GaN基LED低温空穴注入层的MOCVD生长研究.pdf

《GaN基LED低温空穴注入层的MOCVD生长研究.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、第35卷第5期发光学报V01．35No．52014年5月CHINESEJOURNAL0FLUMINESCENCEMay，2014文章编号：1000-7032(2014)05-0595-05GaN基LED低温空穴注入层的MOCVD生长研究黄华茂，游瑜婷，王洪+，杨光(华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心，广东广州510640)摘要：针对GaN基LED空穴注入效率低的问题，在量子阱与电子阻挡层之间插入低温空穴注入层(LT—HIL)，实验研究了MOCVD生长LT．HIL时二茂镁(cp：Mg)流量和生长温度的影响。结果表明：随着cp：

2、Mg流量的增加，外延薄膜晶体质量下降，外延片表面平整度和均匀性降低；而受Mg掺杂时补偿效应的影响，主波长先红移后蓝移。芯片的输出光功率先升高后降低，正向电压先降低后升高。相比于无LT．HIL的样品，在20·ln工作电流下，cp，Mg流量为1．94I山mol／min时制备的芯片的输出光功率提升20．3％，而正向电压降低O．1v。在cp：Mg流量较大时，LT．HIL的渐变式生长温度对外延质量有所改善，但不是主要影响因素。关键词：LED；MOCVD；低温空穴注入层；二茂镁；温度中图分类号：TN303：TN304文献标识码：ADOI：10．3788／f

3、gxb20143505．0595InvestigationofLowTemperatureHole-injectionLayerinGaN-basedLEDEpitaxialWaferGrownbyMOCVDHUANGHua—mao，YOUYu-ting，WANGHong+，YANGGuang(EngineeringResearchCenterforOptoelectronicsofGuangdongPr∞ince．DepartmentofPhysics，SchoolofScience，SouthChinaUniversityofTechnol

4、ogy，Guangzhou510640，China)}CorrespondingAuthor，E—mail：phhwang@scut．edu．cnAbstract：Alow—temperaturehole—injectionlayer(LT-HIL)wasinsertedbetweenmultiple—quantumwellandelectron-blockinglayerinGaN-basedthehole—in-light—emittingdiodes(LEDs)toimprovejectionefficiency．Theeffectsof

5、magnesocene(Cp2Mg)flowrateandprocesstemperatureofLT—HILinMOCVDepitaxywereinvestigated．Thesurfacereflectivityanddominantwavelengthofepi-taxialwafersweremeasuredbyphotoluminescencespectrometer，thesurfaceprofileswereobservedbymicroscope，andthelight-outputpowerandforwardvoltageo

6、ffabricatedchipsweretestedbywa·fer—levelauto-measurementsystem．AstheCp2Mgflowrateincreases，thecrystalquality，flatness，anduniformityofepilayerdecrease．DuetothecompensationeffectsinMg—dopedGaNmaterial，thedominantwavelengthshowsred—shiftatfirstandthenblue—shift，theoutputpowerof

7、thechipgoesuptothemaximumthenfallsdown，andtheforwardvoltagegoesdowntotheminimumthenrisesup．ComparedtoconventionalLEDchipswithoutLT—HIL，theoutputpowerandforwardvoltageoftheLEDchipswithCp2Mgmoralflowrateof1．94Ixmol／minareenhancedby20．3％andreducedby0．1Vundertheinjectioncurrento

8、f20mA．Itisalsoshownthatthegraduallychangingprocesstemperaturecanalsoimprove