低温多晶矽(ltps)科技研讨会

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时间:2018-05-24

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1、低溫多晶矽(LTPS)科技研討會在玻璃材料上形成半導體膜,是半導體元件研發人員的理想之一。最先證明玻璃弟料上可形成結晶矽的是MIT之研究團體,在1978年利用雷射將石英上非晶矽膜結晶化,稱為Grapho-epitaxy。此技術在80年代基於在驅動OLED之需求而引發新的一波研發潮流,直至今日。LTPS技術不僅在TFT之應用,對於次世代之多晶矽薄膜太陽電池亦是重要科技。鑒於此科技的未來可能性,本研討會邀請國內外專精此科技之專家討論此科技,提供實質科技交流之平台。此外,展場中提供本校育成中心現駐廠商與本校教授共同研發之成果展示,預計將吸引有興趣業界,前來參加。場地:臺北市基

2、隆路四段43號台灣科技大學國際大樓IB201活動時間:95年7月17日(一)主辦單位:台灣科技大學電力電子中心協辦單位:台灣科技大學光電所、創新育成中心主持單位:台灣科技大學薄膜元件實驗室現場語言:中或英語報名:feiwen@mail.ntust.edu.tw費用:學生及老師免費業界人員:收費議程:時間講題主講者08:00~08:30報到08:30~09:10低溫多晶矽薄膜之太電池應用葉文昌教授,台灣科技大學電子所/光電所本演講對象為初跨入本行之初學者。內容對矽薄膜太陽電池結構及製程做入門性介紹,包括基本結構、製程、鍍膜參數對膜中缺陷之影響等。09:10~09:50Ul

3、tra-LowTemperaturePoly-Si(U-LTPS)TFTforflexibledisplayProf.takashiNOGUCHI,Dept.ofElectricaland10:00~10:40RecentprogressofcrystallizationtechnologyofSiapplicableforLTPSprocessPh.DYoshihiroMorimoto,TechnicalAdvisoryCommittee,TechnicalDirector,tcp(統寶光電)10:40~11:20Thecrystallizationmechanism

4、andthecarriertransportmodelforpoly-SiTFTsannealedbyhigh-powerNd:YAGsolid-statelaserwithGaussianbeamprofile(中文)冉曉雯教授,交通大學顯示科技研究所11:20~11:55矽膜之即時光學特性解明雷射退火融化時間與橫向長晶速度變化碩士畢業生莊淳鈞11:55~12:30雷射退火矽膜之晶粒位置控制技術開發碩士畢業生柯敦元12:30散會

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