DB61∕T 512-2011 太阳电池用单晶硅片检验规则.doc

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1、ICS27.160F12DB61陕西省地方标准DB61/T512—2011太阳电池用单晶硅片检验规则2011-04-20发布2011-05-01实施陕西省质量技术监督局发布DB61/T512—2011前言本标准参考SEMIM6—2008《太阳光伏电池用硅片规范》、GB/T12965—2005《硅单晶切割片和研磨片》，结合国内外晶体硅片现状及发展趋势制定。本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。本标准由陕西省工业和信息化厅归口。本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西安烽火光伏科技股份有限公司、陕西华山半导

2、体材料有限责任公司、西安隆基硅材料股份有限公司共同负责起草。本标准主要起草人：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、皇甫国、张超、赵可武。本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。本标准为首次发布。IDB61/T512—2011太阳电池用单晶硅片检验规则1范围本标准规定了太阳电池用单晶硅片技术要求、试验方法和检验规则等内容。本标准适用于太阳电池用单晶硅片（以下简称硅片）的检验。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本

3、（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T1550—1997非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1553—2009硅和锗体内少数载流子寿命光测定电导衰减法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555—2009半导体单晶晶向测定方法GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T6617硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T6618—2009硅片厚度和总厚度变化的测试方法GB/T6619—2009硅片弯曲度测试方法GB/T6620硅片翘曲度非接触

4、式测试方法GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法SEMIMF1535—2007微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1线痕sawmark硅片在线切割过程中产生的切割痕迹。3.2径向电阻率变化radialresistivitytolerance晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若干对称分布的设置点（典型设置点是晶片半径的1/2处或靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为测量差值除以中心值，以百分数表示。又称径向电阻率梯度。3.3

5、晶片厚度thicknessofslices1