2009材料物理考题a

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1、2.影响无机热导率的因素有温度，3.反射系数当、等。在界而反射损失严重；《材料物理A》期末考试试卷（A）考试形式：闭卷考试考试时间：120分钟班号学号姓名得分题号•_-二三四总分得分一、填空题（每小题3分，共30分）1.不受外力的情况下，如（图1）所示给出了两种材料内部原子问的结合力与其距离之问的关系，其中％<

2、为：和两大类，其屮高温吋显著。6.铁电陶瓷只有经过极化处理才能M示压电效应，影响极化的三个W素包括,,O7.物质的磁性主要由引起。铁磁性来源于原子未被抵消的和。8.压电效应可分为类，分别是和。4.离子扩散的主要形式有：；。4.铁氧体磁性材料所具有的特点是二、简答题（每小题5分，共35分）1.简述半导体的分类。2.绘出典型铁电体的电滞冋线，说明其主要参数的物理意义。3.简述提高无机材料透光性的措施有哪些？4.木征离了电导的导电离了（载流了）主要由什么缺陷提供？其载流了浓度：n=Nexp（E/2kT

3、）屮E的物理意义是什么？5.离子迁移率,试分析影响离子迁移率的主要因素是什么?E6kT[kT6.简述介质损耗的概念及分类。7.说出叫种无机材料的韧化机制。三、计算题（共2❹分）1.（5分）一部热机部件由反应烧结氮化硅制成，其热导率X=0.184J/（cm.s.°C）,厚度d=120mni。如果表而热传递系数h=0.05J/（cm2.s/C）,假设形状因子S=l,R=547°C,估算可兹应用的热冲击最人允许温差。2.（5分）一透明A12O3板厚度为1mm，折射率n=1.76，用以测定光的吸收系数。

4、如果光通过板厚之后，其强度降低了15%,计算吸收及散射系数的总和。3.（10分）无机材料绝缘电阻的测量试样的外径0=5Omni,厚度/t=2mm,电极尺寸如下图所示，其中£＞；=26mm,D2=38mm,D5=48mm,另一面为全电极。采用宵流三端电极法进行测量。（1）请岡出测量试样体电阻率和表面电阻率的接线电路图。（2）若采用500V直流电源测出试样的体电阻为250MQ,表血电阻为50MQ,计算该材料的体电阻率和表血电阻率。四、综述题（共15分）画出软磁、硬磁及矩磁材料的磁滞回线，以软磁材料的

5、磁滞冋线为例说明其主要参数的物理意义和造成M-B非线性关系的原W,并举例说明软磁材料的应用。附：基本公式1.第一、第二和第三热断裂抵抗W子分别为cr/l-")D_Of(-//maxEa=/?zx0.3lr，R'=EadTdtzzRfpc,Ea.2Eapcppc2.介质对光吸收的一般规律:3.光散射方程：1=14.反射系数(m):/令tn=5.费米分布函数：/(£)=6.体电阻率的理论表达式：max/wwSx打21-1打21+1•/(£)=[l+exp(£—EJ/町/rr}2V~h7r(r,+

6、r9)V体电阻率的实验表达式：Pv=一一，T4/2IInV7.溥圆片式样表面电m率表达式：p8.导带屮导电电子的浓度:价带中空穴的浓度:9.滑移面上F方向的应力为：12.胡克定律：o=EeInN(.expcJ{JNvexpfEf~Ev}(kT)FFcos(/>/A/cos^ANc=2Nv=22/rmekT3/227rmIkT3/210.理论断裂强度.•C7m11.格利菲斯裂纹断裂强B《材料物理A》期末考试试卷（A）标准答案考试形式：闭卷考试考试时间：120分钟一、填空题（每小题3分，共30分）1

7、.E'

8、分）i.n型半导体：掺入施主杂质的半导体。载流子：多余的电子ii.p型半导体：摻入受主杂质的半导体（空穴半导体）。载流子：空穴P,—饱和极化强度P,—剩余极化强度一矫顽场强绘图（2分）2.典型铁电体的极化曲线和电滞冋线：（1分）（1分）（1分）3.提高无机材料透光性的措施奋（1）提高原材料纯度（2）掺加外加剂（3）提高工艺措施。采取比普通烧结法更好的热压法和热等静压法，效果更好。1.本征离子电导的导电离子（载流子）主要由晶体的热缺陷所缺陷提供。其载流子浓度：n=Nexp（E/2kT）中E的物理意