线位线000101111100110011001001地址A1A0D3D2D1D0内容+VCCW3W0W1W2D0D1D2D3(2)MOS管的ROM矩阵矩阵中,字线和位线间有MOS管的单元,存储“0”;无MOS管的,存储“1”。以上两种称为掩膜ROM,其存储矩阵中的内容在出厂时已被固定,用户不能修改。(3)PROM字线位线熔断丝将熔丝烧断,字线、位线在此交叉,该单元变成“0”。PROM是一种可编程序的ROM,采用熔丝结构,只给用
8、户一次编程机会。在出厂时全部存储“1”,用户可根据需要将某些单元改写为“0”。(5)EPROM是可以改写多次,存储的信息可以用紫外线照射擦除,然后又可以重新编制信息的ROM。(6)EEPROM,FlashROM是可以在线,电可擦除和编程的ROM。有并行和串行两种。ROMD/A计数器CP计数
此文档下载收益归作者所有