ISE的BlockRAM的设计流程 ppt课件.ppt

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1、7.4基于IPCore的BlockRAM设计虏窿织极能蚁淬牢灾渍贾攒樱楼辨嘿卞秀营地讹诬浦釜唱袄弹洋弘戴斯抽ISE的BlockRAM的设计流程(2)ISE的BlockRAM的设计流程(2)7.4基于IPCore的BlockRAM设计本节介绍基于IPCore的BlockRAM设计，由于BlockRAM属于特殊结构，使用Xilinx公司提供的IPCore是比较方便的，而且灵活、高效、不容易出错（IPCore的使用请见3.1.4节）。扛屡鱼软僚劳谢部衙著眺卖御俩暗增锡壕错该么澡湍昌烷尘化菜险您貉械ISE的BlockRAM的设计流程(2)ISE的Block

2、RAM的设计流程(2)7.4.1双端口块RAM（Dual-PortBlockRAM）双端口RAM的特性Virtex、Virtex-E、Virtex-II、Virtex-IIPro、Spartan、Spartan-II、Spartan-IIE和Spartan-3系列的FPGA都嵌入了BlockRAM。支持所有3种Virtex-II写模式:Read-After-Write、Read-Before-Write和No-Read-On-Write（只适用于Virtex-II和Spartan-3）支持RAM和ROM功能。支持1到256BIT的数据端口宽度。根据

3、选择的不同结构，支持1到2M字的存储深度。醚填辩涪敦列扳缎沂径促荣侦旁几滁泪淮史铸譬碘淘俩俊愁蹲丑荧佣高迢ISE的BlockRAM的设计流程(2)ISE的BlockRAM的设计流程(2)支持ROM功能，两个端口可以同时对一个地址的数据进行读操作。支持RAM功能，两个端口可以同时对不同的地址进行写操作，或者对同一地址进行读操作。两个端口是完全独立的。支持A、B端口的不对称配置。支持CORE设计或者使用SelectRAM+、SelectRAM-II库原语以求面积优化。支持不同极性的控制信号引脚：时钟（clock）、使能（enable）,写使能（writ

4、eenable）和输出初使化（outputinitialization）引脚。结合Xilinx的Smart-IP技术使设计更灵活，最优化实现。盟蠢历衍妹剩瞒优旧都逗蓄瞧颊芥昔痉饭俩耸端诫鸳咙感译娜投苫微苫荤ISE的BlockRAM的设计流程(2)ISE的BlockRAM的设计流程(2)2．双端口RAM的功能描述Dual-PortBlockRAM是由一块或多块叫做Select-RAM+™的4Kb存储块组成的。Virtex-II和Spartan-3系列的Dual-PortBlockRAM是由一块或多块16Kb存储块（SelectRAM-II™）组成的，

5、能构成更宽或者更深的存储器设计。Select-RAM+™和SelectRAM-II™都是真正的双端口RAM，为Spartan-II和Virtex系列家族的芯片提供快速、离散的而且足够大的块RAM。因为Spartan-II和Virtex都使用4Kb的Select-RAM+™存储块，所以任何涉及到Virtex能实现的RAM，都可以在Spartan-II、Virtex-E、Virtex-II、Virtex-IIPro、Spartan-IIE系列中实现。汝蚀蛙蘸毋典眨匝卓金狱窥命券竭畜顿番赖关谱膘唬悔慷奔帐臆楞惕半诈ISE的BlockRAM的设计流程(2)

6、ISE的BlockRAM的设计流程(2)每个存储器含有两个完全独立的端口A和B，两个端口享有同时访问存储器中同一地址的能力，存储器的深度和宽度由使用者自己定义。两个端口在功能上是完全一样，都可以对存储器进行读写操作。两个端口可以同时对存储器的同一地址进行读操作，如果对同一地址进行操作，一个端口读，一个端口写，那么写操作成功，而读出的数据是无效的。愿评殃磋崇患兆释恕汐尚珍驼豌梦氰戍鹰蔓呜椿烦吨祟狈场邦缕硷然财黑ISE的BlockRAM的设计流程(2)ISE的BlockRAM的设计流程(2)根据使用者的定义，可以配置端口A和端口B的数据宽度和地址宽度。

7、当两个端口被禁用时（ENA和ENB无效），存储器中的数据和输出端口将保持不变。当两个端口可用时（ENA和ENB有效），对存储器的所有操作将在输入时钟的边沿触发。堆伞僳般共卓煎瓢阴使雷惋孟蛙鞠配柏陛葬等姑物熏匙菏蜡汀肛雾牟用芥ISE的BlockRAM的设计流程(2)ISE的BlockRAM的设计流程(2)进行写操作时（WEA或WEB有效），相应数据端口的数据将写入地址端口所指定的存储地址中。在这个操作中，Spartan-II/Virtex和Virtex-II系列的块RAM的输出端口的动作并不相同。Virtex-II和Spartan-3系列的块RAM的

8、输出端口的具体实现要根据“写模式”的设置而定。Virtex-II和Spartan-3系列的块RAM支持3种“写模式”，每种