用于射频集成的高q硅基电感的优化设计

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时间:2018-11-21

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1、用于射频集成的高Q硅基电感的优化设计王惠娟1,2,潘杰1,2,任晓黎2,曹立强1,2,于大全1,万里兮1(1.中国科学院微电子研究所,北京100029;2.华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,江苏无锡214135)摘要:采用理论分析与电磁仿真结合的方法,对硅上多层金属构成的螺旋电感进行电性能研究,优化并获得一种适用于射频电路集成的硅基射频高Q电感。对于影响电感Q值的多种损耗机制,重点研究了趋肤效应对电感的影响。并通过结构参数及金属层叠优化后,硅上电感的Q值可以达到60以上,自谐振频率可以达到10G

2、Hz以上,可以较好地应用于射频系统中的滤波选频及匹配等网络。.jyqk[Zin]分别代表电感阻抗值的实部和虚部,对于无辐射系统,如Z=R+jX,则Q=

3、X

4、R,谐振回路的品质因数为谐振回路的特性阻抗与回路电阻之比。元件的有效Q值愈大,用该元件组成的电路或网络的选择性愈佳。而Q值的大小与其损耗机制有关。1.2硅基电感损耗机制对于硅上螺旋电感,在不涉及磁芯材料的情况下,影响电感Q值主要有两种损耗:一种是衬底损耗,一种是导体损耗。衬底损耗由衬底电阻率及衬底与电感金属间绝缘层厚度来决定,衬底电阻率越高,绝缘层

5、厚度越大,其Q值越低[7]。导体损耗是由构成片上无源元件的金属导体有限的电导率引起的,这一部分损耗根据形成原因可分为直流损耗以及高频损耗两种。为了减少欧姆损耗,可选用低电阻率的金属材料,增大导体横截面积,减小导体长度。随着频率的升高,电流趋向于在导体的外表面流动产生趋肤效应,它取决于频率、金属电导率和磁导率,趋肤深度和高频下电阻可以表示为以下公式[1]:式中:σ为金属电导率,μ为磁导率,ω为工作角频率。工作频率越高,趋附深度δs越小,Rs越大,导体损耗越大,信号幅度的衰减就越快。表1给出了常见的几种用

6、于制作无源器件的金属的电导率、电阻率及在典型高频点下的趋肤深度。从表中可以看出,铜和银导电率较好,由于铜金属的易于制作且价格便宜,而金属铝由于其加工时易控制性且成本最低,易于形成电极,在半导体工艺中应用较多。2硅基电感的层叠及优化仿真2.1硅基螺旋电感的设计参数通过对硅上平面螺旋电感进行了理论分析,给出了影响电感电学性能主因素。总结出在设计中要考虑的可变参数包括:(1)衬底的厚度及电阻率;(2)线圈的圈数;(3)金属的线厚、线宽、线间距,材料的选择;(4)线圈面积与电感参数的影响;(5)多圈的过孔及连

7、出方式[3]。本文选取其中的几个关键点,介绍具体的分析、仿真及优化过程。为了研究硅上电感的电学特性,采用两种不同的软件(HFSS,ADS)完成以下电感的电磁仿真(EM)及建模仿真。本文所采用的电感为平面螺旋八边形结构,金属层叠由四层金属及两种通孔构成。其4层金属可以组成如图1所示的两种结构,图中M1和M3的典型选择为金属铝,M2及VIA1_2的典型选择为金属铜。基于这两种层叠,选择以下参数来完成优化:硅上电感的典型硅衬底选择均为2000Ω?cm,而衬底厚度采用尽可能薄加工时且易于拿持的尺寸350μm,

8、选择2μm的氧化层来作为硅表面绝缘。由于金属厚度大于3倍趋肤深度时,电感性能的改善并不明显,所以图1中构成电感的主要层M1和M2均为3μm,VIA1_2也为3μm,金属表面电极层M3为1μm。2.2硅基螺旋电感的设计参数(1)电感的线宽、间距及内径:电感的电感内径D=240μm;4种电感的线条宽度1+M2+M3+VIA1_2;M1+M2+VIA1_2;M2+VIA1_2;M2,如图4所示,数据中4条曲线依次对应4种电感。结果显示电感的感值均接近,但是Q值有区别。预计的采用4层金属够成获得最高Q的电感并

9、非如此,在2.5GHz读取数据对比,采用单层M2上形成电感Q值最高可超过40,初步分析这是由于趋肤效应造成的。为了进一步分析这种现象,采用单圈电感在不同层上走线建模。选择内径D为600μm、线宽60μm的八边形电感,对不同层金属的结构进行仿真得到的电感值及Q值如图5所示,图中4种电感的金属构成分别为M2,M3,M2+M3,M1+M2+M3+VIA1_2。同样选择频率约在2.5GHz最近点读取数据,可知采用3μm厚铜作为惟一金属层的电感Q值最大,并且其Q最大值可以超过60(7GHz左右)。图5中同时给出

10、了两种电感的表面电流分布的结果,左图为L1的结果,可以看出其表面电流较大,右图为L4的结果(L2和L3结果类似),这是由于仅有L1电感是由3μm的厚铜构成,其他电感表面均有一层1μm的铝。而铜的导电率是比铝要高得多,使得铜线圈电阻小于铝圈。由于趋肤效应,电场往线圈的金属表面集中,所以L1的电流会大得多。3高频寄生参数的提取对于硅上螺旋电感的等效模型研究,已经有较多的发表文章研究,但是大多等效模型都没有考虑到高频时的趋肤效应所带来的影响[6,9]。在本文中

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