行业标准：DB61∕T 512-2011 太阳电池用单晶硅片检验规则.pdf

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1、ICS27.160F12DB61陕西省地方标准DB61/T512—2011太阳电池用单晶硅片检验规则2011-04-20发布2011-05-01实施陕西省质量技术监督局发布DB61/T512—2011前言本标准参考SEMIM6—2008《太阳光伏电池用硅片规范》、GB/T12965—2005《硅单晶切割片和研磨片》，结合国内外晶体硅片现状及发展趋势制定。本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。本标准由陕西省工业和信息化厅归口。本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西安烽火光伏科技股份有限公司、陕西华山半导体材料有限责任

2、公司、西安隆基硅材料股份有限公司共同负责起草。本标准主要起草人：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、皇甫国、张超、赵可武。本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。本标准为首次发布。IDB61/T512—2011太阳电池用单晶硅片检验规则1范围本标准规定了太阳电池用单晶硅片技术要求、试验方法和检验规则等内容。本标准适用于太阳电池用单晶硅片（以下简称硅片）的检验。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

3、文件。GB/T1550—1997非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1553—2009硅和锗体内少数载流子寿命光测定电导衰减法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555—2009半导体单晶晶向测定方法GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T6617硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T6618—2009硅片厚度和总厚度变化的测试方法GB/T6619—2009硅片弯曲度测试方法GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T11073硅片径向电阻率

4、变化的测量方法SEMIMF1535—2007微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1线痕sawmark硅片在线切割过程中产生的切割痕迹。3.2径向电阻率变化radialresistivitytolerance晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若干对称分布的设置点（典型设置点是晶片半径的1/2处或靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为测量差值除以中心值，以百分数表示。又称径向电阻率梯度。3.3晶片厚度thicknessofslices1DB61/T

5、512—2011晶片中心点的厚度。对于本标准为硅片厚度。3.4总厚度变化（TTV）totalthicknessvariation晶片厚度的最大值与最小值间的差。4技术要求4.1表面质量表面质量要求见表1。表1硅片表面质量项目最大缺陷限度备注线痕20μm外缘1mm范围除外。表面沾污无边缘每片2个，圆周弦长最大到0.1mm，深0.1mm不接受贝壳状崩边。崩边/缺口裂缝/鱼尾纹无4.2机械性能4.2.1规格及尺寸一般为准正方形硅片，规格125mm×125mm型、156mm×156mm型，如图1所示。尺寸要求见表2，或者根据实际使用，供

6、需双方商定。图12DB61/T512—2011表2硅片尺寸aaA（边长）B（标称直径）C（弦长）D（倒角投影）规格E（相邻面垂直度）/mm/mm/mm/mm6″125±0.3150±0.382.921.056.5″125±0.3165±0.3107.78.6690°±0.3°8″156±0.3200±0.3125.115.43注：标称直经是指准方形单晶硅棒滚圆后的直径。亦可由供需双方协商确定。a为参考尺寸。4.2.2硅片厚度和总厚度变化硅片厚度应在140μm～240μm的范围，用户有特殊要求时，由供需双方商定。总厚度变化（TTV

7、）不大于30μm。4.2.3弯曲度硅片弯曲度不大于30μm。4.2.4翘曲度硅片翘曲度不大于75μm。4.3电性能要求4.3.1电阻率硅片电阻率要求见表3。4.3.2径向电阻率变化硅片径向电阻率变化要求见表3。表3电性能参数径向电阻率变化少数载流子寿命导电类型电阻率/Ω·cm晶向及偏离度/%/μs一档二档P≤15≥10<100>±1°0.5～11～3N1.5～20≤2050～100<100>±1°注：本表中少数载流子寿命值是经过钝化的测试值。4.3.3导电类型硅单晶导电类型要求见表3。4.3.4少数载流子寿命硅单晶少数载流子寿命

8、要求见表3。4.4晶体完整性3DB61/T512—2011硅单晶晶体完整性由位错密度指标反映，其位错密度应不大于3000个/平方厘米。4.5晶向及偏离度硅单晶晶向及偏离度要求见表3。5试验方法5.1表面质量在检验面光照度不小于800Lx、硅片距双眼约30cm～5