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时间:2020-03-26
《电流密度对铌表面熔盐脉冲电沉积渗硅的影响.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第41卷第4期Vol畅41No畅42016年4月HEATTREATMENTOFMETALSApril2016电流密度对铌表面熔盐脉冲电沉积渗硅的影响王雁利,杨海丽,吴晔康,徐宏,王心悦,冯策(华北理工大学冶金与能源学院河北省现代冶金技术重点实验室,河北唐山063009)摘要:采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面渗硅,利用辉光放电光谱仪(GDOES)、扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)分析不同电流密度对渗硅层厚度、成分、组织及相结构的影响,并对渗硅层的抗氧化性进行了研究。结果表明,渗硅层厚度2随电流密度的增大而增
2、加,超过100mA/cm厚度增加缓慢。渗硅层晶粒随电流密度的增加由粗大变得细小。渗层与基体结合紧密,渗层组织较均匀整齐,致密无孔洞。渗硅层由单相NbSi2组成,在(110)和(200)晶面上择优生长。NbSi2渗层提高了纯铌的抗氧化性。关键词:铌;熔盐脉冲电沉积;渗硅;电流密度;抗氧化性+中图分类号:TG146.416文献标志码:A文章编号:0254-6051(2016)04-0165-05Effectofcurrentdensityonniobiumbymoltensaltpulseelectrodepositionsilico
3、nizingWangYanli,YangHaili,WuYekang,XuHong,WangXinyue,FengCe(HebeiKeyLaboratoryofModernMetallurgyTechnology,CollegeofMetallurgyandEnergy,NorthChinaUniversityofScienceandTechnology,TangshanHebei063009,China)Abstract:Thesiliconizedlayerwaspreparedonpureniobiumbymoltensal
4、tpulseelectrodeposition.Theeffectsofcurrentdensityonthesiliconizedlayerthickness,composition,structureandphasewerestudiedbyglowdischargeopticalemissionspectroscopy(GDOES),scanningelectronmicroscopy(SEM)equippedwithenergydispersivespectrometer(EDS)andX-raydiffraction(X
5、RD).Meanwhile,theanti-oxidationofsiliconizedlayerwasalsostudied.Theresultsshowthatthesiliconizedlayerthickensascurrentdensityincreases.The2thicknessgainingrateslowswhencurrentdensityisbeyond100mA/cm.Grainsizesofsiliconizedlayerbecomesmallerwiththeincreasingofcurrentde
6、nsity.Thesiliconizedlayerstructureisuniform,orderlyanddensewithoutholes,whichisfirmlycombinedwithmatrix.Thesiliconizedlayerconsistsofsingle-phaseNbSi2with(111)and(200)preferredorientation.TheoxidationresistanceofpureniobiumisimprovedbyNbSi2layer.Keywords:niobium;molte
7、nsaltpulseelectrodeposition;siliconizing;currentdensity;oxidationresistance铌具有低密度、高熔点、优良的延展性和热传导法于1050℃下包埋2h(真空、压力约5Pa)、900℃包性、低的韧-脆转变温度、高的高温强度和硬度等优良埋24h、1100℃包埋3h,在纯铌表面得到约40、60和[8]特性,有望逐步代替镍基合金,成为重要的高温环境服70μm厚的NbSi2渗层;Yamada等采用加热扩散法役的候选结构材料。然而,铌在高温时抗氧化性能较[9]于923℃加热12
8、h、Suzuki等采用热浸法于900℃差(约600℃时即发生“pest”氧化),这在很大程度上熔盐中浸镀2h,分别制备出约80μm和10μm厚的[1]制约了其发展。解决该问题的途径主要有两个:一渗硅层。熔盐脉冲电沉积法具有设备简单、操作方便,是合金
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