数字电子技术基础第七章ppt

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1、第七章半导体存储器7.1概述7.2只读存储器（ROM）7.3随机存储器（RAM）7.4存储器容量的扩展7.5用存储器实现组合逻辑函数一、一般结构形式！存储单元数目庞大！输入/输出引脚数目有限7.1概述半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。二、分类1、从存/取功能分：①只读存储器（ROM）(Read-Only-Memory）②随机读/写（RAM）（Random-Access-Memory）2、从工艺分：①双极型②MOS型不能改写掩膜ROMPROM只能改写一次EPROM可以改写多次E2PROM可以改写多次快闪存储器可以改写多次7.2只读存储器（ROM)优点：

2、电路结构简单，断电后数据不丢失，具有非易失性。缺点：只适用于存储固定数据的场合。一、结构二、举例地址线字线位线二极管与门设VCC=5V加到A,B的VIH=3VVIL=0V二极管导通时VDF=0.7VABY0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7VABY000010100111规定3V以上为10.7V以下为0二极管或门加到A,B的VIH=3VVIL=0V二极管导通时VDF=0.7VABY0V0V0V0V3V2.3V3V0V2.3V3V3V2.3VABY000011101111规定2.3V以上为10V以下为0三态输出门10013.73.70.7数据

3、表两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”存储器的容量：“字数x位数”用以决定访问哪个字单元读出及写入数据的通道用以决定对被选中的单元是读还是写由大量寄存器构成的矩阵用以决定芯片是否工作用以决定访问哪个字单元优点：读、写方便,使用灵活。缺点：一旦停电所存储的数据将随之丢失（易失性）。7.3随机存储器（RAM)容量为256×4RAM的存储矩阵存储单元1024个存储单元每根行选择线选择一行每根列选择线选择一个字列Y1＝1，X2＝1，位于X2和Y1交叉处的字单元可以进行读出或写入操作，而其余任何字单元都不会被选中。25

4、6×4RAM存储矩阵中，256个字需要8位地址码A7～A0。其中高3位A7～A5用于列译码输入，低5位A4～A0用于行译码输入。01000100A7～A0=时，Y1=1、X2=1，选中X2和Y1交叉的字单元。？？00100010位扩展适用于每片RAM、ROM字数够用而位数不够时接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可例：8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM7.4存储容量的扩展1024x8RAM例：用四片256x8位→1024x8位RAM字扩展适用于每片RAM，ROM位数够用而字数不够时输出线及地址线分别并联高位地址A8、A9作为2线-4线译码器的输

5、入信号，经译码后产生的4个输出信号分别接到4个芯片的片选端例7.5.2试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数解：化为最小项之和的形式：7.5用存储器实现组合逻辑函数逻辑表达式最小项表达式11例2：试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数.22选择ROM，画阵列图题7.1题7.2题7.8题7.10作业