经侧裂入路显微手术联合亚低温治疗高血压脑出血.doc

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1、经侧裂入路显微手术联合亚低温治疗高血压脑出III【摘要】目的:探讨髙血压脑出血患者在外侧裂-岛叶入路显微手术后行亚低温治疗的效果。方法:选取我科86例高血压脑出血患者,既往有高血压病史,CT显示基底节区出血,血肿量30ml,排除手术禁忌,随机分为实验组和对照组。实验组46例,术后3h时内行亚低温治疗,对照组40例颖叶开颅清除血肿术后行常规治疗。监测两组患者的生命体征、血氧饱和度、颅内压、血糖和电解质。比较两组患者的并发症、颅内压、死亡率和生存质量等。结果:实验组患者术后死亡率、颅内压和并发症均显着低于对照组(PO.05)o结论:外

2、侧裂-岛叶入路显微手术联合亚低温疗法术治疗高血压脑出血,能够有效地清除血肿,降低颅内压,减轻脑水肿,最大限度地减少脑组织损伤,控制并发症,促进术后神经功能的恢复,提高治愈率,降低高血压脑出血患者的死亡率,改善患者的预后,从而提高提高患者生存质量【关键词】高血压脑出血;外侧裂一岛叶入路显微手术;亚低温【中图分类号】R651.1【文献标识码】A【文章编号】1044-5511(XX年基金资助项目(SWKQ08XX年6月-XX年6月对86例髙血压脑出血患者进行了外侧裂-岛叶入路显微手术联合术后亚低温治疗,分析临床结果报告如下1.资料与方法

3、1.1一般资料:研究对象为我科收治高血压脑出血患者,共86例,男52例,女34例,年龄42-76岁,平均62.7岁。入院时血压均有增高,160-230/90-1XX年来人们一直在探索降低死残率、减少严重并发症的新理论及新方法,包括院前急救、手术时机及手术方法选择、术后处理等方,而脑出血的预后不仅与血肿量、周围脑水肿、周围脑血管痉挛等方面密切相关,而且与患者全身情况、年龄等因素有关。本实验在选择实验组、对照组时就充分考虑到这些方面的因素的影响,排除一些基础情况差手术禁忌患者,而且两组在发病年龄、临床表现、血肿量大小、影像表现方面无明

4、显差异在出现威胁生命的脑内血肿时,手术的目的是清除血肿、降低颅内压、减轻二次脑损伤,监测颅内压指导术后治疗,为后需进一步治疗创造时机。关于手术方法选择,我们采用外侧裂-岛叶入路显微手术及颍叶入路血肿清除两种手术方法,这也是目前国内各医院采用最多的高血压脑出血的两种术式,我们认为,外侧裂一岛叶入路显微手术有如下优势:1.创伤小。可采用翼点入路弧形小切口或直切口,较传统颖叶入路损伤轻。2.对脑组织骚扰小,基本不影响重要功能区。3•手术时间短,术后并发症少,对麻醉要求低,一般基础加局麻即可完成手术。亚低温治疗国内外研究较多,而且其技术应

5、用于临床已日趋成熟,目前对于严重创伤性脑损伤的前瞻性研究在中国也已启动,我院作为国家公益性卫生专项科研基金的参研单位,承担苏州地区重型颅脑外伤亚低温治疗的病例研究,我院已将亚低温广泛应用于重型颅脑损伤患者,并将亚低温应用于脑血管病的治疗中,亚低温脑保护的机制据研究可能有以下几点:(1)降低代谢率,低温可抑制脑细胞代谢,降低脑代谢可能使受伤大脑平稳度过缺血、缺氧的严重时期。(2)抑制各种损伤酶的基因表达来达到脑保护作用[7]。(3)抑制炎症反应[8]。(4)减少钙离子内流。(5)减少脑细胞及神经胶质细胞骨架蛋白的破坏等[9,10]。

6、本临床研究结果表明,术后行早期亚低温治疗较对照组能有效控制颅内压,防止并发症降低死亡率,改善生活质量。头部亚低温治疗可有效抑制脑部微创术后的过度应激反应,促进缺损神经功能的恢复。由此可见,微创血肿清除术联合亚低温疗法操作简便,创伤低,可以显着提高老年高血压脑出血患者预后生存质量,而且易于推广,有较强的临床应用价值参考文献[1]Meloni,Mastaglia,andKnuckey.Review:Therapeuticapplicationsofhypothermiaincerebralischaemia.TherapeuticAd

7、vancesinNeurologicalDisorders,2008,1(9):75~98.[1]Smith.Experimentalstudyandmodelvalidationofselectivespinalcordandbrainhypothermiainducedbyasimpletorso-coolingpad・ProceedingsoftheInstitutionofMechanicalEngineers,PartH:JournalofEngineeringinMedicine,2011,225(1):533-547

8、・[2]Butcher,Laidlaw,Curentintra~cerebralhaemorrhagemanagement・JClinNeurosci,2003,10:158-167.[3]Yasargil,Krisht,Ture,etal,Mir

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