数字电子技术基础第五版-第七章只是分享.ppt

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1、数字电子技术基础第五版-第七章7.2ROM7.2.1掩模ROM一、结构二、举例字线输出W0-W3位线输出d3-d0地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0~An-1W0W(2n-1)D0Dm两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”。存储器的容量：“字数x位数”。掩模ROM的特点：1.出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产。2.简单，便宜，非易失性。7.2.2可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。1.熔丝由易熔合金制成；2.出厂时，每个

2、结点上都有熔丝；3.编程时，将某些熔丝烧断；4.是一次性编程，不能改写。可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但交叉点上都制作有存储元件，即都存1。写入时，要使用编程器写0时，使Vcc和选中的字线提高到编程所要求的高电平，同时在编程单元的位线上加入编程脉冲（幅度约20V，持续时间约十几微秒）将相应的熔丝熔断。通过电阻接地7.2.3可擦除的可编程ROM（EPROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）叠栅注入MOS管二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。

3、经上拉电阻接VDD三、快闪存储器（FlashMemory）为提高集成度，省去T2（选通管），改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）。作业：P3837.1，7.2，7.77.3随机存储器RAM7.3.1静态随机存储器（SRAM）一、结构与工作原理1024X4位RAM（2114）的结构框图A964行64列64列分为16*4六管N沟道增强型MOS管7.3.2*动态随机存储器（DRAM）动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理7.4存储器容量的扩展7.4.1位扩展方式适用于每片RAM、ROM字数够用而位数不够时。接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可

4、。例：用八片1024x1位1024x8位的RAM7.4.2字扩展方式适用于每片RAM、ROM位数够用而字数不够时。1024x8RAM例：用四片256x8位→1024x8位RAM。片选信号：CS’CS000111011011101101111110(2)(3)(4)字扩展方式7.5用存储器实现组合逻辑函数一、基本原理从ROM的数据表可见：若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数。地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0~An-1W0W(2n-1)二、举例用ROM实现的八段显示译码器作业：P383，

5、7.3，7.5，7.8此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢