光刻工艺介绍

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1、光刻工艺介绍一、定义与简介光刻是所有四个基本工艺中最关键的，也就是被称为大家熟知的photo，lithography，photomasking,masking,或microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成，这些部件是预先做在一块或者数块光罩上，并且结合生成薄膜，通过光刻工艺过程，去除特定部分，最终在晶圆上保留特征图形的部分。光刻其实就是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成，现在先进的硅12英寸生产线已经做到22nm，我们这条线的目标6英寸砷化镓片上做到0.11um。光刻生产的目

2、标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件的关联正确。二、光刻工艺流程介绍光刻与照相类似，其工艺流程也类似：实际上，普通光刻工艺流程包括下面的流程：1)SubstratePretreatment即预处理，目的是改变晶圆表面的性质，使其能和光刻胶（PR）粘连牢固。主要方法就是涂HMDS，在密闭腔体内晶圆下面加热到120℃，上面用喷入氮气加压的雾状HMDS，使得HMDS和晶圆表面的-OH健发生反应已除去水汽和亲水健结构，反应充分后在23℃冷板上降温。该方法效果远比传统的热板加热除湿好。2)Spincoat即旋转涂光刻胶，用旋转涂布法能提高光刻

3、胶薄膜的均匀性与稳定性。光刻胶中主要物质有树脂、溶剂、感光剂和其它添加剂，感光剂在光照下会迅速反应。一般设备的稳定工作最高转速不超过4000rpm，而最好的工作转速在2000～3000rpm。3)SoftBake(Pre-bake)即软烘，目的是除去光刻胶中溶剂。一般是在90℃的热板中完成。4)Exposure即曝光，这也是光刻工艺中最为重要的一步，就是用紫外线把光罩上的图形成像到晶圆表面，从而把光罩上面的图形转移到晶圆表面上的光刻胶中。这一步曝光的能量(Dose)和成像焦点偏移(Focusoffset)尤为重要.1)PostExposureBake(PEB)即后烘，这是非常重要

4、的一步。在I-line光刻机中，这一步的目的是消除光阻层侧壁的驻波效应，使侧壁平整竖直；而在DUV光刻机中这一步的目的则是起化学放大反应，DUV设备曝光时，光刻胶不会完全反应，只是产生部分反应生成少量H+离子，而在这一步烘烤中H+离子起到类似催化剂的作用，使感光区光刻胶完全反应。这一步主要控制的也是温度与时间，而对于温度的均匀性要求也非常高，通常DUV的光阻要求热板内温度偏差小于0.3℃。2)Develop即显影，就是把光刻胶光照后的可溶部分除去，留下想要的图形。光刻胶有正胶和负胶两种，正胶就是光照部分可溶于显影液，而负胶就是未光照部分可溶。一般来说正胶可以得到更高的分辨率，而负

5、胶则更耐腐蚀。显影和清洗都在显影槽中完成，每一步的转速和时间都至为重要，对最后图形的均匀性和质量影响很大。有的光刻工艺在显影完成后还有一步hardbake即硬烘来除去光刻胶在显影槽中清洗而残留的水分。而有的工艺流程中，在光刻下一工序前会有一道坚膜来除去水分，hardbake就可以不要了。3)显影完成后光刻工艺应该算基本完成，不过在将产品送到下一工序前我们还是需要验证确认光刻工艺质量，不合格的产品可以除去光刻胶来返工。显影后检查首先就是ADI（AferDevelopInspection）,也就是在显微镜下检查晶圆表面有无异常。光刻中常见的问题有失焦(defocus),图形倒塌(pe

6、eling),异常颗粒(particle)，刮伤等等。1)CDmeasurement即线宽测量，目的是检查光刻得到的线宽是不是符合设计的要求，同时要检查整片晶圆上线宽的均匀性。2)Overlay即套刻精度测量，现在IC部件都是很多层光罩套刻累加形成的，不同层之间需要对准，而Overlay就是专门测量不同层之间对准精度的。三、光刻设备介绍在以上的工序中ADI，CD和OVL都有专门的量测设备，Exposure是在光刻机中完成，而Pretreatment,Spincoater，Softbake,PEB和Develop都是在track设备中完成的，为了提高效率，track和光刻机通常是集

7、成在一起的。在我们采购的ASML光刻机和TELtrack都是自动化相当高的设备，手动条件下也只需要放上要做的产品片盒后选好程序就行，而自动条件下只要放上片盒，自动化系统会自行选择要用的程序。一般情况下ASML光刻机的产能可以做到每小时60~90片。就Track而言，目前高端市场占有率最高的是TEL，其次就是DNS，在产能和稳定性方面，TEL占有较大优势。不管是DNS还是TEL，其设备都是把spincoat,Develop,热板，冷板以及洗边的模块堆叠起来，通过中间的机械手来传送晶