集成电路设计原理思考题.docx

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1、1-1思考题1-1-1.典型PN结隔离工艺与分立器件NPN管制造工艺有什么不同（增加了哪些主要工序）？增加工序的的目的是什么？1-1-2.NPN管的电极是如何引出的？集电极引出有什么特殊要求？1-1-3.典型PN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩散或发射区扩散之后？1-2思考题1-2-1.在N阱硅栅CMOS基本工艺中做连线有源区和多晶硅可否交叉通过？1-2-2.在N阱硅栅CMOS基本工艺中有源区包括哪些区域，是如何刻蚀出来的？1-2-3.集成MOS管的衬底电极与分立MOS器件的有何不同？引出时要注意什

2、么？1-2-4.为什么要进行引线孔参杂？2-1思考题2-1-1.集成NPN管与分立NPN管有什么不同？2-1-2.有源寄生效应有何影响？如何减小或消除？2-1-3.无源寄生有何影响？2-1-4.NPN管图形尺寸与其主要参数之间有什么关系？2-1-5.NPN管常用图形各自的特点是什么？2-1-6.超增益管BC结的偏压为什么要限制在0伏左右？2-1-7.超增益管的发射区通常采用什么图形？为什么？2-2思考题2-2-1.设n+埋层对横向PNP管有什么好处？2-2-2.可控增益横向PNP管的原理是什么？2-2-3.横向PNP管的发

3、射区为何选用较小的面积？2-2-4.衬底PNP管为什么不能加n+埋层？2-2-5.衬底PNP管的应用有什么局限性？2-2-6.为什么衬底PNP管的基区表面要覆盖大面积的n+扩散？2-3思考题2-3-1.MOS晶体管沟道长度和宽度是如何定义的?2-3-2.MOS晶体管尺寸如何确定？2-3-3.寄生MOS晶体管如何形成的？它的危害是什么？如何消除？2-3-4.闩锁效应是如何产生的？有何危害？如何抑制其发生？2-4思考题2-4-1.集成电路中的一般二极管构成方式有哪些？各自有什么特点？2-4-2.隐埋齐纳二极管的优点是什么？2-

4、4-3.肖特基二极管的特点是什么？2-4-4.肖特基晶体管的结构和工作原理是什么？2-4-5.设计肖特基二极管和肖特基晶体管时应注意什么？2-5思考题2-5-1.形成电阻的方式有哪些？各自的特点是什么？2-5-2.各种结构电阻的电阻值如何计算？2-5-3.设计电阻时应该考虑哪些因素？2-6思考题2-6-1.形成电容的方式有哪些？各自的特点是什么？2-6-2.各种结构电容的电容值如何计算？2-6-3.设计电容时应该考虑哪些因素？3-1思考题3-1-1.版图设计规则包含哪些内容？3-1-2.几何设计规则的制定与哪些因素有关？3

5、-1-3.版图设计中使用的工艺层与流片中使用的掩模版有什么关系？3-2思考题3-2-1.隔离区如何划分？阱区如何划分？3-2-2.压焊点如何排布？3-2-3.布局策略如何？3-2-4.布线层有哪些？布线策略如何？3-2-5.有源区连线与多晶硅连线为什么不能交叉走线？3-3思考题3-3-1.版图验证有什么重要性？3-3-2.版图验证流程有哪些环节？各自的目的是什么？3-4思考题3-4-1.公共区域合并的好处。3-4-2.器件连接顺序与版图设计之间有何关系？3-4-3.版图设计中有哪些匹配性设计要求？4-1思考题4-1-1.C

6、MOS反相器的速度、功耗、噪声容限分别受哪些因素影响？4-1-2.CMOS反相器的几种最佳设计方案的内涵是什么？4-1-3.CMOS反相器电压传输特性曲线受哪些因素影响？4-2思考题4-2-1.NMOS传输门、PMOS传输门、CMOS传输门各自的优缺点是什么？4-2-2.传输门的传输速度与哪些因素有关？4-3思考题4-3-1.CMOS门电路中，输入端数对特性有何影响（静态和瞬态）？设计时如何考虑？4-5思考题4-5-1.各种NMOS（含伪NMOS）反相器的结构有何不同？各自的优缺点是什么？速度、功耗、噪声容限分别受哪些因素

7、影响？4-5-2.各种NMOS（含伪NMOS）反相器的输出高低电平如何计算？分别受什么因素影响？4-5-3.什么叫有比电路？4-5-4.NMOS门电路中，输入端数对特性有何影响（静态和瞬态）？设计时如何考虑？4-5-5.差分级联电压开关逻辑的突出特点有哪些？为什么说它属于有比电路？4.11思考题4-11-1.在CMOS数字集成电路设计中，为什么通常采用反相器作为输入/输出单元？5-1思考题5-1-1.存储器一般由哪几部分组成？5-1-2.设计译码电路时应注意什么问题？5-1-3.多级译码电路有什么优点？5-2思考题5-2-

8、1.MaskROM的特点是什么？5-2-2.MaskROM是如何存储信息“0”和信息“1”的？5-3思考题5-3-1.EPROM的特点是什么？5-3-2.EROM是如何存储信息“0”和信息“1”的？5-4思考题5-4-1.EEPROM的特点是什么？5-4-2.EEROM是如何存储信息“0”和信息“1”的