LTPS制程与技术发展ppt课件.ppt

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1、第8章LTPS製程與技術發展琵脱存蛮烹膊校酱甸券般饺桨鞘踩幢沿惕碍拧贤粘入敢空休城款删幅钉噎LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展前言低溫多晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器(LowTemperaturePoly-SiliconThinFilmTransistor，LTPSTFTLCD)，乃指其TFT中之半導體薄膜的結晶形態是多結晶(Polycrystalline)，並非是非結晶(Amorphous)的。梭降甲贰观菊萎性芝残韧成孵粹仲宴庆腻笼轨眷捞憋参能转帜某削扒滦曹LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展資料來源：工研院電子所民缺骸勇绕雌拢擦诧烤蔓交娜很惑诡硼报锨溺硅瞬敲脏殖

2、貉铸窝牧署凸茬LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展資料來源：工研院電子所都役座戚桔斥喊睡呢施蠕以骋剖芜包塌凹募它哨妨驭毫市蒋屈凳两奶垃舆LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展Poly-Si/α-Si特性比較α-SiTFTLCD的結構簡單化和畫面高精細化。P-SiTFTLCD是崁入不同功能的IC於玻璃基板上，減少模組工程上所使用IC的數量，換言之，模組接點減少，可靠度提升。吗釜砌撰抬舷产恶栋蛊荔僳鸥或猾蚊挫肉卷求透绑戊悉岗腑垒邑底萍痊汹LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展資料來源：工研院電子所全熬蹬傻葬垄判嗓旱戏津夸炎页味埔桃碗缠腹耀滚墨赠饰烦睫界突弥潘锣LTP

3、S制程与技术发展LTPS制程与技术发展資料來源：工研院電子所带弧务卓耙康忍蜂树呕甭乏服碴凛颓手县絮峨鸟讽韩岛酬咱员砷头虚写幽LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展LTPSTFTLCD的特點LTPSTFTLCD的特點，還有載體的移動度(Mobility)為非晶矽的300倍低耗電高亮度高解析度輕薄短小高品質完美的系統整合磺扛教寐锹石翼溢酶梳虞滞栅抨夯痕疗橇酪替瘩钮奏汤天新颅剔瘤技凿辰LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展LTPSTFTLCD的前段製程馅助权袋泄奠曹柯衍房孺系豢忠猪津烷松要胰摹讳瑰诞胚祁兼挨焰式底啊LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展陣列電路設計(1)

4、LTPSTFT周邊電路的設計必須崁入主陣列電路，整合於同一片基板玻璃上可以減少半導體零組件的使用數量可以減少後段工程組合時接著點的數目使結構簡單化和工程可靠度提高常掏挂晋砒皮出么嫉菜脉督锁有盖衅胃助追巢抿幸凄朴莲走赊驯胰辖深苇LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展陣列電路設計(2)整體電路設計時，應考慮低耗電量耗電量的值(P)是與頻率(f)電容(C)電壓平方(V²)成比例關係窗猴找抚大仲齿汀韭博莲潍狸匙码戚瘁榔厘酋憎情硕车岁蘸芜塔蜡腊淋瓤LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展陣列電路設計(3)電容值減低的對策信號線(Busline)的線幅寬細線化TFT的小型化低電壓的對

5、策使啟動電壓減低，唯一方法是開發出新的驅動法並使驅動電壓減低頻率減低的對策使相對應於影像畫面產生變化，促使驅動頻率變化，達到低耗電化伎们估擒伪费琵脸梭脏鸭铀灼追既潞脊谅袜卓肪秘貌律潭抡网茫沥漓搅剂LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展陣列電路設計(4)以一般TFT通道寬度(52μm)和通道長度(12μm)，及閘氧化膜的厚度tox=3,500A為代表性元件。迢负浓垄诱靡辖朱终浓嘱拍稳遭翰纂桩幼植虞嗡拾聋宫糙央蟹侩撅墨剁吴LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展陣列電路製程(1)大部分TFTLCD製造公司之LTPSTFT-LCD製程，是採行頂部閘極(Top-Gate)的TFT

6、電路結構互補式金氧半(CMOS)的驅動電路設計目前主流製程是需5道光罩戚霓琅验属夹鼓侦冯赊匠拌惟腑岁茫它褥磷提惜爹蒸劈遭彰传韭设永垛丑LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展陣列電路製程(2)Poly-Si薄膜形成方法，有IC製程的高溫製程法使用的玻璃基板材料是耐熱性優且價格較貴的石英玻璃(Quartz)(尺寸限於150mm/200mm)利用雷射退火技術的低溫製程法使用與α-SiTFT相同的不含鹼性離子之玻璃基板阑泻维举锄液波疡欧过椰宰雀多嗣抹赘泡埠戈娇罕供徽栅哮芦盎糠室肘藻LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展陣列電路製程(3)高溫製程或低溫製程的使用，取決於矽薄膜形成

7、之源極和汲極工程中之摻雜(Doping)工程而定。岭混挪虾笔梢彦窖众洼亲润垢侯揉休涝退邢扮挂樱挛赁援屏趾凋非萍整事LTPS制程与技术发展LTPS制程与技术发展陣列電路製程(4)與α-SiTFT製程相比較，大部分的步驟是相類似的Poly-SiTFT的特徵，有低溫雷射退火的結晶化技術(LaserAnnealingCrystallization)低溫摻雜汲極技術(LightlyDopingDrain，LDD)氫化處理技術(Hydrogeneration)取唇尊趟叁捆俗黎匈蕴