2009材料物理考题A.doc

2009材料物理考题A.doc

ID:59265303

大小:1.33 MB

页数:6页

时间:2020-09-08

上传者:U-5097
2009材料物理考题A.doc_第1页
2009材料物理考题A.doc_第2页
2009材料物理考题A.doc_第3页
2009材料物理考题A.doc_第4页
2009材料物理考题A.doc_第5页
资源描述:

《2009材料物理考题A.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

课程号:《材料物理A》期末考试试卷(A)考试形式:闭卷考试考试时间:120分钟班号学号姓名得分题号一二三四总分得分图1一、填空题(每小题3分,共30分)1.不受外力的情况下,如(图1)所示给出了两种材料内部原子间的结合力与其距离之间的关系,其中,根据图中所给条件,试判别这两种材料的杨氏模量的关系(填大于、小于或等于)。2.影响无机热导率的因素有温度,、、等。3.反射系数,当在界面反射损失严重;当界面反射几乎没有损失。4.半导体导电性的敏感效应主要有;;;。5.离子晶体中的电导主要是离子电导,离子电导分为:和两大类,其中高温时显著。6.铁电陶瓷只有经过极化处理才能显示压电效应,影响极化的三个因素包括,,。7.物质的磁性主要由引起。铁磁性来源于原子未被抵消的和。8.压电效应可分为类,分别是和。9.离子扩散的主要形式有;;。 10.铁氧体磁性材料所具有的特点是;。二、简答题(每小题5分,共35分)1.简述半导体的分类。2.绘出典型铁电体的电滞回线,说明其主要参数的物理意义。3.简述提高无机材料透光性的措施有哪些?4.本征离子电导的导电离子(载流子)主要由什么缺陷提供?其载流子浓度:n=Nexp(E/2kT)中E的物理意义是什么?5.离子迁移率,试分析影响离子迁移率的主要因素是什么?6.简述介质损耗的概念及分类。7.说出四种无机材料的韧化机制。三、计算题(共20分)1.(5分)一部热机部件由反应烧结氮化硅制成,其热导率λ=0.184J/(cm.s.℃),厚度d=120mm。如果表面热传递系数h=0.05J/(cm2.s.℃),假设形状因子S=1,R=547℃,估算可兹应用的热冲击最大允许温差。hagD1D2D3f2.(5分)一透明Al2O3板厚度为1mm,折射率n=1.76,用以测定光的吸收系数。如果光通过板厚之后,其强度降低了15%,计算吸收及散射系数的总和。3.(10分)无机材料绝缘电阻的测量试样的外径f=50mm,厚度h=2mm,电极尺寸如下图所示,其中D1=26mm,D2=38mm,D3=48mm,另一面为全电极。采用直流三端电极法进行测量。(1)请画出测量试样体电阻率和表面电阻率的接线电路图。(2)若采用500V直流电源测出试样的体电阻为250MW,表面电阻为50MW,计算该材料的体电阻率和表面电阻率。四、综述题(共15分)画出软磁、硬磁及矩磁材料的磁滞回线,以软磁材料的磁滞回线为例说明其主要参数的物理意义和造成M—B非线性关系的原因,并举例说明软磁材料的应用。 附:基本公式1.第一、第二和第三热断裂抵抗因子分别为2.介质对光吸收的一般规律:3.光散射方程:4.反射系数(m):5.费米分布函数:6.体电阻率的理论表达式:体电阻率的实验表达式:7.薄圆片式样表面电阻率表达式:8.导带中导电电子的浓度:价带中空穴的浓度:9.滑移面上F方向的应力为:10.理论断裂强度:11.格利菲斯裂纹断裂强度:12.胡克定律: 课程号:《材料物理A》期末考试试卷(A)标准答案考试形式:闭卷考试考试时间:120分钟一、填空题(每小题3分,共30分)1.2.温度、显微结构、化学组成、气孔3.当n1和n2相差较大,界面反射损失严重;当n1=n2时,界面反射几乎没有损失。4.热敏效应、光敏效应、压敏效应、磁敏效应。5.本征电导,杂质离子电导,本征离子电导。6.极化电场、极化温度、极化时间7.电子的自旋磁矩,自旋磁矩、自发磁化8.两类,正压电效应、逆压电效应。9.空位扩散、间隙扩散、亚晶格间隙扩散。10.高电阻、低损耗。二、简答题(每小题5分,共35分)1.简述半导体的分类。(1)本征半导体:载流子:电子和空穴(2分)(2)杂质半导体(3分)i.n型半导体:掺入施主杂质的半导体。载流子:多余的电子ii.p型半导体:掺入受主杂质的半导体(空穴半导体)。载流子:空穴2.典型铁电体的极化曲线和电滞回线:绘图(2分)Ps-饱和极化强度(1分)Pr-剩余极化强度(1分)Ec-矫顽场强(1分)3.提高无机材料透光性的措施有(1)提高原材料纯度(2)掺加外加剂(3)提高工艺措施。采取比普通烧结法更好的热压法和热等静压法,效果更好。4.本征离子电导的导电离子(载流子)主要由晶体的热缺陷所缺陷提供。其载流子浓度:n=Nexp(E/2kT)中E的物理意义是缺陷形成能,离解一阳离子和一阴离子达到表面所需要的能量。 5.影响离子迁移率的主要因素是与晶体结构有关(δ、U0、ν0),T6.任何电介质在电场作用下,总是或多或少地把部分的电能转变成热能使介质发热,在单位时间内因发热而消耗的能量就称介质的损耗。(2分)损耗形势有:电导损耗,极化损耗,电离损耗,结构损耗,宏观结构不均匀的损耗答对其中3个给(3分)7.相变增韧、微裂纹增韧、裂纹偏折和弯曲增韧、裂纹分支增韧、桥联与拔出增韧、延性颗粒增韧、残余热应力增韧、电畴翻转增韧、复合韧化机制。(以上任意4种)三、计算题(共20分,其中1、2题各5分,3题10分)1.解:根据=1082ºC…………3分……………2分2.…………2分………………………….2分……………………………………..1分3.(1)画出测量试样体电阻率和表面电阻率的接线电路图。(4分)hEbgVAr2r1a(2)若采用500V直流电源测出试样的体电阻为250MW,表面电阻为50MW,计算该材料的体电阻率和表面电阻率。(6分)habgVxA 四、综述题(共15分)软磁、硬磁及矩磁材料的磁滞回线分别是绘图(3分)软磁铁磁体的磁化曲线和磁滞回线:Ms-饱和磁化强度(1分)Mr-剩余磁化强度(1分)Hc-矫顽磁场(1分)用磁畴概念解释造成M—B非线性关系的原因铁磁体自发磁化区域一致的区域称为磁畴(4分)举例说明软磁材料的应用(5分)

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。
大家都在看
近期热门
关闭