硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化.pdf

硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化.pdf

ID:53909593

大小:388.72 KB

页数:7页

时间:2020-04-27

硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化.pdf_第1页
硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化.pdf_第2页
硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化.pdf_第3页
硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化.pdf_第4页
硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化.pdf_第5页
资源描述:

《硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库

1、高技术通讯2003.7硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数0的优化!潘瑞!毛军发王彬(上海交通大学电子工程系上海200030)摘要详细分析了RF集成电路硅衬底螺旋电感(SIOS)的一种物理模型,该模型考虑了衬底效应。通过MATLAB仿真,得出了衬底损耗对螺旋电感品质因数G的影响。在此基础上对金属线宽和线间距进行了严格的数值优化,实现了在设计要求不变的前提下螺旋电感G的优化,并进一步推导出了最优化线圈宽度的近似解析式。采用优化结果进行设计,可以使G得到明显提高。关键词SIOS,品质因数,衬底损耗,优化何准确地反映高频时的一些复杂现象,例如涡旋电0引言流效应和硅衬底损耗。由于电感只是储

2、存磁场能量,因而通过欧姆损耗消耗能量的电阻和储存电场硅衬底螺旋电感(SIOS)是影响许多RF集成电能量的电容就成为寄生参数。图1所示为文献[3]路性能的关键部分,例如压控振荡器、无源滤波器给出的SIOS的物理模型。其中,L和R是串联SS等[1,2]。由于缺乏一种准确、简单的SIOS模型,为电感和电阻,C是导体间的电容,C是电感与硅衬SoaRF集成电路的设计人员带来了不便。在过去的几底间的电容,CSi和RSi表示硅衬底的电容和电阻。年中,关于SIOS模型研究的论文有很多[2-4],如利下面对这些参数进行详细说明。用微带线理论获得电感模型,利用部分元等效电路方法得到电感的可扩展模型等

3、。这些模型大多是通过数值方法或曲线拟合的方法得到,因而相对不准确或者计算量很大,而且当电感的版图尺寸变化较大时不能适用。为满足实际需要,无疑应建立一种更好的便于SIOS设计及优化的物理模型。这里研究的物理模型在文献[3]中首次提出,并与实测结果进行比较后得到了验证。本文对该物理模型进行了详细的分析,验证了它的实用性。在此基础上对螺旋电感的线宽和线间距进行了数值优化,得到的品质因数G较未优化前有所提高,并推导出最优化金属线宽的近似解析表达式,这为数值优化中金属线宽初始值的确定提供了一种简图1SIOS的物理模型单的参考依据,减少了计算量。1SIOS物理模型的参数1.1串联电感!"在高

4、频段,金属线可以当作电感。螺旋电感可分析以看作由多根金属线连接组成,因此其串联电感包SIOS物理建模的难度在于如括两部分:金属自身电感及它们之间的互电感。金"863计划(863-SOC-Y-3-3-2)和国家自然科学基金(60025103,69971015)资助项目。!女,1978年生,硕士生;研究方向:射频集成电路;联系人。(收稿日期:2002-06-28)—6—潘瑞等:硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数G的优化属导体的自电感以及导体间的互电感用Greenhouse2oo(7)[5]CS=7·I·t算法计算,自电感的计算公式为:ooM1~M22lI+t其中,7表示交迭区域的数量

5、,对于一个N圈的电Lself=2l(ln+0.5+)(1)I+t3l感,它等于(N-1);表示氧化层的介电常数,对于oo其中,l为金属导体的长度,I为金属导体的宽度,tSiO2来说,它等于40(0为空气的介质常数),单位为金属导体的厚度。对于一个N圈的螺旋电感,其是F/m;t表示两层金属间的氧化层厚度。ooM1-M2自电感将会包括4N项。互电感则用下面公式计算:1.4衬底寄生参数M=2lMf(2)在本文采用的物理模型中,衬底的特性用C、oo其中,M为互电感,l的意义同上,M是互电感参fC、R这3个参量来模拟。C表示氧化层的电SiSioo数,计算公式如下:容,C和R分别表示衬底的电

6、容和电阻。它们可SiSi2Mf=ln[l+1+(l)]~以用以下公式近似计算:GMD!GND1ooGMD2GMDCoo=·ltotal·I·(8)1+()+(3)2too!llC1·ltotal·I·C(9)GMD是指金属导体间的几何距离,它近似等于导Si=2sub体中线间距。其准确计算公式为:R2(10)246Si=ltotal·I·GIIIsublnGND=lnd~2~2~6~12d60d168d其中,C和G分别代表硅衬底单位面积的电容subsub810II(F/m2)和电导(S/m2)。在本文中,采用电阻率为8~10~⋯(4)360d660d10"·cm的硅衬底,C和G分别

7、为16>10-6F/subsub其中d为导体中线间距。互电感有正负之分,如果m2和4>104S/m2。两根导体的电流方向一致,则它们之间的互电感为正,反之为负。因而,对于一个N圈的螺旋电感,它的互电感将包含2N(N-1)个正项和2N2个负项。2计算结果综上,串联电感为:得到以上各个参数计算公式之后,便可以推导LS=Lself+M+~M~(5)出品质因数的计算公式:1.2串联电阻!"最大磁场能~最大电场能在RF频段,由于涡旋电流的存在,导体中流过=2单个周期的能量损耗的电流不再均匀

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。