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时间:2019-03-05
《gan成核层的mocvd外延生长研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、2018届硕士学位论文GaN成核层的MOCVD外延生长研究作者姓名叶腾指导教师宿星亮副教授学科专业凝聚态物理研究方向半导体的生长与检测培养单位物理电子工程学院学习年限2015年9月至2018年6月二〇一八年六月山西大学2018届硕士学位论文GaN成核层的MOCVD外延生长研究作者姓名叶腾指导教师宿星亮副教授学科专业凝聚态物理研究方向半导体的生长与检测培养单位物理电子工程学院学习年限2015年9月至2018年6月二〇一八年六月ThesisforMaster’sdegree,ShanxiUniversity,2
2、018InvestigateofGaNnucleationlayergrownbyMOCVDStudentNameTengYeSupervisorProf.Xing-liangSuMajorCondensedmatterPhysicsSpecialtyGrowthanddetectionofsemiconductorDepartmentSchoolofphysicsandelectronicengineeringResearchDuration2015.09-2018.06June,2018目录中文摘要..
3、.....................................................................................................................ⅠABSTRACT.............................................................................................................................Ⅲ第一章绪
4、论.........................................................................................................................11.1研究背景................................................................................................................11.2GaN材料的物理特性
5、...........................................................................................21.3常用衬底................................................................................................................41.4本论文的研究意义.................................
6、...............................................................51.5本论文的研究内容及创新性工作........................................................................5第二章外延生长和表面表征设备.....................................................................................72.
7、1外延生长理论........................................................................................................72.2外延生长设备........................................................................................................82.2.1分子束外延(MBE)...............
8、..................................................................82.2.2氢化物气相外延(HVPE)......................................................................82.2.3金属有机气相外延(MOCVD)................................
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