光刻工艺基础知识.doc

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1、光刻工艺基础知识PHOTO光刻工艺基础知识PHOTO(注：引用资料)光刻工艺基础知识PHOTO　　PHOTO流程?　　答：上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？搭：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。　　何为负光阻?答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝

2、光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。　　　何谓Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。　　Photo主要流程为何?答：Photo的流程分为前处理，上光阻，SoftBake,曝光，PEB，显影，HardBake等。　　何谓PHOTO区之前处理?答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bak

3、e，HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS(六甲基乙硅氮烷，以增加光阻与晶体表面附着的能力)工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。何谓上光阻?答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。何谓SoftBake?答：上完光阻之后，要进行SoftBake，其主要目的是通过SoftBake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。　　何谓曝光?答：曝

4、光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。　何谓PEB(PostExposureBake)?答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。　　何谓显影?答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。　　何谓HardBake?　　答：HardBake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。　　何为BARC?何为TA

5、RC?它们分别的作用是什幺？　　答：BARC=BottomAntiReflectiveCoating,TARC=TopAntiReflectiveCoating.BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。　　何谓I-line？　　答：曝光过程中用到的光，由MercuryLamp(汞灯)产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。　　何谓DUV？　　答

6、：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。　　I-line与DUV主要不同处为何?　　答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Criticallayer。DUV则用在先进制程的Criticallayer上。　　何为ExposureField?　　答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域　　何谓Stepper?其功能为何?　　答：一种曝光机，其曝光动作为Stepbystep形式,一次曝整个e

7、xposurefield,一个一个曝过去　　何谓Scanner?其功能为何?　　答：一种曝光机，其曝光动作为Scanningandstep形式,在一个exposurefield曝光时,先Scan完整个field,Scan完后再移到下一个field.　　何为象差？　　答：代表透镜成象的能力,越小越好.　　Scanner比Stepper优点为何？　　答：ExposureField大，象差较小　　曝光最重要的两个参数是什幺？　　答：Energy(曝光量),Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的

8、CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。　　何为