软性基板新制造技术体系4.doc

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1、新製造技術体系，亠入亍厶・才A・厶」-厶・才〉・7^/U厶◎加工手法七材料技術2009/03/0200:00加藤伸一=日経弋彳出典：日経口卢八彳兔，2008年9月号，pp・3「33（記事d：執筆時勿青報人基，現在疋肚異卞召場合力'笳Z夕M-y印刷疋17pm（Z）配線（1）U一，印刷U：，半導体層，絶縁膜，金属層，着色層，接着層^^OE

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4、丿一A印刷機大手d一口Ab精密工業力'開発口彳儿厶基板◎表面人加工总施実現。線幅/線間隔（L/S）30pm未満U一>印刷丁§場合5V^/k厶基板上（二①濡;h広力,0力•問題（二卞。疋<召。乞乙疋，同社0土，表面広多孔質層总形成L/z/K'

5、Jx^uy・卜（PET）H17pm◎配線总印刷歹召技術总開発多孔質層（丈，7彳儿厶基板人印刷吸収0，塗布個所①周囲人濡;n広役割总担刁。千木儿長lpm◎有機卜7y^z夕（2）b塗布U：，着色層，配線層，絶縁層，半導体層卞乂。形成口吏用歹召o//>^x7卜①利点肚，版总使bT（c平面上①必要卞部分自在広直描住召点。卜塗布（二/召描画寸法◎微細化肚，乙①数年間疋数十“nn力、e>20pm程度求疋進A,«fc/2L通常卜・、;/K（CJ;^）量産描画寸法（士直径約13pm限界。乙料以下①微細化疋肚，硏究“卞儿K士笳召力-产十彳、儿長lpmo有機

6、卜严夕总形成l>/i例力'出疋§fc°产卡彳、儿長l

7、Jm^有機卜兔夕肚，東京大学工学系硏究科量子相工lx夕卜口二夕灭硏究乜、丿夕一准教授◎染谷隆夫氏力・5K^f7MaxPlanckInstituteforSolidStateResearch七共同疋開発。有機半導体層①上V：/—乂壬K'k^yOAg電極总形成L/it0T，電極①幅（i2pm‘厚机止25nm。通常卜M二ctw量産描画寸法①微細化力殖径13pm程度§<7?!±，吐出疋吉召液滴①量力'最小疋lpi。力、微量化。染谷氏6八一■/力，乙;h以下人微量化，従来（7H>b七比卞疋l/i

8、ooo以下f（vx厶卜）S超微細液滴①吐出总可能技術总使。lfs液滴力,実現場合，直径d：1.3pm1犷夕/J、w<豪。乙①吐出技術肚産業技術総合硏究所（産総硏）7口声一部門力，開発。上rX-/^^>^vx7卜」技術疋笳石王°。注3）^>7^x7卜技術m，「液滴①量①制御卜总上回召方法（iMilL力•立」（彳債夕声工卜技術自吏電子開発歹召技術者）。、直径lpm以下◎微細卞川夕一二，/总行刁場合QU:，他①方法总検討微細化①限界①理由肚卜技術①原理Z$）^>。液滴总小1<歹召七，体積V対歹召表面積①比力'大吉<，溶媒力，瞬間的広乾〈。液滴总

9、lpm以下{Zt^>L，吐I屮庖它/i瞬間心容媒力'乾注4）産総硏m，fl才一夕一◎微細液滴①吐出总可能（；L^技術◎詳細疋，公開LTl^^。ttz»^>7xx7卜疋吐出疋吉召材料①種類力数年間疋増°ITO（indiumtinoxide）^Cu，Si^^，従刺士難材料力“債夕化疋吉召/刃二卞0，金属配線壬半導体◊塗布力，現実的広卞。疋吉/；：注刃。注5）^>7^X7卜塗布疋使庁彳A夕材料力•制約^nx^fz理由（i^7F岔容化以、溶剤总使s，吐出住召粘度怎調整b^T<，飛e/i液滴力'}/疋変性条件总満尢歹必要。100C100620002

10、006■子移ME20102015翎（年）ioee[?U77-r^）^拡大画像力'開nm才一夕•一◎微細八夕一〉总成型（3.）成型肚，7^/L厶基板上広3次元構造总形成歹召技術tLT使庁。7一1/厶上7汽夕一、丿成型◎方法肚2種類笳召—O（±，押。出。成型疋溶融v-^e）v^/b厶总作製歹召際勺一二、/厂卞召方法，，V^/lz厶上広塗布UV硬化樹脂方法疋笳6。前者肚液晶川彳、儿用①VAX付吉拡散少一卜卞導光少一卜，後者肚液晶A^/U用厶・x一卜，電子V—川一（7）1丿"7構造（?）形成力'代表的卞例。口一儿状金型总使成型疋肚現在，量産線幅，

11、直径七t30pm程度求疋加工寸法＜7）微細化力'進吟後（土nm才一歹一6寸法6汽夕一、丿從形成金型自吏二疋成型MU＞b技術（C＜toT，数十nm求疋微細化力，進t;見通LT$）^＞。成型0微細