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《行业标准:DB61∕T 511-2011 太阳电池用单晶硅棒检验规则.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、ICS27.160F12DB61陕西省地方标准DB61/T511—2011太阳电池用单晶硅棒检验规则2011-04-20发布2011-05-01实施陕西省质量技术监督局发布DB61/T511—2011前言本标准参考GB/T12962-2005《硅单晶》,结合国内外光伏产业现状及发展趋势制定。本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。本标准由陕西省工业和信息化厅归口。本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西京电子科技有限公司、中电投西安太阳能电力有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、陕西华山半导体材料有限责任公司共同
2、负责起草。本标准主要起草人:牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、张旭、孙武、吕喜臣、赵可武、张超。本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。本标准为首次发布。IDB61/T511—2011太阳电池用单晶硅棒检验规则1范围本标准规定了太阳电池用单晶硅棒的技术要求、试验方法和检验规则等。本标准适用于太阳电池用单晶硅棒的检验。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1550非本征半导体材
3、料导电类型测试方法GB/T1551硅单晶电阻率测定方法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T12963硅多晶SEMIMF1535-2007微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1单晶硅圆棒mono-cryst
4、allinesiliconround-stick未经任何机械加工的原始单晶硅棒。3.2单晶硅方棒mono-crystallinesiliconsquare-stick单晶硅圆棒按照一定规格尺寸经过切断、切方、滚圆加工后的方锭。4技术要求4.1原材料产品用原材料应符合GB/T12963的规定。1DB61/T511—20114.2外观要求4.2.1单晶硅圆棒单晶硅圆棒表面应光滑,无缺口、裂纹、划痕。4.2.2单晶硅方棒单晶硅方棒断面应无刀痕、无长度和宽度超过5mm、深度超过1.5mm的缺口。4.3外形尺寸4.3.1单晶硅圆棒单
5、晶硅圆棒的长度由供需双方协商,直径及偏差见表1。表1单晶硅圆棒直径及偏差规格6″6.5″8″直径及偏差﹢5﹢5﹢5153168203/mm000注:直径及其偏差如有特殊要求,由供需双方协商确定。4.3.2单晶硅方棒单晶硅方棒的断面物理尺寸应符合图1、表2的规定。图1单晶硅方棒的断面物理尺寸表2单晶硅方棒的断面物理尺寸(字母对应图1所示)单位为毫米aa规格A(边长)B(标称直径)C(弦长)D(倒角投影)E(相邻面垂直度)断面几何垂直度6″125±0.3150±0.382.9±121.05±16.5″125±0.3165±0.
6、3107.7±18.66±190°±0.3°90°±0.5°8″156±0.3200±0.3125.1±115.43±1注1:标称直经是指单晶硅方棒的直径。注2:直径及其偏差如有特殊要求,由供需双方协商确定。a为参考尺寸2DB61/T511—20114.4电性能单晶硅棒导电类型、晶向及偏离度、电阻率、径向电阻率变化、少数载流子寿命的要求应符合表3。表3单晶硅棒电性能参数导电类型晶向及偏离度电阻率/(Ω·cm)径向电阻率变化/%少数载流子寿命/μs一档二档P<100>±1°≤15≥50.5~11~3N<100>±1°1.5~
7、20≤2050~100注:本表中少数载流子寿命值是未经过钝化的测试值。4.5晶体完整性单晶硅棒晶体完整性是由晶体位错密度指标所反应,其位错密度应不大于3000个/平方厘米。4.6氧含量183单晶硅棒的氧含量应不大于1.2×10atom/cm。4.7碳含量163单晶硅棒的碳含量应不大于5×10atom/cm。5试验方法5.1原材料单晶硅棒原材料测试按GB/T12963规定的方法进行。5.2外观要求单晶硅棒的外观目测,断面的缺口用游标卡尺(精度0.1mm)测量。5.3外形尺寸长度、直径、边长及弦长用游标卡尺(精度0.1mm)测
8、量,相邻面垂直度用直角尺或标准角度模板测量。5.4导电类型单晶硅棒的导电类型测试按GB/T1550中热探针法——热电势导电类型测试方法进行。5.5晶向及偏离度单晶硅棒的晶向及偏离度测试按GB/T1555中X射线衍射法定向法进行。5.6电阻率单晶硅棒的电阻率测试按GB/T1551中直排四探针法进行。5.7
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