半导体存储器 ppt课件.ppt

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1、第七章半导体存储器内容提要本章将系统地介绍各种半导体存储器的工作原理和使用方法。半导体存储器包括只读存储器（ROM）和随机存储器（RAM）。在只读存储器中，介绍了掩模ROM、PROM和快闪存储器等不同类型的ROM的工作原理和特点；而在随机存储器中，介绍了静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种类型。此外，也介绍了存储器扩展容量的连接方法以及用存储器设计组合逻辑电路，重点放在这里。第七章半导体存储器本章重点：1.熟悉种类、特点和用途，有哪些信号线，工作原理和结构一般了解，2.性能：容量、速度3.应用：容量的扩展；设计组

2、合逻辑函数本章内容7.1概述7.2只读存储器（ROM）7.3随机存储器（RAM）7.4存储器容量的扩展7.5用存储器实现组合逻辑函数7.1概述1.半导体存储器的定义半导体存储器就是能存储大量二值信息（或称作二值数据）的半导体器件。它是属于大规模集成电路，由于计算机以及一些数字系统中要存储大量的数据，因此存储器是数字系统中不可缺少的组成部分，其组成框图如图7.1.1所示。输入/出电路I/O输入/出控制图7.1.12.存储器的性能指标由于计算机处理的数据量很大，运算速度越来越快，故对存储器的速度和容量有一定的要求。所以将存储量和存

3、取速度作为衡量存储器的重要性能指标。目前动态存储器的容量已达109位/片，一些高速存储器的存取时间仅10ns左右。7.1概述3.半导体存储器的分类（1）从存取功能上分类从存取功能上可分为只读存储器（Read－OnlyMemory，简称ROM）和随机存储器（RandomAccessMemory，简称RAM）。种类(从存取功能分）ROMRAM固定（掩膜）ROMPROMEPROME2PROMFlashMemorySRAMDRAM特点：电路结构简单，断电后数据不丢失,适用于存储固定数据如程序表格特点：随时快速读写数据断电后数据消失结构

4、：地址译码+存储矩阵+输入/出电路(Random-AccessMemory)(Read-OnlyMemory)ROM的特点是在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速随时修改或重新写入数据。其电路结构简单，而且断电后数据也不会丢失。缺点是只能用于存储一些固定数据的场合。7.1概述a.ROM：ROM可分为掩模ROM、可编程ROM（ProgrammableRead－OnlyMemory，简称PROM）和可擦除的可编程ROM（ErasableProgrammableRead－OnlyMemory，简称EPROM）。*掩模ROM在制造

5、时，生产厂家利用掩模技术把数据写入存储器中，一旦ROM制成，其存储的数据就固定不变，无法更改。***EPROM是采用浮栅技术的可编程存储器，其数据不但可以由用户根据自己的需要写入，而且还能擦除重写，所以具有较大的使用灵活性。它的数据的写入需要通用或专用的编程器，其擦除为照射擦除，为一次全部擦除。电擦除的PROM有E2PROM和快闪ROM。7.1概述**PROM在出厂时存储内容全为1（或者全为0),用户可根据自己的需要写入，利用通用或专用的编程器，将某些单元改写为0(或为1)。**PROM在出厂时存储内容全为1（或者全为0),用

6、户可根据自己的需要写入，利用通用或专用的编程器，将某些单元改写为0(或为1)。b.随机存储器RAM（读写存储器）随机存储器为在正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读出数据。根据采用的存储单元工作原理不同随机存储器又可分为静态存储器（StaticRandomAccessMemory，简称SRAM）和动态存储器（DynamicRandomAccessMemory，简称DRAM）7.1概述SRAM的特点是数据由触发器记忆，只要不断电，数据就能永久保存。但SRAM存储单元所用的管子数量多，功耗大，集成度受到限制，为了克服这

7、些缺点，则产生了DRAM。它的集成度要比SRAM高得多，缺点是速度不如SRAM。（2）从制造工艺上分类RAM使用灵活方便，可以随时从其中任一指定地址读出（取出）或写入（存入）数据，缺点是具有数据的易失性，即一旦失电，所存储的数据立即丢失。从制造工艺上存储器可分为双极型和单极型（CMOS型），由于MOS电路（特别是CMOS电路），具有功耗低、集成度高的优点，所以目前大容量的存储器都是采用MOS工艺制作的。7.1概述双极型MOS型从制造工艺分同步：如SDRAM、DDR、QDR异步从时钟上分双极型是以双极性触发器为基本存储单元，具有

8、工作速度快，功耗大的特点，主要用于对工作速度要求较高的场合。MOS型是以MOS触发器为基本存储单元，它具有集成度高、功耗小、工艺简单等特点，主要用于大容量存储系统中。DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM固定ROM--PR