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1、第30卷第2期固体电子学研究与进展Vol.30,No.22010年6月RESEARCH&PROGRESSOFSSEJun.,2010光电子学GaN基功率LED高低温特性研究贾学姣郭伟玲高伟裘利平李瑞毛德丰沈光地(北京工业大学,光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124)2009-01-20收稿,2009-05-14收改稿摘要:首次对自制的GaN基大功率白光和蓝光发光二极管在-30~100°C的温度下进行了在线的光电特性测试,对两种不同LED的正向电压、相对光强、波长、色温等参数随温度变化的关系进行了数据曲线拟合,对比分析了参数变化的原因
2、,以及这些变化对实际应用的影响。结果表明,温度对大功率LED的光电特性有很大影响,通过对比发现白光LED的部分光参数随温度的变化不仅与GaN芯片有关,同时受到荧光粉的影响。低温环境下,要考虑LED的正向电压升高和峰值波长蓝移对应用的影响;而高温条件下要考虑光功率降低和峰值波长红移对应用的影响。关键词:氮化镓;功率发光二极管;低温;正向电压;峰值波长中图分类号:TN312.8文献标识码:A文章编号:1000-3819(2010)02-0304-04TheCharacteristicsofGaNBasedLEDatLowandHighTemperatureJ
3、IAXuejiaoGUOWeilingGAOWeiQIULipingLIRuiMAODefengSHENGuangdi(KeyLaboratoryofOpto-electronicsTechnology,MinistryofEducation,BeijingUniversityofTechnolgy,Beijing,100124,CHN)Abstract:ThehighpowerGaN-basedblueandwhitelightemittingdiodes(LEDs)aretestedonlineattemperaturesfrom-30°Cto100
4、°C.Themeasureddataarefittedfortherelationshipbetweentemperaturesandthepropertyofforwardvoltages,lightrelativeintensity,wavelength,andcolortemperatureoftwodifferentkindsofLEDs.Thereasonsofthesepropertychangesandtheirinfluenceontheapplicationsarealsoanalyzedandcomparedwitheachother
5、.TheresultsshowthattemperaturehasgreatinfluenceontheperformancesofhighpowerGaN-basedLEDs,andtheperformancesofwhiteLEDsatdifferenttemperaturesalsohavesomerelationswithyel-lowphosphors.Forapplicationsatlowtemperature,theforwardvoltagerisingandthepeakwavelengthblue-shiftingmustbecon
6、sidered;andathightemperature,thelightrelativeintensitydecreasingandthepeakwavelengthred-shiftingmustbeconsidered.Keywords:GaN;powerLED;lowtemperature;forwardvoltage;peakwavelengthEEACC:7360L;4260D制一直是全球半导体产业投资的热点,在成功解决引言了GaN材料外延生长和P型化的问题之后,Nichia公司于1991年成功研制出了掺Mg的同质结蓝光20世纪90年代以来,
7、GaN基半导体器件的研LED,并在1993年首先成功研制出发光亮度超过基金项目:国家863项目(2009AA03A1A3,2008AA03A192);国家重大专项(2008ZX10001-014);科技部技术创新基金项目(09C26221100138)联系作者:E-mail:guoweiling@bjut.edu.cn2期贾学姣等:GaN基功率LED高低温特性研究3051cd的高亮度InGaN/AlGaN双异质结蓝光LED,项参数,以保证LED芯片的温度与环境温度达到热GaN基LED得到了迅猛的发展,这为半导体固态照平衡,避免了LED与外部环境的温
8、差,减小了实验明形成完备的三基色发光体系奠定了基础,使得白误差。光LED的研制成