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时间:2020-07-26
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1、版图绘制及Virtuoso的使用周海峰2008年9月24日8/3/20211共85页典型深亚微米工艺流程DesignRule的简介Virtuoso软件的简介及使用版图设计中的相关主题8/3/20212共85页1典型深亚微米工艺流程这里介绍目前比较普通的N阱CMOS工艺流程,用到的wafer是p型衬底,所以需要用nWELL来构建p沟器件,而n型MOS管就构建在p衬底上,而对于SMIC工艺来讲,NMOS构建在nWELL的反版也就是pWELL中。8/3/20213共85页第一张mask定义为n-well(orn-tub)maska)离子注入:制造nwell。b)扩散:在所有方向上扩散
2、,扩散越深,横向也延伸越多。8/3/20214共85页第二张mask定义为activemask。有源区用来定义管子的栅以及允许注入的p型或者n型扩散的管子的源漏区。8/3/20215共85页忽略版图中无法体现的一些mask:诸如channelstop、阈值电压调整等要介绍的第三张mask为polymask:它包含了多晶硅栅以及需要腐蚀成的形状。这还用来定义源漏的自对准。8/3/20216共85页第四张mask定义为n+mask,用来定义需要注入n+的区域。可以看到多晶硅栅用来作为源漏的自对准层。这里的注入为两次注入,首先轻掺杂注入,在栅上生成一层氧化层后再重掺杂注入,形成LDD
3、结构。8/3/20217共85页第五张mask是p+mask。p+在Nwell中用来定义PMOS管或者走线;p+在Pwell中用来作为欧姆接触。LDD不必用来形成PMOS,这是因为热载流子在PMOS中受影响小。8/3/20218共85页第六张mask就是定义接触孔了。首先腐蚀SiO2到需要接触的层的表面。其次要能够使金属接触到扩散区或者多晶硅区。8/3/20219共85页第七张mask就是金属1(metal1)了。需要选择性刻蚀出电路所需要的连接关系。至此,一个反相器的完整版图就完成了。8/3/202110共85页2DesignRule的简介图解术语8/3/202111共85页
4、8/3/202112共85页8/3/202113共85页一个简单的例子8/3/202114共85页3Virtuoso软件的简介及使用YouusetheVirtuosolayouttoolstopreparecustomintegratedcircuitdesigns.Createandeditpolygons,paths,rectangles,circles,ellipses,donuts,pins,andcontactsinlayoutcellviewsPlacecellsintoothercellstocreatehierarchicaldesignsConnectapin
5、orgroupofpinsinanetinternallyorexternallyCreatespecialpcellsoruseSKILLlanguagecommands8/3/202115共85页StartingtheLayoutEditorTostarttheVirtuosolayouteditorsoftware,youmusttypethenameofanexecutableinanxtermwindow.layout–includesthelayouteditor,Assurainternactiveverificationproducts,plotting,and
6、physicaltranslatorslayoutPlus–includesalloftheabove,plustheVirtuosocompactorandVirtuosoXLicfb–includesallcadencecustomICdesigntools,fronttobackdesignenvironment8/3/202116共85页CreateLayoutCellviewFile->New->Cellview8/3/202117共85页VirtuosoLayoutEditorDesignWindow8/3/202118共85页UsingtheIconMenu8/3
7、/202119共85页ControllingtheIconMenuYoucancontrolCIW->Option->User…WheretheiconmenuappearsWhetherthemenuappearsatallWhethericonnamesappear8/3/202120共85页LayoutEditor菜单(1)Abstract用于版图抽取,DraculaInteractive用于Dracula工具进行DRC等Verify菜单下的DRC等是用于Diva工具的。8/3/202
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