长短按键开关机和开关屏幕设计.docx

《长短按键开关机和开关屏幕设计.docx》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、类似手机的一键开关机、开关屏幕功能电路实现消费电子设备经常要使用单一按键来进行电源和显示控制，实现功能类似苹果手机那样的长按开机、长按关机，短按开屏幕、短按关屏幕功能。本文档综合网上多个设计文档，给出了一种低成本、简单的实现方法。闲话少叙，直接上图。图1长按开关机电路图2短按开关屏幕电路先说长按开关机功能，电路图如图1，主要是用到了两个MOS管和主控单片机的2个GPIO配合完成。图中BAT是电池的电压输出，一般在3.5~4.2V之间，V_PWR是通过按键得到的供电通道电压，3V是经过稳压芯片得到的最终给MCU供电的电压。nP

2、WR_BUT_TEST是检测引脚，输入给单片机；PWR_BUT_CTL是控制引脚，由单片机输出。Si2301是P型MOS管，Si2302是N型MOS管。在电池有电且系统关机的初始状态下，不按下按键，则NMOS栅极为低，截止；PMOS的栅极为高，截止，BAT到V_PWR无通路，系统没有电。按下按键以后，PMOS栅极为低，导通，V_PWR基本等于BAT（PMOS的源漏之间约有0.05V压降），经过SPX1117后得到3V给单片机供电，单片机程序开始运行，检测nPWR_BUT_TEST电平，若低则延迟500ms再检测仍为低，就给P

3、WR_BUT_CTL置高，NMOS导通，此后即便松开按键，PMOS的栅极仍通过NMOS接地，保持导通；若延时检测过程中间松开按键，供电即断。开机后单片机程序检测nPWR_BUT_TEST的下跳沿，注意不是低电平，否则会在第一次开机时重复触发开关机。一旦得到下跳沿，延时500ms后再检测电平，仍未低，就给PWR_BUT_CTL置低，NMOS关断，PMOS失去从NMOS的源漏极接地的通路，仅剩按键通路，则松开按键PMOS栅极为高，截止，即关机。短按开关屏幕原理十分简单，在开机之后，主程序不断监视nPWR_BUT_TEST时，在主

4、程序中设计短按触发翻转LCD_POWER控制LCD的背光即可。