版图绘制及virtuoso的使用

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1、版图绘制及Virtuoso的使用周海峰2008年9月24日典型深亚微米工艺流程DesignRule的简介Virtuoso软件的简介及使用版图设计中的相关主题9/1/20212共85页1典型深亚微米工艺流程这里介绍目前比较普通的N阱CMOS工艺流程，用到的wafer是p型衬底，所以需要用nWELL来构建p沟器件，而n型MOS管就构建在p衬底上，而对于SMIC工艺来讲，NMOS构建在nWELL的反版也就是pWELL中。9/1/20213共85页第一张mask定义为n-well(orn-tub)maska)离子注入：制造nwell。b)扩散：在所有方向上扩散，扩散越深，横向也延伸越多。9

2、/1/20214共85页第二张mask定义为activemask。有源区用来定义管子的栅以及允许注入的p型或者n型扩散的管子的源漏区。9/1/20215共85页忽略版图中无法体现的一些mask：诸如channelstop、阈值电压调整等要介绍的第三张mask为polymask：它包含了多晶硅栅以及需要腐蚀成的形状。这还用来定义源漏的自对准。9/1/20216共85页第四张mask定义为n＋mask，用来定义需要注入n＋的区域。可以看到多晶硅栅用来作为源漏的自对准层。这里的注入为两次注入，首先轻掺杂注入，在栅上生成一层氧化层后再重掺杂注入，形成LDD结构。9/1/20217共85页第

3、五张mask是p＋mask。p＋在Nwell中用来定义PMOS管或者走线；p＋在Pwell中用来作为欧姆接触。LDD不必用来形成PMOS，这是因为热载流子在PMOS中受影响小。9/1/20218共85页第六张mask就是定义接触孔了。首先腐蚀SiO2到需要接触的层的表面。其次要能够使金属接触到扩散区或者多晶硅区。9/1/20219共85页第七张mask就是金属1（metal1）了。需要选择性刻蚀出电路所需要的连接关系。至此，一个反相器的完整版图就完成了。9/1/202110共85页2DesignRule的简介图解术语9/1/202111共85页9/1/202112共85页9/1/2

4、02113共85页一个简单的例子9/1/202114共85页3Virtuoso软件的简介及使用YouusetheVirtuosolayouttoolstopreparecustomintegratedcircuitdesigns.Createandeditpolygons,paths,rectangles,circles,ellipses,donuts,pins,andcontactsinlayoutcellviewsPlacecellsintoothercellstocreatehierarchicaldesignsConnectapinorgroupofpinsinanetin

5、ternallyorexternallyCreatespecialpcellsoruseSKILLlanguagecommands9/1/202115共85页StartingtheLayoutEditorTostarttheVirtuosolayouteditorsoftware,youmusttypethenameofanexecutableinanxtermwindow.layout–includesthelayouteditor,Assurainternactiveverificationproducts,plotting,andphysicaltranslatorslayo

6、utPlus–includesalloftheabove,plustheVirtuosocompactorandVirtuosoXLicfb–includesallcadencecustomICdesigntools,fronttobackdesignenvironment9/1/202116共85页CreateLayoutCellviewFile->New->Cellview9/1/202117共85页VirtuosoLayoutEditorDesignWindow9/1/202118共85页UsingtheIconMenu9/1/202119共85页Controllingthe

7、IconMenuYoucancontrolCIW->Option->User…WheretheiconmenuappearsWhetherthemenuappearsatallWhethericonnamesappear9/1/202120共85页LayoutEditor菜单（1）Abstract用于版图抽取，DraculaInteractive用于Dracula工具进行DRC等Verify菜单下的DRC等是用于Diva工具的。9/1/202121共85页Layout