《电子技术基础》课程教学大纲.doc

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1、《模拟电子电路》课程教学大纲(2002级·电子信息技术专业)第一部分大纲说明一、课程的性质、目的与任务模拟电子电路是中央电大理工科开放专科电子信息技术专业必修的技术基础课。该课程不仅具有自身的理论体系且是一门实践性很强的课程。本课程的任务是解决电子技术入门的问题,使学生掌握模拟电子电路的基本工作原理、分析方法和基本技能,为深入学习后续课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。二、与其它课程的关系先修课程为电路分析基础,本课程为学习后续课程(如“现代电子电路与技术”、“自动控制原理”、“微机原理与应用”等)打下必要的基础。三、课程特点1.知识理论系统性较强。学习本课程需要有一定的基础理论、知

2、识作铺垫且又是学习有关后续专业课程的基础。2.基础理论比较成熟。虽然电子技术发展很快,新的器件、电路日新月异,但其基本理论已经形成了相对稳定的体系。有限的学校教学不可能包罗万象、面面俱到,要把学习重点放在学习、掌握基本概念、基本分析、设计方法上。3.实践应用综合性较强。本课程是一门实践性很强的技术基础课,讨论的许多电子电路都是实用电路,均可做成实际的装置。四、教学总体要求1.正确理解以下基本概念和术语直流通路与交流通路,正向偏置和反向偏置,静态与动态,工作点,负载线,非线性失真,放大倍数,输入电阻,输出电阻,频率特性,正反馈和负反馈,直流反馈和交流反馈,电压反馈和电流反馈,串联反馈和并联反馈,

3、开环与闭环,自激,零点漂移,差模与共模,共模抑制比,恒流源,互补对称,输出功率与效率,理想运放,虚短、虚地,噪声与干扰等。2.掌握以下分析方法·分析放大电路的“图解法”;·分析放大电路的“微变等效电路法”;·分析运放应用电路的“虚短、虚断法”;·判断正、负反馈的“瞬时极性法”;·根据具体条件处理实际问题时所用的“近似估算法”,如:确定静态工作点Q时的近似计算法;估算深负反馈条件下的闭环放大倍数。3.注意培养以下几方面的能力·初步估算基本电路主要性能指标的能力;·选用元器件和选择基本单元电路的初步能力;·初步的读图能力。能阅读由所学器件和基本电路组成的较简单的典型电子设备的原理图(例如音频信号发

4、生器、稳压电源等),了解各组成部分的功能。五、课程内容要求的层次课程内容的要求按了解、理解、掌握三个层次。第二部分多种媒体教材一体化总体设计初步方案一、课程教学总学时数、总学分数课内学时117,6.5学分。其中电视课45学时,实验36学时,开设一学期。二、文字教材、音像教材及相互关系文字教材是主要教学媒体,包括教材的主体内容、辅导和实验内容,录像教材采用重点专题的形式,重点讲解课程中的重点、难点,分析电路的一般方法和思路。考虑到本课程内容的连续性和系统性,各专题间既相对独立,又有一定的层次性。三、考核本课程根据本大纲及课程考试说明要求命题,采用闭卷方式统一考试,重点考核本课程的基本概念、基本知

5、识和基本技能。为了保证实践环节的落实,期末考试成绩由两部分组成:理论考核成绩占总分的80%,实验考核成绩占总分的20%,实验考核由各地方电大组织实施。四、学时分配序号教学内容课内学时电视学时实验学时面授辅导学时一绪论、半导体器件734二三极管放大状态下的工作特点312三放大电路的原理和分析方法211335四集成放大电路基础1266五放大电路中的反馈16736六运算电路11335七信号处理电路725八波形发生电路12534九功率放大电路624十直流电源12336十一读图练习44十二综合性实验66合计117453636第三部分教学内容和教学要求一、半导体器件(一)教学内容·半导体基本知识;·PN结

6、及其导电特性;·半导体二极管的结构、特性、参数、选用方法;·半导体三极管的结构、工作原理、特性、参数、选用方法;·绝缘栅场效应管的结构、工作原理、特性和参数。(二)教学要求1.掌握的内容:·半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点;·半导体三极管(NPN型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点;·NMOS管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。2.理解的内容:·半导体硅二极管的伏安特性曲线,主要参数IF、IR、FM、U(BR)的物理意义;·半导体三极管(NPN硅管)输入特性和输出特性曲线,主要参数b、a、IcBO、IcEO、Icm、Pcm、U(BR)CEO的物理意义;·增

7、强型MOS管主要参数UT的物理意义及三个工作区域的特点。3.了解的内容:·半导体的两种载流子、扩散和漂移的概念;·PN结外加不同极性电压时的导电性能;·稳压管的主要参数Uz、Iz的物理意义。(三)教学建议本章讲述半导体载流子的运动过程目的在于帮助学生理解半导体器件的外部特性,而重点是半导体器件的开关条件和特点。学习本章,需要复习有关电路(用戴维南定理化简电路)的基本知识。二、放大电路的基本原理和分

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