实验三virtuoso版图设计

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1、实验三Virtuoso版图设计一、实验目的1、熟练掌握Virtuoso工具；2、利用Virtuoso工具进行倒相器的版图设计及DRC、ERC、LVS检查。二、实验步骤1、在终端提示符下，键入icfb&，启动Cadence软件。2、在弹出的librarymanager窗口中建立一个新的库，如图3-1和3-2所示。图3-1LibraryManager中新建库文件图3-2LibraryManager中新建库文件输入完库文件名之后，在TechnologyLibrary中选择Attachtoexistingtechlibrary32，在弹出的库连接中选择

2、AMI0.6μC5N(3M，2P)工艺库。3、在librarymanager窗口中先选择刚才新建立的库，再在菜单文件选项中选择新建CellView，如图3-3所示。图3-3LibraryManager中新建CellView文件在图3-4新建CellView打开的窗口中输入CellName，并选择Tool为Virtuoso。图3-4新建CellView打开窗口中输入CellName4、点击OK之后，弹出Virtuoso窗口，如图3-5。如果弹出的Virtuoso窗口左面没有LSW菜单，把Virtuoso窗口关闭，从新回到LibraryManage

3、r窗口中，如图3-6所示，选择自己所建的库，再在右面的Cell中选中刚才所建的Cell，View选中Layout，在Layout上点击右键选择Attachtoexistingtechlibrary，在弹出的库连接中选择第二个工艺库，再双击View中的Layout，打开Virtuoso窗口。32图3-5Virtuosoediting窗口图3-6LibraryManager窗口版图视窗打开后，掩模版图窗口显现。视窗由三部分组成：Iconmenu、menubanner、statusbanner。Iconmenu(图标菜单)缺省时位于版图图框的左边，列

4、出了一些最常用的命令的图标,要查看图标所代表的指令，只需要将鼠标滑动到想要查看的图标上，图标下方即会显示出相应的指令。menubanner(菜单栏),32包含了编辑版图所需要的各项指令，并按相应的类别分组。几个常用的指令列举如下：ZoomIn-------放大Zoomoutby2-------缩小2倍Save-------保存编辑Delete-------删除编辑Undo-------取消编辑Redo-------恢复编辑Move-------移动Stretch-------伸缩Rectangle-------编辑矩形图形Polygon----

5、---编辑多边形图形Path-------编辑布线路径Copy-------复制编辑statusbanner(状态显示栏)，位于menubanner的上方，显示的是坐标、当前编辑指令等状态信息。在版图视窗外的左侧还有一个层选择窗口(LayerandSelectionWindow：LSW)。LSW视图的功能：(1)可选择所编辑图形所在的层；(2)可选择哪些层可供编辑；(3)可选择哪些层可以看到。以下对绘制我们这个版图所需的最少版图层次做简单介绍。层次名称说明NwellN阱Active有源区PselectP型注入掩膜NselectN型注入掩膜Cc引

6、线孔，连接金属与多晶硅/有源区Metal1第一层金属，用于水平布线，如电源和地Via通孔，连接metal1和metal2Metal2第二层金属，用于垂直布线Text标签Poly多晶硅，做mos的栅5、画pmos的版图(1)画出有源区在LSW中，点击active(dg)，注意这时LSW顶部显示active字样，说明active层为当前所选层次。然后点击iconmenu中的rectangleicon，在vituosoediting窗口中画一个宽为3.6u，长为6u的矩形。这里我们为了定标，必须得用到标尺。点击ruler即可得到，清除标尺点击misc

7、/clearruler。如果你在绘制时出错，点击需要去除的部分，然后点击deleteicon。(2)画栅在LSW中，点击poly(dg)，画矩形。与有源区的位置关系如下图3-7：32图3-7画出有源区和栅(3)画整个pmos为了表明我们画的是pmos管，我们必须在刚才图形的基础上添加一个pselect层，这一层将覆盖整个有源区0.6u。接着，我们还要在整个管子外围画上nwell，它覆盖有源区1.8u。如下图3-8所示：图3-8画出整个pmos(4)衬底连接pmos的衬底(nwell)必须连接到vdd。首先，画一个1.2u乘1.2u的active

8、矩形；然后在这个矩形的边上包围一层nselect层(覆盖active0.6u)。最后将nwell的矩形拉长，完成后如下图3-9所示：32图3-9衬底连