软性基板新制造技术体系1.doc

《软性基板新制造技术体系1.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、新製造技術体系，亠入亍厶・才A・厶」事例（1）電子心一八一，太陽電池，有機EL丿斥丿1/2009/03/0500:00加藤伸一=日経之彳夕口出典：日経口戸八彳兔，2008年9月号，pp.36・38（記事肚執筆時①情報広基，現在疋肚異卞召場合力'笳電子—-7—•口一儿＜7）量産疋先行電子Y—川一肚，紙①代替总狙"沙厶基板总使c代壮、分野。艺引一匕a①寸法lOOpm以上七大吉＜、亍八人入6構造力，簡素，量産入①八一W力,低〈，xXz厶・才A・7彳儿厶①量産疋先行LTi^^10）。注10）電子7mr彳•/駆動处有機EL卞乂他XYk^lc比y疋応

2、答速度力M氐速疋，駆動用＜7）TFT（X高S電子移動度总必要，実用化。(a)«SiPiximatmg(bl^U^bxPolymerVision(d)AB図6•電子7—2•才；/・丁彳儿厶米SiPixImaging,Inc.»才vy/PolymerVisionLtd.（i口一儿・'，一・口一丿WK召連続生産总行。各社6〒一夕。［画像①小、、门疋拡大表示］乂一力一◎開発動向（±^o（c分疗—o（i，口一儿2—・口一j；^＞製造总先行—力一。右》一。^7彳儿厶基板広印刷疋了刁亍4■/駆動用TFT总形成歹召開発总先行X一力一^$）^＞。口一•y一

3、•口一/K2efc召量産总先行1乜召/一力一（C（i，米SiPixImaging,Inc.*b＞＞才PolymerVisionLtd•力，笳召。一方，7彳儿厶基板上（乙日」刷疋形成^有機TFT（ZJ;^7^t^■/駆動電子，大日本印刷，凸版印刷七，二一①歹儿一力，試作LZ^6（図6）。口一儿・'，一・口一儿生産m，SiPix忙続◎疋PolymerVision力'2007年末（乙量産总開始。^

4、丿^^卜刃止2009年品6出荷总開始歹召^SiPixO製造■/口-trXfi汪T，透明電極总形成済4"小厶基板樹脂总塗和I，口一儿状金型自吏夕口力'

5、77七呼恳微細卞凹凸構造总形成卞召。乞6後，顔料七着色液体总它彳夕口力'^7上充塡J，⑴1枚①7彳儿厶彳、一卜歹口七7.总連続的広行刁(図7)。注11)PolymerVision(j;口一儿・'，一・口一丿iz生産(IJ;y口表示電子7—八_总2008年中人携帯電話機向也二出荷丁召計画7^)6。乙肮D丈別(二，2008年5月(“土，口一儿・、，一・口一儿生産力严一表示馮式作品总公表。尢。(a)口一儿・7-・口一儿生度h口七兔(b)口一/v・7-•口一儿生産装菱図7•米SiPixImaging,Inc.O口一儿・'7—・口一儿生産7口七；；

6、夕口力770隔壁①線幅肚約30

7、jnn，匕1/・77(i15〜30pm，口一儿状金型疋成型歹召隔壁(7)角度肚95°^^)§。同社◎〒一夕。［画像WU7夕疋拡大表示］一方，印刷人J；召有機TFT总使。上了夕亍彳才駆動①電子7—汽一°開発总優先歹召X—力一疋(±，大日本印刷力,30—厶/秒①書吉換;t力河能卞白黒①2値表示品总試作JA：。現在①有機TFT(iSi-TFTV比卞疋電子移動度力'2〜3F夕低＜，十分卞性能总確保丁狈“止TFT①寸法总大吉＜t^＞必要力吻召。5匕老，電子7—八_Q開口率力•犠牲，画素電極TTFT^覆刁素子構造总採

8、用JA：。太陽電池©7彳儿厶基板忙J：召量産規模◎拡大期V太陽電池m，富士電機xXrAX5米KonarkaTechnologies,Inc.»米NanosolarInc.^V一lz厶基板总使用J/i口一儿•'，一•口一丿製造7口-tXT量産总開始(図8)。富士電機少入亍厶壬儿■77^Si太陽電池，Konarka肚有機半導体(ZJ;6太陽電池，Nanosolar(±CIGS(Cu-In-Ga-Se)型太陽電池七，乞;h艺h種類◎異忌召太陽電池总口一儿・'7一・口一儿製造7P量産bZ^6。半導体層(止，富士電機^XrAX^yXvCVD(che

9、micalvapordeposition)，Konarkayx7卜塗布，Nanosolart力、◎塗布(CioT形成。S沁，富士M^xZr厶疋j：，2006年10月広Inn幅arf»、手、、/夕基板总用S尢口一儿・―・口一製造•/口七兔疋了壬儿Si太陽電池＜7)量産总開始。現在◊量産規模怎12MW/年疋，2008年中（二40MW/年人生産能力总拡大歹召心为二，2010年代前半口农，150MW/年広拡大歹召計画。同社（7）口一儿・、、丿一・口一儿（K577壬儿■77^Si太陽電池。製造■/口^X（i，以下◎通^）°tr，7彳儿厶基板広機械的

10、広穴总開疗召。次怎，7彳儿厶基板①両面Q金属電極^X/vy'J"疋成膜歹召。乞①後，V彳儿厶①片面（cyyXvCVD装置疋Si層总形成J，続（tTX/^y夕'J装置芒透明電極总形成歹召。最後V