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时间:2020-07-31
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1、低溫多晶矽(LTPS)TFT-LCD介紹姓名:呂俊仁職稱:在職碩一研究生單位:彰化師範大學機電研究所微光電應用實驗室報告內容BriefPersonalIntroductionResearchOverviewRecentResearchPlanningofAcademicCareer一、沿革低溫多晶矽TFT早期製程以半導體設備方式進行,採用SPC(SolidPhaseCrystallization)製程,但高達1000度C的高溫製程下,必需採用熔點較高的石英基板,由於石英基板成本比玻璃基板貴10倍以上,且在基板尺寸的限制下,面板大約僅有2至3吋,只能發展小型面板;之後由於雷射的發
2、展,以雷射結晶化(LaserCrystallization)或稱雷射退火(LaserAnnealing,簡稱LA)的製程方式來降低溫度,運用此方式可將溫度降到500度C的低溫,所以一般TFT-LCD所用的玻璃基板能被採用,因此大型化面板尺寸才得以實現。continue低溫多晶矽自1991年就開始有研究樣品,一直到96年為低溫多晶矽TFT-LCD才真正進入量產,首先由三洋電機推出2.5吋的產品,並搭配在攝錄放影機上銷售,而Sharp、SONY則利用非晶矽TFT-LCD的320mmx400mm基板,調整為低溫多晶矽TFT-LCD生產線,生產數位相機用小型Viewfinder,因此,
3、1996年可稱為低溫多晶矽TFT-LCD元年。而大型、高精細低溫多晶矽TFT問世,是由SeikoEpson在1995年所試作的10.4吋面板,但當時SeikoEpson並沒有採用SystemOnGlass的技術,最初的SystemOnGlass技術是由東芝於1997年為量產所試作的12.1吋面板。二、簡介所謂低溫多晶矽(LowTemperaturePoly-Silicon;LTPS)是新一代薄膜電晶體液晶顯示器(TFTLCD)的製造流程。LTPS〈低溫多晶矽〉就是在攝氏600度C或更低的溫度下經過雷射回火(Laseranneal)的製程步驟所生產的多晶矽,具有如下優點:1.大幅
4、提升電晶體的載子移動率;2.高開口率;3.接點數及零件數減少,可降低材料成本等;4.可內建驅動IC等週邊電路於玻璃基板上;5.TFT反應速度更快且面積縮小;6.系統設計簡單化;7.面板可靠度提升。continueLTPSTFTLCD與傳統非晶矽(a-Si)TFT-LCD最大的差異在於,LTPS的薄膜電晶體經過雷射回火(LaserAnneal)的製程步驟,將(a-Si)的薄膜轉變為多晶矽(Poly-Si)薄膜層,可大幅提升電晶體的載子移動率達200倍以上(~0.5cm2/V.sec.vs.~200cm2/V.sec)。ElectronMobilityTheelectronmobi
5、lityofLTPSTFTreaches~200cm2/V.S,muchhigherthanthe~0.5cm2/V.Sofa-SiTFT.IncreasedelectronmobilityenablesintegrationofcircuitryonthesubstrateaswellasreducingtheTFTdimension.ApertureRatioThetransistorofLTPSLCDissmallerthanthatofamorphous-silicon;therefore,theapertureratioanditsscreenbrightnessca
6、nbeincreasedsignificantly.IntegratedDriversLTPSallowsintegrationofdriverICsontothesubstrateitself.Boththenumberofexternalconnectionsandthebezelsizeofthesubstratecanbeminimized;consequently,theoverallsystemdurabilitycanbeenhancedatlowercost.Glossary〈專有名詞〉LaserAnneal〈雷射回火〉低溫多晶矽與非晶矽最大差異在於,LTPS的
7、薄膜電晶體TFT,經過雷射回火(Laseranneal)的製程步驟;利用雷射作為熱源,雷射光經過投射系統後,會產生能量均勻分布的光束,投射於非晶矽結構的玻璃基板上,當非晶矽結構玻璃基板吸收雷射的能量後,會轉變成為多晶矽結構。開口率(ApertureRatio)開口率即是每個畫素可透光的有效區域除以畫素的總面積,開口率越高,整體畫面越亮。continueAmorphousSiliconTFTLCD〈非晶矽TFT〉(a-Si)為TFTLCD的製程技術之一,分為非晶矽與多晶矽兩種。於顯示效果上,多
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