电子技术 半导体存储器ppt课件.ppt

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1、（8-1）电子技术第八章半导体存储器数字电路部分docin/sundae_meng（8-2）第八章半导体存储器§8.1概述§8.2只读存储器(ROM)§8.3读写存储器(RAM)docin/sundae_meng（8-3）§8.1概述半导体存储器是由半导体器件构成的大规模集成电路,专门用来存放二进制信息的,是任何数字电路不可缺少的一部分.docin/sundae_meng（8-4）按所用半导体器件的不同,半导体存储器分为:1.双极型-----工作速度快,在微机中作高速缓存2.MOS型-----功耗小,因而集成度高.用于大容量存储,如微机中的内存条docin/sundae_m

2、eng（8-5）(Ultraviolet)1.只读存储器ReadOnlyMemory按存取方式半导体存储器可分为:1)ROM2)PROM------programmable3)EPROMUVEPROM(Erasable)E2PROM(Electrically)信息可长期保存,断电也不丢失docin/sundae_meng（8-6）2.随机存取存储器RandomAccessMemoryRAM1)SRAM静态随机存取存储器(static)2)DRAM动态随机存储存取器(Dynamic)任何时刻对任何单元都能直接写入或读出二进制信息,断电后信息就丢失。docin/sundae_m

3、eng（8-7）3.顺序存取存储器SequentialAccessMemorySAMFIFOFirstinFirstoutFILOFirstinLastout顺序存取存储器的特点是先入先出或先入后出docin/sundae_meng（8-8）§8.2只读存储器(ROM)只读存储器在工作时其存储内容是固定不变的，因此，只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。8.2.1ROM的基本结构及工作原理ROM主要组成部分：1.地址译码器2.存储矩阵3.输出电路。ReadOnlyMemory...docin/sundae_meng（8-9）A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3

4、D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端输出电路存储矩阵字线位线简单的二极管ROM电路docin/sundae_meng（8-10）000011111111111000000001地址A1A0D3D2D1D0内容位线A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端字线输入任意一个地址码，译码器就可使与之对应的某条字线为高电平，进而从位线上读出四位输出数字量。docin/sundae_meng（8-11）+VCCW3W0W1W2D0D1D2D3有MOS管的单元存储“0”；无MOS管的单元存储“1”。下图是使用MOS管的ROM矩阵：docin

5、/sundae_meng（8-12）固定ROM：在前面介绍的两种存储器中，其存储单元中的内容在出厂时已被完全固定下来，使用时不能变动。PROM：有一种可编程序的ROM，在出厂时全部存储“1”，用户可根据需要将某些单元改写为“0”,然而只能改写一次。ROM的类型docin/sundae_meng（8-13）若将熔丝烧断，该单元则变成“0”。显然，一旦烧断后不能再恢复。字线位线熔断丝A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端docin/sundae_meng（8-14）EPROM：一种可以改写多次的ROM。它所存储的信息可以用紫外线或X

6、射线照射檫去（Erasable），然后又可以重新编制信息。存储容量是ROM的主要技术指标之一，它一般用[存储字数：2N].[输出位数：M]来表示(其中N为存储器的地址线数)。例如：128(字).8(位)、1024(字)8(位)等等。.EPROM的结构及工作原理可见《数字电子技术》P301（阎石主编）docin/sundae_meng（8-15）PN+N+G1DSG2SIO2层SIMOS---迭栅注入MOS管G1控制极G2浮栅极符号docin/sundae_meng（8-16）当S、D极间加以较高电压（约+20~+25V)时,将发生雪崩击穿,如果同时在控制极加上高压脉冲(幅度

7、约+25V,宽度约50ms),一些速度较高的电子就能穿过SIO2层到达浮置栅极,行成注入电荷。注入了电荷的SIMOS管相当于写入了1，没注入电荷的相当于存入了0。SIMOS--StackedgateInjuntionMetalOxideSemiconductordocin/sundae_meng（8-17）字线位线注入了电子的0010Vccdocin/sundae_meng（8-18）8.2.2ROM的应用举例例1.用于存储固定的专用程序。例2.利用ROM可实现查表或码制变换等功能。查表功能－－例：查某个角度的三角